|
本帖最后由 adiva713 于 2021-11-15 13:10 編輯
學(xué)習(xí)總結(jié):
DDR的做T點(diǎn)學(xué)習(xí),DDR總要注意事項(xiàng):1. DDR托撲結(jié)構(gòu),T點(diǎn)結(jié)構(gòu);2. 主控與DDR間距離設(shè)置(600~800mil/800~1000mil); 3. 數(shù)據(jù)線等長誤差正負(fù)25mil,地址線,控制線,時(shí)鐘線等長正負(fù)50mil; class創(chuàng)建,xsignal創(chuàng)建。4. HIDMI 注意事項(xiàng):靜電器件,差分對(duì)設(shè)置,包地。 5.網(wǎng)口注意:差分對(duì)處理,RJ45網(wǎng)口和變壓器之間除差分線以后走線寬15~20mil。 6. USB注意:差分對(duì)處理。 7. VI接口注意:信號(hào)為模擬信號(hào),布局一字型或L型,走線加粗到12~15mil,線間包地處理或拉大線間距,走線不能與其它信號(hào)線靠近。 8. WIFI注意事項(xiàng):天線布局一字型,線寬加粗到12mil,包地處理;阻抗控制50歐又要加粗線寬,可以隔層參考,走線下層需挖空處理等
|
-
-
FY039.PcbDoc
2021-11-15 13:10 上傳
點(diǎn)擊文件名下載附件
下載積分: 聯(lián)盟幣 -5
13.07 MB, 下載次數(shù): 11, 下載積分: 聯(lián)盟幣 -5
|