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& y+ R, N. c7 \: M' r1、晶體請采用π型濾波方式. u+ n' a% t2 S0 s, p
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6 k6 u1 Y5 d8 U' i5 g) t/ i# z. G布局要求: 1、布局整體緊湊,一般放置在主控的同一側,靠近主控IC。 2、布局是盡量使電容分支要短(目的:減小寄生電容,) 3、晶振電路一般采用π型濾波形式,放置在晶振的前面。
G- {( q S+ i# a布線要求: 1)走線采取類差分走線; 2)晶體走線需加粗處理:8-12mil,晶振按照普通單端阻抗線走線即可; 3)對信號采取包地處理,每隔50mil放置一個屏蔽地過孔。 4)晶體晶振本體下方所有層原則上不準許走線,特別是關鍵信號線。(晶體晶振為干擾源)。 5)不準許出現(xiàn)stub線頭,防止天線效應,出現(xiàn)額外的干擾。 8、繼電器為干擾源,請對本體下面的所有層都進行挖空處理,并且走線進行加粗處理。
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