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作者：一博科技
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前面高速先生團(tuán)隊(duì)已經(jīng)講解過眾多的DDR3理論和仿真知識，下面就開始談?wù)勎覀僉ATOUT攻城獅對DDR3設(shè)計(jì)那些事情了，那么布局自然是首當(dāng)其沖了。/ D# J* v O4 p9 g7 i; q
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對于DDR3的布局我們首先需要確認(rèn)芯片是否支持FLY-BY走線拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，來確定我們是使用T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)還是FLY-BY拓?fù)浣Y(jié)構(gòu).。
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常規(guī)我們DDR3的布局滿足以下基本設(shè)計(jì)要求即可： ) C% v' x0 E6 m$ q: z P: e4 x
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1.考慮BGA可維修性：BGA周邊器件5MM禁布，最小3MM。
) D+ A& s: Q5 ?- |0 q2.DFM 可靠性：按照相關(guān)的工藝要求，布局時(shí)器件與器件間滿足DFM的間距要求；且考慮元件擺放的美觀性。5 g$ N5 j' |. V& Q8 }% C
3.絕對等長是否滿足要求，相對長度是否容易實(shí)現(xiàn)：布局時(shí)需要確認(rèn)長度限制，及時(shí)序要求，留有足夠的繞等長空間。, P8 o/ O7 o* Z7 C8 g6 W0 {) D9 F# ^. M
4.濾波電容、上拉電阻的位置等：濾波電容靠近各個(gè)PIN放置，儲能電容均勻放置在芯片周邊（在電源平面路徑上）；上拉電阻按要求放置(布線長度小于500mil）。
& x' \ y9 d" p% Z) |注意：如有提供DEMO板或是芯片手冊，請按照DEMO板或是芯片手冊的要求來做。7 ]7 P) r% c- w1 H4 M5 a: N
# [ f$ {, a7 C- f3 z ?0 m+ q1.濾波電容的布局要求 % K9 z; v' Z! q# N+ N6 E
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電源設(shè)計(jì)是pcb設(shè)計(jì)的核心部分，電源是否穩(wěn)定，紋波是否達(dá)到要求，都關(guān)系到CPU系統(tǒng)是否能正常工作。濾波電容的布局是電源的重要部分，遵循以下原則：
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z" v% R- ^9 {& a' \3 X2 WCPU端和DDR3顆粒端，每個(gè)引腳對應(yīng)一個(gè)濾波電容，濾波電容盡可能靠近引腳放置。
- P) Q0 N, R$ j% C/ a" W線短而粗，回路盡量短；CPU和顆粒周邊均勻擺放一些儲能電容，DDR3顆粒每片至少有一個(gè)儲能電容。 ) P: Y, v9 O( j$ H
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+ D( I5 C! H; m. v$ w$ h3 H 圖1：VDD電容的布局（DDR顆粒單面放）
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如圖2所示：VDD電容的布局（DDR顆粒正反貼） 8 D3 r4 Y6 N1 W" k+ t
DDR 正反貼的情況，電容離BGA 1MM，就近打孔；如可以跟PIN就近連接就連接在一起。
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2.VREF電路布局 + u+ ^5 S) U% ]
在DDR3中，VREF分成兩部分： ) w4 |- T& p: K* H! ~
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一個(gè)是為命令與地址信號服務(wù)的VREFCA；另一個(gè)是為數(shù)據(jù)總線服務(wù)的VREFDQ。
- Q5 v1 u" E( l在布局時(shí)，VREFCA、VREFDQ的濾波電容及分壓電阻要分別靠近芯片的電源引腳，如圖3所示。
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! ~ w& k9 ?3 t% A% B7 i圖3：VREF電路布局 6 y# c2 j }% I. {- V' T
& q4 B) ~# `* o9 R# J& s7 k0 L3.匹配電阻的布局
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為了提高信號質(zhì)量，地址、控制信號一般要求在源端或終端增加匹配電阻；數(shù)據(jù)可以通過調(diào)節(jié)ODT 來實(shí)現(xiàn)，所以一般建議不用加電阻。; r' \) a: t$ u! o$ l0 k
0 B4 |1 y/ A. i8 [: U! L4 K) l布局時(shí)要注意電阻的擺放，到電阻端的走線長度對信號質(zhì)量有影響。
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. z( U- b; _% {' b布局原則如下：; i- d7 W3 H4 ~7 G
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對于源端匹配電阻靠近CPU（驅(qū)動）放，而對于并聯(lián)端接則靠近負(fù)載端（FLy-BY靠近最后一個(gè)DDR3顆粒的位置放置而T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是靠近最大T點(diǎn)放置）& ?. @) l2 ?4 x4 A
6 O) d% ~9 t4 Z5 w下圖是源端匹配電阻布局示意圖；
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! ~! E% a3 H% F) n+ _' p2 i1 F# i+ F圖4：源端匹配電阻
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! M# d0 v: p5 K7 U" ?圖4：并聯(lián)端接
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而對于終端VTT上拉電阻要放置在相應(yīng)網(wǎng)絡(luò)的末端，即靠近最后一個(gè)DDR3顆粒的位置放置（T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是靠近最大T點(diǎn)放置）；注意VTT上拉電阻到DDR3顆粒的走線越短越好；走線長度小于500mil；每個(gè)VTT上拉電阻對應(yīng)放置一個(gè)VTT的濾波電容（最多兩個(gè)電阻共用一個(gè)電容）；VTT電源一般直接在元件面同層鋪銅來完成連接，所以放置濾波電容時(shí)需要兼顧兩方面，一方面要保證有一定的電源通道，另一方面濾波電容不能離上拉電阻太遠(yuǎn)，以免影響濾波效果。
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( p6 V5 c5 G, {6 B {: ?圖5：VTT濾波電容
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DDR3的布局基本沒有什么難點(diǎn)，只是要注意諸多細(xì)節(jié)之處，相信大家都已經(jīng)學(xué)會。
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