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美光(Micron)已開始量產(chǎn)商用3D NAND Flash產(chǎn)品，其中Crucial 750 GB SATA 2.5英寸固態(tài)硬碟(SSD)是首批產(chǎn)品之一，最大特點(diǎn)為連續(xù)讀取/寫入速度分別可達(dá)每秒530 MB與510 MB，功耗則只有一般傳統(tǒng)硬碟(HDD)的10%，使用壽命也更長。
據(jù)報(bào)導(dǎo)，三星電子(Samsung Electronics)于2014年推出32層V-NAND，并在2016年開始量產(chǎn)第三代V-NAND產(chǎn)品，其48層結(jié)構(gòu)以及20納米的半位元線間距是三星的最大優(yōu)勢。
美光則選擇創(chuàng)新作法，透過將主動電路(active circuitry)置于存儲器陣列下方的設(shè)計(jì)，成功縮小晶片面積，提升儲存密度。加上美光采用尺寸較大的晶圓制程節(jié)點(diǎn)(40納米半位元線間距)，成本方面應(yīng)比三星V-NAND產(chǎn)品更具競爭力。
Crucial 750 GB SSD內(nèi)含8個美光32層3D NAND模塊，數(shù)量是三星T3 2 TB SSD中48層V-NAND模塊數(shù)量的2倍。不過三星已能夠在每個NAND封裝模塊內(nèi)塞入16塊面積為99.8平方公厘的芯片，每塊芯片的儲存容量為32GB，換算每平方公厘的密度為320MB。而美光則是在單一封裝模塊中塞入2塊面積165平方公厘的芯片，同單位的儲存密度只有284MB低于三星。
據(jù)Techinsights結(jié)構(gòu)分析中的圖片顯示，美光3D NAND晶片的垂直NAND串由38個閘極層構(gòu)成，其中32個為NAND存儲單元，其余6個則可能作為虛設(shè)及選擇閘極。NAND陣列位于2或3層金屬互連與電晶體之上。
顯然三星與美光都決定將賭注放在3D NAND身上，現(xiàn)在就等著看SK海力士(SK Hynix)以及東芝(Toshiba)這兩大競爭對手，能否開發(fā)出更具競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品了。
來源：Digitimes 整理：PCB聯(lián)盟網(wǎng)（www.souzf.cn）
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