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ai方向需要學(xué)嵌入式嘛_嵌入式系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器有什么特點(diǎn)

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發(fā)表于 2020-7-23 12:12:49 | 只看該作者 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
ai方向需要學(xué)嵌入式嘛_嵌入式系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器有什么特點(diǎn),   

(1)SRAM的特點(diǎn):

SRAM表示靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,只要供電它就會(huì)保持一個(gè)值,它沒(méi)有刷新周期,由觸發(fā)器構(gòu)成基本單元,集成度低,每個(gè)SRAM存儲(chǔ)單元由6個(gè)晶體管組成,因此其成本較高。它具有較高速率,常用于高速緩沖存儲(chǔ)器。

通常SRAM有4種引腳:

CE:片選信號(hào),低電平有效。

R/W:讀寫(xiě)控制信號(hào)。

ADDRESS:一組地址線。

DATA:用于數(shù)據(jù)傳輸?shù)囊唤M雙向信號(hào)線。

  

(2)DRAM的特點(diǎn):

DRAM表示動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這是一種以電荷形式進(jìn)行存儲(chǔ)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。它的每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組成,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在電容器中。電容器會(huì)由于漏電而導(dǎo)致電荷丟失,因而DRAM器件是不穩(wěn)定的。它必須有規(guī)律地進(jìn)行刷新,從而將數(shù)據(jù)保存在存儲(chǔ)器中。

DRAM的接口比較復(fù)雜,通常有一下引腳:

CE:片選信號(hào),低電平有效。

R/W:讀寫(xiě)控制信號(hào)。

RAS:行地址選通信號(hào),通常接地址的高位部分。

CAS:列地址選通信號(hào),通常接地址的低位部分。

ADDRESS:一組地址線。

DATA:用于數(shù)據(jù)傳輸?shù)囊唤M雙向信號(hào)線。

(3)SDRAM的特點(diǎn):

SDRAM表示同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。同步是指內(nèi)存工作需要同步時(shí)鐘,內(nèi)部的命令發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn);動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)器陣列需要不斷的刷新來(lái)保證數(shù)據(jù)不丟失。它通常只能工作在133MHz的主頻。

(4)DDRAM的特點(diǎn)

DDRAM表示雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,也稱DDR。DDRAM是基于SDRAM技術(shù)的,SDRAM在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù),它是在時(shí)鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸;而DDR內(nèi)存則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù),它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)。在133MHz的主頻下,DDR內(nèi)存帶寬可以達(dá)到133×64b/8×2=2.1GB/s。

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