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現(xiàn)代半導體先進封裝技術

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發(fā)表于 2024-11-21 08:01:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
先進封裝簡介
7 g& V' S; ^2 f0 l( v- |7 Y先進封裝技術已成為半導體行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的主要推動力之一,為突破傳統(tǒng)摩爾定律限制提供了新的技術手段。本文探討先進封裝的核心概念、技術和發(fā)展趨勢[1]。/ {- Z% S4 h' K! c- x
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圖1展示了硅通孔(TSV)技術的示意圖和實物照片,顯示了垂直互聯(lián)結構。$ I) u. x0 h; n. I

7 e8 _( |7 E9 fXY平面和Z軸延伸的關鍵技術
" x" W7 L. [6 G現(xiàn)代先進封裝可分為兩種主要方式:XY平面延伸Z軸延伸。XY平面延伸主要利用重布線層(RDL)技術進行信號布線,而Z軸延伸則采用硅通孔(TSV)技術實現(xiàn)垂直連接。; a9 o) c1 Q  }; X$ d* L' r% Y# j- z
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圖2展示了扇入和扇出重布線的示意圖,說明了重新分布芯片連接的不同方法。
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扇出技術及演進
% N( j3 F5 ^2 E( C. P, n, a扇出晶圓級封裝(FOWLP)是先進封裝的重要發(fā)展之一。該技術將重布線層擴展到芯片區(qū)域之外,在保持緊湊外形的同時增加輸入/輸出連接數(shù)量。該技術已發(fā)展出集成扇出(InFO)面板級扇出封裝(FOPLP)等變體。
) `' c0 F6 e* `9 T9 Z- E* {. z* } : @" C! O: `, ]# y8 X
圖3對比了FIWLP、FOWLP和InFO技術,展示其結構差異和演進過程。
* d3 {# _+ }% Q% ]
* Q  v- l) t7 D) }" KTSV集成與實現(xiàn)' T, Z7 s& E* e8 t+ J& F
TSV技術實現(xiàn)了先進封裝中的真正3D集成。TSV可以采用3D或2.5D配置實現(xiàn),每種方法都具有不同應用場景的優(yōu)勢。
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& ]9 [& n9 I6 v$ C9 \圖4展示了3D TSV和2.5D TSV的示意圖,說明這兩種方法的根本區(qū)別。
6 v$ s; I$ ?9 T3 }1 ~- ~( X6 A( D/ |# Z/ z' B
行業(yè)領導者及解決方案% C6 |) b. ^: ?$ \
主要半導體公司都開發(fā)了自己的先進封裝技術。臺積電的晶圓級芯片堆疊(CoWoS)技術在高性能計算應用中得到廣泛應用。
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圖5顯示了CoWoS結構示意圖,展示了芯片在硅中介層和基板上的集成方式。( [" }  u% b# f5 n
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先進內(nèi)存集成- u7 o  [4 w5 K; u  z
高帶寬內(nèi)存(HBM)是先進封裝領域的重要突破,特別適用于圖形處理和高性能計算應用。HBM將3D堆疊與高速接口相結合,實現(xiàn)了極高的內(nèi)存帶寬。
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圖6展示了HBM技術示意圖和實物剖面,顯示了堆疊內(nèi)存結構和互連方式。2 K5 v' B) Z: L* \' d
4 q5 O- @6 q) ^
英特爾的先進封裝方案! U: T# T$ `, W+ o# \7 ]; W
英特爾推出了嵌入式多芯片互連橋接(EMIB)Foveros等創(chuàng)新技術。這些方法提供了實現(xiàn)高密度集成的不同途徑。
* u3 N& P& A& b. ]0 G0 e
) Z4 {; q7 M: {: `7 U圖7對比了EMIB、Foveros和CO-EMIB的技術示意圖和產(chǎn)品剖面,展示了英特爾各種先進封裝解決方案。
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" X5 I9 x% B  y/ d4 _先進封裝的基本要素
: y! w3 \! e7 X" I先進封裝的基礎建立在四個關鍵要素之上:RDL、TSV、凸點和晶圓。這些要素共同支持各種集成方法和技術。
  M. m- ~: t- ^; B7 v8 D, l
- q0 F; z& ]! d圖8展示了先進封裝的四個要素:RDL、TSV、凸點和晶圓,說明各要素間的相互關系。
4 k# d/ m* [9 q- H$ t2 O) j
" l$ `8 q+ r8 O- \6 e技術趨勢與演進' C& L8 N6 v: ]% r$ z5 E
隨著技術進步,這些要素出現(xiàn)了新的發(fā)展趨勢,特別是凸點技術逐漸向更細間距發(fā)展,在硅對硅接口中可能最終被淘汰。! e1 u  C2 D9 w. O; i

7 _. N4 C+ I, R1 }8 t圖9顯示了凸點技術的發(fā)展趨勢,描述了向更細間距演進并最終在硅接口中消失的過程。
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, ?: w7 P1 W! ~; ?4 a& q" f先進封裝與SiP的關系! `+ x/ M0 b; e! x6 f& V; `4 A
先進封裝與系統(tǒng)級封裝(SiP)的關系復雜,既有重疊又有區(qū)別。雖然所有先進封裝解決方案都旨在提高系統(tǒng)密度和性能,但采用的方法和技術可能不同。  u: e* n4 u* h2 J3 X0 q, {6 P
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圖10描述了HDAP和SiP的關系,展示重疊區(qū)域和獨特特征。1 x# i0 c: Q# {

5 U4 d/ O2 q- S0 U未來展望與行業(yè)影響
* D/ I# l$ i7 i+ @8 N先進封裝技術持續(xù)發(fā)展,新技術不斷涌現(xiàn),以滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品日益增長的需求。從移動設備到高性能計算,先進封裝在推動下一代電子系統(tǒng)發(fā)展中發(fā)揮重要作用。
; s8 X2 ]( Q3 Y# P) h+ \. M3 q) s+ K6 W. G4 t- f% y, t
近年來,行業(yè)出現(xiàn)了許多重要創(chuàng)新,如臺積電的SoIC和三星的X-Cube等技術,推動了先進封裝技術的發(fā)展。這些進展表明,先進封裝將繼續(xù)推動半導體創(chuàng)新,提供提升系統(tǒng)性能、降低功耗的新方法。
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8 a* g6 _( @6 y. b先進封裝代表了半導體技術從傳統(tǒng)的"重外部"封裝轉向"重內(nèi)部"集成。轉變促進了芯片設計團隊和封裝團隊的緊密合作,為現(xiàn)代電子系統(tǒng)提供了更優(yōu)化、更高效的解決方案。
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' l5 |4 w7 H+ v+ O& B* }/ s. ?' V參考文獻- M' u. A" s1 G' z1 g4 L
[1] S. Li, "SiP and Advanced Packaging Technology," in MicroSystem Based on SiP Technology. Beijing, China: Publishing House of Electronics Industry, 2022, ch. 5, pp. 117-154.
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