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1、 定義 TF 卡： TransFLash ， TF 卡可經(jīng) SD 卡轉(zhuǎn)換器后，當(dāng) SD 卡使用。 TF 卡產(chǎn)品- G! [- f% Y, `6 ~7 E1 {
采用 SD 架構(gòu)設(shè)計(jì)而成， SD 協(xié)會(huì)于2004年年底正式將其更名為 Micro SD ， 已成為 SD 產(chǎn)品中的一員 。* I- c! t3 }# u! |2 Q7 ^0 W
SD 卡： Secure Digital Memory Card 是一種基于半導(dǎo)體快閃記憶器的新一# Z) e$ m" n; X2 C+ s! Z5 w/ f7 V
代記憶設(shè)備。 ' H+ W6 @* Q4 o
& u3 T E# e( N& W; g) D8 i- Y8 G( ~CLK:時(shí)鐘信號(hào)。
}7 e& e- O* OCMD:雙向命令和響應(yīng)信號(hào)。2 f9 d& W3 l% Y. ?1 Y% j G
DAT0-3:雙向數(shù)據(jù)信號(hào)。
* X# U7 P6 [; i0 c/ P0 f$ ~VDD、 VSS:電源和地信號(hào)。' B" A- n. g1 |+ j9 n" |: s5 G
CD：卡檢測(cè)。
4 n- q+ o3 K5 F# O S1 E; M5 L/ ~4 \ O2 n: U! P! m
2、阻抗控制要求
2 e0 O- P- A: ]. J1 B7 ?單端阻抗控制在50歐姆。1 \4 }1 ?/ S& b+ @0 b, f3 R# h8 X2 O
3、 走線要求& x: c+ D6 @. d" O9 s
所有的信號(hào)線盡量走在同一層,參考GND平面，盡量避免夸分割的情況出現(xiàn)，3 S, p. L5 Z: `8 w! _! I
特別是時(shí)鐘線。數(shù)據(jù)線控制線參照時(shí)鐘線盡量等長，誤差可以放寬點(diǎn)。做到+/-300mil即可。時(shí)鐘線在空間足夠的情況下，采取包地處理。如果做不到，盡量拉開時(shí)鐘線與其他信號(hào)線之間的距離。 大于 3W。在打孔換層的地方增加回流地過孔，縮短回流路徑。電源和地走線加寬，請(qǐng)注意載流充足。注意上拉排阻和 SD 卡焊盤之間的間距，不能太近，預(yù)防連錫。（ 1.5mm 適宜）+ I2 @9 b" s( P
: Z& a% G. j( ~8 c1 @5 a
! s. P+ {9 ^( M更多精彩PCB知識(shí)不斷更新中，敬請(qǐng)關(guān)注... QQ群：547971984( L2 P6 t; d8 t# B4 `8 e2 J9 l$ J
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