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嵌入式工作培訓(xùn)計劃_嵌入式高速固態(tài)存儲器的組成原理與設(shè)計實現(xiàn)

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發(fā)表于 2020-8-7 11:31:19 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
嵌入式工作培訓(xùn)計劃_嵌入式高速固態(tài)存儲器的組成原理與設(shè)計實現(xiàn),   

信息化時代的到來,使得信息和數(shù)據(jù)成為推動社會發(fā)展的主要因素,對于數(shù)據(jù)的處理提出了更高的要求。為了適應(yīng)時代發(fā)展的需求,現(xiàn)代數(shù)據(jù)信息處理技術(shù)必須具備快速的數(shù)據(jù)采樣能力和較寬的數(shù)據(jù)帶寬,這就使得嵌入式高速固態(tài)存儲器得到了發(fā)展的機會。本文對嵌入式高速固態(tài)存儲器的組成原理進行了分析,并提出了其設(shè)計實現(xiàn)的基本構(gòu)造和可能性。

信息化時代的發(fā)展促進了市場競爭主要因素的轉(zhuǎn)變,在當(dāng)前市場環(huán)境變幻莫測的背景下,信息的及時性和準(zhǔn)確性成為衡量企業(yè)市場競爭力的關(guān)鍵因素,科學(xué)技術(shù)成為第一生產(chǎn)力。為了提高信息數(shù)據(jù)的采集、傳輸和處理速度,對大量的數(shù)據(jù)進行存儲和管理,嵌入式高速固態(tài)存儲器得到了良好的發(fā)展機遇。

1 嵌入式高速固態(tài)存儲器概述

所謂的嵌入式高速固態(tài)存儲器,是一種數(shù)據(jù)存儲設(shè)備,可以將被測量信號存儲起來,便于之后進行分析處理、故障診斷、運行狀態(tài)記錄等,為大量數(shù)據(jù)的處理和存儲提供了有效的手段。嵌入式高速固態(tài)存儲器自身具備可靠性高、數(shù)據(jù)儲存完整不易丟失等眾多優(yōu)點,適合高速、高精準(zhǔn)度的測量系統(tǒng),其采樣速度的快速性和采樣數(shù)據(jù)的大量性可以滿足高保真數(shù)據(jù)還原的需求。同時,NAND FLASH作為一種安全、快速的數(shù)據(jù)存儲媒介,自身具備大容量、小體積、低成本、抗高溫等優(yōu)點,在數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域得到了廣泛的普及和應(yīng)用。本文提到的嵌入式高速固態(tài)存儲器,正是以NAND FLASH為存儲介質(zhì)設(shè)計實現(xiàn)的,具有廣闊的應(yīng)用前景。

2 嵌入式高速固態(tài)存儲器的組成原理

嵌入式高速固態(tài)存儲器作為一種存儲設(shè)備,其自身并不能對數(shù)據(jù)進行處理,因此并不存在復(fù)雜的軟件組成,這里著重分析其硬件組成。在嵌入式高速固態(tài)存儲器的設(shè)計構(gòu)成中,使用的是NAND FLASH存儲器,其主要數(shù)據(jù)存儲載體是半導(dǎo)體材料,相比傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備,應(yīng)用范圍更加廣泛,對于溫度、壓力、振動等的適應(yīng)性較強,是實現(xiàn)存儲設(shè)備高可靠性、高速度、低功耗和小型化的最佳選擇。在設(shè)計時,由于其自身對于數(shù)據(jù)存儲速度和容量方面的要求較高,單一的NAND FLASH無法滿足,因此需要使用復(fù)數(shù)的NAND FLASH存儲器,并對其進行適當(dāng)?shù)脑O(shè)計和排列,兼顧存儲速度和容量,同時也不能使設(shè)備的構(gòu)成過于復(fù)雜。

因此,可以使用現(xiàn)場可編程門陣列(即FPGA)作為主控制器,通過片上系統(tǒng)設(shè)計,實現(xiàn)數(shù)據(jù)的高速傳輸和對FLASH存儲陣列的數(shù)據(jù)存儲。

