光子集成相控陣的低旁瓣

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光子集成相控陣是各種應用中的重要組件，包括光通信、傳感和成像系統(tǒng)。影響這些陣列性能的關鍵因素之一是旁瓣電平。高旁瓣會導致發(fā)射光相控陣中的干擾、功率浪費和系統(tǒng)效率降低，同時也會對接收光相控陣造成干擾。本文將探討設計低旁瓣光相控陣的方法，重點關注均勻和非均勻陣列配置[1]。
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% e1 G' ]- X& o理解光相控陣
# l0 |8 s' l4 m0 m& V+ a- v在深入探討低旁瓣設計技術之前，了解光相控陣的基礎知識很有必要。具有N個天線的一維光相控陣的遠場輻射模式由以下公式給出：2 p. ]) c) F' Z! c  C
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2 F( }7 h' U( ]8 Y3 h+ f% @1 NE(θ) = ∑[n=1 to N] An e^(j(2π/λ)xn(sin θ - sin θs))
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