硅振蕩器與晶體振蕩器的主要區(qū)別是什么？

shthdz15 · 發(fā)表于 2017-2-17 13:54:28

晶振和硅振蕩器的最大區(qū)別是材質(zhì)不一樣。晶振使用的是晶體，晶體在溫度和其他一些特性方面非常穩(wěn)定，這是它的突出優(yōu)點(diǎn)。

愛(ài)普生晶振FA-20H

壓電石英晶體已經(jīng)成為標(biāo)準(zhǔn)，一旦在其中通過(guò)一個(gè)小電流，就可以產(chǎn)生設(shè)定頻率的振蕩。該振蕩頻率不受封裝內(nèi)的溫度改變的影響。石英是地球上資源豐富的壓電材料，通過(guò)精密的切割和傾斜，可以讓石英振蕩器得到需要的頻率。愛(ài)普生采用光刻工藝生產(chǎn)了厚度在2毫米下的音叉共鳴器，這個(gè)是傳統(tǒng)的切割和傾斜工藝不能達(dá)到的。這個(gè)工藝用在了愛(ài)普生晶體振蕩器上，從而在規(guī)格上可以與硅MEMS振蕩器競(jìng)爭(zhēng)。

晶振和硅振蕩器的結(jié)構(gòu)相同，都是由諧振器和振蕩電路兩部分組成，只是在諧振不同，振蕩電路是一樣的。目前硅振蕩器想提高精度，勢(shì)必在振蕩電路上需要更復(fù)雜的技術(shù)，如果這項(xiàng)技術(shù)能夠提高它的精度的話，那晶振同樣可以把振蕩電路這一部分拿過(guò)來(lái)，應(yīng)用到晶體方面。晶體原本材質(zhì)就非常優(yōu)秀，現(xiàn)在又加上更加優(yōu)秀的振蕩回路，所以強(qiáng)強(qiáng)合一，晶振可實(shí)現(xiàn)的精度要比硅振蕩器更高。

愛(ài)普生晶振TG2016SBN

相對(duì)于傳統(tǒng)晶體振蕩器，硅振蕩器的最突出優(yōu)點(diǎn)就是價(jià)格優(yōu)勢(shì)，其生產(chǎn)成本低廉，在一些低端領(lǐng)域得到了較廣泛的應(yīng)用。但是愛(ài)普生作為晶體晶振的領(lǐng)軍企業(yè)，并不滿足于此。通過(guò)尖端技術(shù)QMEMS，愛(ài)普生近年來(lái)不斷推出新的產(chǎn)品型號(hào)，不但在產(chǎn)品性能方面、規(guī)格尺寸小型化進(jìn)一步提高，最重要的是通過(guò)技術(shù)進(jìn)步迅速降低了生產(chǎn)制造成本。使EPSON晶振的價(jià)格更加親民，迅速擠壓了硅振蕩器（MEMS）的市場(chǎng)份額。同時(shí)在能耗方面，EPSON晶振也具有特出的優(yōu)勢(shì)。以實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊為例，愛(ài)普生產(chǎn)品的電流消耗為0.75μA,而MEMS產(chǎn)品的電路i消耗是2μA,是EPSON產(chǎn)品的2.5倍。因此MEMS產(chǎn)品大容量電池所需要的成本和客戶的產(chǎn)品要求小型化的結(jié)果是很難結(jié)合在一起的。

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