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常用存儲(chǔ)器SDRAM的pcb設(shè)計(jì)
存儲(chǔ)器的概念
用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和指令等的記憶部件
在集成電路中,一個(gè)沒(méi)有實(shí)物形式的具有存儲(chǔ)功能的電路也叫存儲(chǔ)器,如RAM、FIFO等
在系統(tǒng)中,具有實(shí)物形式的存儲(chǔ)設(shè)備也叫存儲(chǔ)器,如內(nèi)存條、TF卡等
常見(jiàn)存儲(chǔ)器
FLASH
SDRAM
DDR2 DDR3 DDR4
SDRAM管腳定義
概述
SDR:Single Data Rate,單倍速率
DDR:Double Data Rate,雙倍速率
QDR:Quad Data Rate, 四倍速率
DRAM:Dynamic Random Access Memory, 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器, 每隔一段時(shí)間就要刷新一次數(shù)據(jù)才能夠保存數(shù)據(jù)
SRAM:Static Random Access Memory, 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器, 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,不需要刷新電路,數(shù)據(jù)不會(huì)丟失
SDRAM: Synchronous Dynamic Random Access Memory, 同步狀態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)需要時(shí)鐘來(lái)同步
管腳分類
數(shù)據(jù)信號(hào)
DQ0-DQ15:數(shù)據(jù)(輸出)
DQM:數(shù)據(jù)掩碼
時(shí)鐘信號(hào)
CLKL:時(shí)鐘
CKE:時(shí)鐘使能
地址信號(hào)
A0-A11:地址
控制信號(hào)
CS#:片選
WE#:讀寫(xiě)
RAS#:列選
Array
CAS#:行選
BA0,BA1:Bank選擇
電源
VDDQ:DQ電源
VSSQ:DQ地
VDD:電源
VSS:地
布局
1片SDRAM
點(diǎn)對(duì)點(diǎn)對(duì)稱布局
SDRAM靠近BGA放置
中間無(wú)排阻
600-800mil
中間有排阻
800-1000mil
濾波電容靠近IC管腳放置
2片SDRAM
2片SDRAM相對(duì)與CPU對(duì)稱式放置
中間無(wú)排阻
600-800mil
中間有排阻
800-1000mil
空間足夠時(shí),SDRAM與CPU放在同一面
空間不足時(shí),2片SDRA,頂?shù)讓?duì)貼
濾波電容靠近IC管腳放置
布線
特性阻抗
50 Ω
數(shù)據(jù)線盡量走在同一層
D0-D7,LDQM
D8-D15,HDQM
信號(hào)線的間距滿足3W原則,數(shù)據(jù)線、時(shí)鐘線、地址線、控制線之間的距離保持20mil以上,或至少3W
空間允許的情況下,應(yīng)該在他們走線之間加一根GND線進(jìn)行隔離。GND線寬度推薦15-30mil
拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
菊花鏈
T型結(jié)構(gòu)
等長(zhǎng)
數(shù)據(jù)分組
低八位數(shù)據(jù)組
sdram_data_bus:D0-D7,LDQM
高八位數(shù)據(jù)組
sdram_data_bus:D8-D15,HDQM
地址線、控制線、時(shí)鐘線
sdram_addr_bus
等長(zhǎng)規(guī)則
低八位數(shù)據(jù)組等長(zhǎng)
誤差范圍:+/-50mil
高八位數(shù)據(jù)組等長(zhǎng)
誤差范圍:+/-50mil
地址線、控制線、時(shí)鐘線一起等長(zhǎng)
誤差范圍:+/-100mil
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SDRAMX1_JACK.brd
2021-7-18 15:12 上傳
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