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[作業(yè)已審核] 牛林雪-第5次作業(yè)-1片SDRAM-AD

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發(fā)表于 2021-7-16 14:23:14 | 只看該作者 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
布局原則:點(diǎn)對(duì)點(diǎn)對(duì)稱式布局。SDRAM和BGA bank中心間距,中間無(wú)排阻600-800mil ,有排阻800-1000mil
                濾波電容靠近芯片管腳放置
布線要求: 1、單端阻抗50Ω
                 2、數(shù)據(jù)線分高8位和低8位,沒9根走一層(D0-D7 LDQM;D8-D16 HDQM)
                 3、線與線滿足3W原則
                 4、數(shù)據(jù)線和地址線、時(shí)鐘線、控制線間距保持20mil以上。或者至少滿足3W原則
                 5、空間允許情況下,數(shù)據(jù)線和其他線之間加一根地線,地線寬度15-30mil
                 6、高8位數(shù)據(jù)線 低8位數(shù)據(jù)線分別等長(zhǎng),等長(zhǎng)誤差是+-50mil;地址線,控制線,時(shí)鐘線等長(zhǎng),等長(zhǎng)誤差+-100mil

1片SDRAM模塊--nancy.PcbDoc

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發(fā)表于 2021-7-19 09:55:26 | 只看該作者
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AD 全能七期SDRAM評(píng)審報(bào)告.docx

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