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3.1 硬件設(shè)計

存儲器的硬件部分可以由8片NAND FLASH器件共同構(gòu)成,對其存儲容量和速度進行相應(yīng)的擴展,組成64位DDR接口界面,并且形成一組FLASH塊,接入FPGA。同時,可以將64片 NAND FLASH器件等分成8個部分,之后分別接人FPGA中,為數(shù)據(jù)的存儲和傳輸提供4種接口形式,擴展其使用范圍?梢栽谠O(shè)備上串行高級技術(shù)附件,以及 USB接口,用于計算機的訪問和連接。存儲器上的網(wǎng)絡(luò)接口可以用來與網(wǎng)絡(luò)進行連接,實現(xiàn)對數(shù)據(jù)的管理和遠(yuǎn)程處理。

3.2 FPGA設(shè)計

FPGA系統(tǒng)對于數(shù)據(jù)的要求較高,必須可以進行高速數(shù)據(jù)率的連續(xù)訪問,而對于數(shù)據(jù)管理和整片存儲器的擦除速度要求較低,因此,在設(shè)計時,可以優(yōu)先考慮連續(xù)訪問速度,文件管理和擦除可以低速進行。體現(xiàn)在對FLASH的操作中,即通過電路實現(xiàn)FLASH頁面的讀寫功能,通過片上處理器,運用相應(yīng)的軟件程序,實現(xiàn)文件管理、塊擦除、格式化等功能。

在嵌入式高速固態(tài)存儲器設(shè)計實現(xiàn)后,為了保證其功能和使用效果,還需要對存儲器的相關(guān)性能進行分析。本文通過相應(yīng)的方法,以 MT29F256G08AUAAA器件為例,對存儲器的速度和容量進行分析,以確保存儲器的正常使用。假設(shè)存儲器在讀取數(shù)據(jù)時,每頁數(shù)據(jù)的讀取時間為 35,對每頁數(shù)據(jù)進行處理和編程的時間為350,接口處的數(shù)據(jù)傳輸速度為400M/s。由于使用DDR進行操作,假定數(shù)據(jù)選取時間為5ns,每頁數(shù)據(jù)總量為8640字節(jié),包含連續(xù)區(qū)的8192字節(jié)和離散區(qū)的448字節(jié)。

首先,對存儲速度進行分析。在對NAND FLASH進行操作時,其操作一般可以分為兩個部分,即片內(nèi)緩沖區(qū)數(shù)據(jù)訪問部分,以及頁面編程部分。緩沖區(qū)數(shù)據(jù)訪問需要的時間為:8640字節(jié) /400MT/s=2106。在對數(shù)據(jù)進行讀取操作時,以35為最大處理時間,采用乒乓切換的方式進行外部緩沖,則64片系統(tǒng)的數(shù)據(jù)讀取速度為8640字節(jié)/35 x64=15GB。而在進行數(shù)據(jù)的寫操作時,同樣以35為最大讀取時間,使用乒乓切換的方式進行外部緩沖,因而在對數(shù)據(jù)進行讀取操作時,最大處理時間為 350,則64片系統(tǒng)的數(shù)據(jù)讀速度為8640字節(jié)/350x64=1.5GB。

其次是容量分析。單片容量為2048GB,假設(shè)平均最大壞塊數(shù)為640塊,每塊的容量為1024字節(jié),則無效容量為42GB。存儲器系統(tǒng)設(shè)計容量約為2000GB,若以1.5GB的速度對數(shù)據(jù)進行操作,則可以得出,系統(tǒng)的最大可存儲時間為22min。

4 小結(jié)

綜上所述,本文從NAND FLASH出發(fā),對嵌入式高速固態(tài)存儲器進行了系統(tǒng)的設(shè)計和實現(xiàn),并對其數(shù)據(jù)存儲速度和容量進行了分析計算,為相應(yīng)的設(shè)計提供了參考依據(jù)。而隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展,數(shù)據(jù)存儲技術(shù)也會不斷進步,存儲器的性能也會不斷得到提高,需要相關(guān)技術(shù)人員的努力,推動數(shù)據(jù)存儲技術(shù)的發(fā)展。
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