貼片三極管振蕩電路的基本原理

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　　振蕩電路，是指用電感L、電容C組成選頻網(wǎng)絡(luò)的振蕩電路，用于產(chǎn)生高頻正弦波信號，常見的LC正弦波振蕩電路有變壓器反饋式LC振蕩電路、電感三點式LC振蕩電路和電容三點式LC振蕩電路。LC振蕩電路的輻射功率是和振蕩頻率的四次方成正比的，要讓LC振蕩電路向外輻射足夠強的電磁波，必須提高振蕩頻率，并且使電路具有開放的形式。振蕩電路是將電源的直流電能，轉(zhuǎn)變成一定頻率的交流信號的電路，作用是產(chǎn)生交流電振蕩，作為信號源。貼片三級管振蕩電路是常見的一種振蕩電路。
　　貼片三極管振蕩電路的基本原理
　　由上圖可見，這個電路是由兩個非門（反相器）用電容C1，C2構(gòu)成的正反饋閉合環(huán)路。三級管Q1的集電極輸出接在Q2的基集輸入，Q2的集電極輸出又接在Q1的基極輸入。電路接通電源后，通過基極電阻R2，R3同時向兩個三極管Q1，Q2提供基極偏置電流。使兩個三極管進入放大狀態(tài)。雖然兩個三級管型號一樣對稱。但電路參數(shù)總會存在微小的差異，也包括兩個三極管本身，也就是說T1，T2的導通程度不可能完全相同，假設(shè)Q1導通快些，則D點的電壓就會降的快些。這個微小的差異將被Q2放大并反饋到Q1的基極，再經(jīng)過Q1的放大，形成連鎖反應(yīng)，迅速使Q1飽和，Q2截止，D點變成低電平“0”，C點變成高電平“1”。
　　Q1飽和后相當于一個接通的開關(guān)，電容C1通過他放電。C2通過它充電。隨著C1的放電，由于有正電源VCC的作用，Q2的基極電壓逐漸升高，當A點電壓達到0.7V后，Q2開始導通進入放大區(qū)，電路中又會立刻出現(xiàn)連鎖反應(yīng)，是Q2迅速飽和，Q1截止，C點電位變電平“0”。D點電位變高電平“1”。這個時候電容C2放電，C1充電。這一充放電過程又會使Q1重新飽和，Q2截止。如此周而復始，形成振蕩。
　　由上可以知道通過改變C1，C2的電容大小，可以改變電容的充放電的時間，從而改變振蕩頻率。
　　只讀存儲器M95512-WMN6TP www.dzsc.com/ic-detail/9_2505.html的參數(shù) 產(chǎn)品種類: 電可擦除可編程只讀存儲器
　　RoHS:  詳細信息
　　安裝風格: SMD/smt
　　封裝 / 箱體: SOIC-8
　　存儲容量: 512 kbit
　　組織: 64 k x 8
　　接口類型: Serial, 4-Wire, SDI, SPI
　　訪問時間: 60 ns
　　數(shù)據(jù)保留: 40 Year
　　最大時鐘頻率: 5 MHz
　　電源電流—最大值: 2 mA
　　電源電壓-最小: 2.5 V
　　電源電壓-最大: 5.5 V
　　最小工作溫度: - 40 C
　　最大工作溫度: + 85 C
　　系列: M95512-W
　　封裝: Cut Tape
　　封裝: MouseReel
　　封裝: Reel
　　高度: 1.65 mm (Max)
　　長度: 5 mm (Max)
　　寬度: 4 mm (Max)
　　商標: STMicroelectronics
　　CNHTS: 8542319000
　　HTS Code: 8542320051
　　MXHTS: 85423299
　　工作電源電流: 6 mA
　　工作電源電壓: 3.3 V, 5 V
　　產(chǎn)品類型: EEPROM
　　編程電壓: 2.5 V to 5.5 V
　　工廠包裝數(shù)量: 2500
　　子類別: Memory & Data Storage
　　TARIC: 8542327500
　　單位重量: 540 mg
　　存儲器類型：非易失
　　技術(shù)：EEPROM
　　存儲容量：512Kb （64K x 8）
　　時鐘頻率：16MHz
　　寫周期時間-字，頁：5ms
　　存儲器接口：SPI
　　電壓-電源：2.5 V ~ 5.5 V
　　工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
　　安裝類型：表面貼裝
　　封裝/外殼：8-SO
　　速度：10MHz
　　接口：SPI 串行