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RP不宜過小，一般不低于1KΩ 一般IO 端口的驅動能力在2mA～4mA量級。如果RP阻值過小，VDD灌入端口的電流將較大，這導致端口輸出的低電平值增大(I2C協議規(guī)定，端口輸出低電平的最高允許值為0.4V)；如果灌入端口的電流過大，還可能損壞端口。故通常上拉電阻應選取不低于1KΩ的電阻（當VDD＝3V時，灌入電流不超過3mA）。 RP不宜過大，一般不高于10KΩ 由于端口輸出高電平是通過RP實現的，線上電平從低到高變化時，電源通過RP對線上負載電容CL充電，這需要一定的時間，即上升時間。端口信號的上升時間可近似用充電時間常數RPCL乘積表示。 信號線負載電容（對地）由多方面組成，包括器件引腳、PCB信號線、連接器等。如果信號線上掛有多個器件，負載電容也會增大。比如總線規(guī)定，對于的400kbps速率應用，信號上升時間應小于300ns；假設線上CL為20PF，可計算出對應的RP值為15KΩ。 如果RC充電時間常數過大，將使得信號上升沿變化緩慢，達不到數據傳輸的要求。 因此一般應用中選取的都是幾KΩ量級的上拉電阻，比如都選取4K7的電阻。 小阻值的RP電阻增大了端口 Sink電流，故在可能的情況下，RP取值應稍大一點，以減少耗電。另外，通常情況下，SDA,SCL兩條線上的上拉電阻取值是一致的，并上拉到同一電源上。 | 
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