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[作業(yè)已審核] 梁永宇-第五次作業(yè)-SDRAM-1

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發(fā)表于 2021-7-18 14:10:29 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
、SDRAM定義:同步狀態(tài)隨機(jī)存儲器,數(shù)據(jù)的讀寫需要時鐘同步;
二、管腳定義:
      A:電源、地【VDD、VDDQ、VSS、VSSQ】       B:數(shù)據(jù)、地址【DQ0-DQ15、DQM、A0-A11】  
      C、控制【CLK、CKE、CS#、WE#、RAS#、CAS#、BA0、BA1】
三、布局:
    一片SDRAM:
    1、點(diǎn)對點(diǎn)對對稱式布局;
    2、SDRAM靠近BGA放置,間距(SDRAM到BGA  Bank中心):無排阻600mil-800mil;有排阻800mil-1000mil;
    3、濾波電容靠近IC管腳放置;
  兩片SDRAM:
    1、2片SDRAM 相對CPU對稱式布局;
    2、根據(jù)PCB板卡空間對SDRAM布局,空間足夠:與CPU放置同一面;空間不足時:SDRAM頂?shù)讓N;
    3、濾波電容靠近IC管腳放置;
    4、SDRAM與CPU之間的間距(到Bank中心):無排阻600mil-800mil;有排阻800mil-1000mil;
四、等長規(guī)則
   1、低八位數(shù)據(jù)組等長 誤差范圍+/-50mil
   2、高八位數(shù)據(jù)組等長 誤差范圍+/-50mil
   3、地址線,控制線,時鐘線一起等長 誤差范圍+/-100mil



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發(fā)表于 2021-7-18 14:22:04 | 只看該作者
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SDRAM_1.rar

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發(fā)表于 2021-7-19 15:58:53 | 只看該作者
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PADS 全能七期梁永宇SDRAM評審報(bào)告.docx

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