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AMEYA360:ROHM開發(fā)出可更大程度激發(fā)GaN器件性能的超高速柵極驅(qū)動器IC

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發(fā)表于 2023-10-19 15:51:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出一款超高速驅(qū)動GaN器件的柵極驅(qū)動器IC“BD2311NVX-LB”。
  近年來,在服務器系統(tǒng)等領(lǐng)域,由于 IoT 設備的需求日益增長,電源部分的功率轉(zhuǎn)換效率提升和設備的小型化已經(jīng)成為重要的社會課題,而這就要求功率元器件的不斷優(yōu)化。另外,不僅在自動駕駛領(lǐng)域,在工業(yè)設備和社會基礎(chǔ)設施監(jiān)控等領(lǐng)域應用也非常廣泛的 LiDAR*1,也需要通過高速脈沖激光照射來進一步提高識別精度。
  在這類應用中,必須使用高速開關(guān)器件,因此,ROHM 在推出支持高速開關(guān)的 GaN 器件的同時,還開發(fā)出可更大程度地激發(fā)出 GaN 器件性能的超高速驅(qū)動柵極驅(qū)動器 IC。不僅如此,ROHM 還會不定期推出更小型的 WLCSP* 2產(chǎn)品,助力應用產(chǎn)品的小型化。
  新產(chǎn)品實現(xiàn)了納秒(ns)量級的柵極驅(qū)動速度,從而使GaN器件可實現(xiàn)高速開關(guān)。之所以能實現(xiàn)該特性,離不開ROHM對GaN器件的深入研究以及對柵極驅(qū)動器IC性能的追求。通過最小柵極輸入脈寬為1.25納秒的高速開關(guān),助力應用產(chǎn)品實現(xiàn)小型化、進一步節(jié)能和更高性能。
  另外,新產(chǎn)品通過采用ROHM自有的驅(qū)動方式、搭載柵極輸入波形過沖* 3(一直以來的難題)抑制功能,可以防止因過電壓輸入而導致的GaN器件故障;通過集成ROHM的EcoGaN™,還可以簡化配套產(chǎn)品的設計,有助于提高應用產(chǎn)品的可靠性。不僅如此,針對多樣化的應用需求,還可以通過調(diào)整柵極電阻,來選擇理想的GaN器件。
  ROHM擁有有助于節(jié)能和小型化的GaN器件產(chǎn)品陣容——“EcoGaN™”系列產(chǎn)品,未來,ROHM將通過提供與更大程度地激發(fā)出這些GaN器件性能的柵極驅(qū)動器IC相結(jié)合的電源解決方案,為實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展社會貢獻力量。
  GaN器件有望成為一種在高頻范圍的性能表現(xiàn)優(yōu)于硅器件的產(chǎn)品。在功率開關(guān)應用中,特別是在DC-DC和AC-DC轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域,GaN器件的高頻特性可提高功率密度,因而有助于實現(xiàn)更小型、更節(jié)能的電路。
  而要想更大程度地發(fā)揮出GaN器件的性能,不僅需要考慮GaN HEMT*4的低驅(qū)動電壓,可實現(xiàn)高速開關(guān)的柵極驅(qū)動器IC也是必不可缺的。ROHM致力于通過先進的驅(qū)動器驅(qū)動技術(shù)來更大程度地提高GaN器件的性能,這引起了我們的關(guān)注。我與劉宇晨教授(國立臺北科技大學)和夏勤教授(長庚大學)合作,對ROHM的柵極驅(qū)動器IC“BD2311NVX”進行了測試。(文章來源:http://www.ameya360.com/hangye/110383.html)
  測試結(jié)果證實,與其他驅(qū)動器IC相比,BD2311NVX在降壓和升壓轉(zhuǎn)換器1MHz開關(guān)頻率下的上升時間更短,開關(guān)噪聲更小。
  縮短驅(qū)動器IC的這種上升時間有助于更大程度地發(fā)揮出GaN在降低開關(guān)損耗方面的優(yōu)勢。另外,我們對于在電源和驅(qū)動器等的模擬技術(shù)方面優(yōu)勢顯著的ROHM GaN解決方案也抱有非常高的期望。
  <在LiDAR中的應用示意圖>
  <產(chǎn)品陣容>
  <應用示例>
  &#12539;LiDAR(工業(yè)設備、基礎(chǔ)設施監(jiān)控應用等)驅(qū)動電路
  &#12539;數(shù)據(jù)中心、基站等的48V輸入降壓轉(zhuǎn)換器電路
  &#12539;便攜式設備的無線供電電路
  &#12539;D類音頻放大器等
  <參考設計信息>
  ROHM官網(wǎng)上提供配備新產(chǎn)品、ROHM 150V GaN“EcoGaN&#8482;”和高輸出功率激光二極管的LiDAR用參考設計。通過參考設計,有助于減少應用產(chǎn)品的開發(fā)工時。
  參考設計產(chǎn)品型號:REFLD002-1(矩形波型電路)
  REFLD002-2(諧振型電路)
  <什么是 EcoGaN&#8482;>
  EcoGaN&#8482;是通過更大程度地發(fā)揮 GaN 的性能,助力應用產(chǎn)品進一步節(jié)能和小型化的 ROHM GaN 器件,該系列產(chǎn)品有助于應用產(chǎn)品進一步降低功耗、實現(xiàn)外圍元器件的小型化、減少設計工時和元器件數(shù)量等。
  <辛裕明 教授 簡介>
  1965年出生于臺灣臺南。國立中央大學理學學士、國立交通大學碩士、加利福尼亞大學圣地亞哥分校電氣工程博士。現(xiàn)任臺灣國立中央大學(NCU)電氣工程專業(yè)的教授,以及Applied Physics Express(APEX)和Japanese Journal of Applied Physics(JJAP)的海外編輯。研究對象是基于異質(zhì)結(jié)和寬帶隙半導體的元器件和電路開發(fā)。
  ·個人簡歷
  1997年 加入位于新澤西州沃倫縣的Anadigics公司(現(xiàn)為Coherent Corp.)。開發(fā)無線
  和光纖通信用的GaAs MESFET和pHEMT。
  1998年 進入國立中央大學電氣工程系任教。
  2004年~2005年 伊利諾伊大學厄巴納-香檳分校訪問研究員。
  2016年~2017年 加利福尼亞大學洛杉磯分校(UCLA)客座教授。
  2019年~2022年 國立中央大學(NCU)光學研究中心主任。
  <術(shù)語解說>
  *1)LiDAR
  LiDAR是Light Detection And Ranging(激光探測與測距)的縮寫,是使用近紅外光、可見光或紫外光照射
  對象物,并通過光學傳感器捕獲其反射光來測量距離的一種遙感(使用傳感器從遠處進行感測)方式。
  *2)WLCSP(Wafer Level Chip Scale Package)
  一種在整片晶圓上形成引腳并進行布線等,然后再切割得到單個成品芯片的超小型封裝形式。與將晶圓切
  割成單片后通過樹脂模塑形成引腳等的普通封裝形式不同,這種封裝可以做到與內(nèi)部的半導體芯片相同大
  小,因此可以縮減封裝的尺寸。
  *3)過沖
  開關(guān)ON/OFF時瞬間產(chǎn)生超出規(guī)定值電壓的現(xiàn)象。
  *4) GaN HEMT
  GaN(氮化鎵)是一種用于新一代功率元器件的化合物半導體材料。與普通的半導體材料——Si(硅)相比,具有更優(yōu)異的物理性能,目前,因其具有出色的高頻特性,越來越多的應用開始采用這種材料。
  HEMT是High Electron Mobility Transistor(高電子遷移率晶體管)的英文首字母縮寫。

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