電子產(chǎn)業(yè)一站式賦能平臺(tái)

PCB聯(lián)盟網(wǎng)

搜索
查看: 580|回復(fù): 1
收起左側(cè)

AMEYA360:ROHM開(kāi)發(fā)出可更大程度激發(fā)GaN器件性能的超高速柵極驅(qū)動(dòng)器IC

[復(fù)制鏈接]

257

主題

511

帖子

3369

積分

四級(jí)會(huì)員

Rank: 4

積分
3369
跳轉(zhuǎn)到指定樓層
樓主
發(fā)表于 2023-10-19 15:51:39 | 只看該作者 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開(kāi)發(fā)出一款超高速驅(qū)動(dòng)GaN器件的柵極驅(qū)動(dòng)器IC“BD2311NVX-LB”。
  近年來(lái),在服務(wù)器系統(tǒng)等領(lǐng)域,由于 IoT 設(shè)備的需求日益增長(zhǎng),電源部分的功率轉(zhuǎn)換效率提升和設(shè)備的小型化已經(jīng)成為重要的社會(huì)課題,而這就要求功率元器件的不斷優(yōu)化。另外,不僅在自動(dòng)駕駛領(lǐng)域,在工業(yè)設(shè)備和社會(huì)基礎(chǔ)設(shè)施監(jiān)控等領(lǐng)域應(yīng)用也非常廣泛的 LiDAR*1,也需要通過(guò)高速脈沖激光照射來(lái)進(jìn)一步提高識(shí)別精度。
  在這類應(yīng)用中,必須使用高速開(kāi)關(guān)器件,因此,ROHM 在推出支持高速開(kāi)關(guān)的 GaN 器件的同時(shí),還開(kāi)發(fā)出可更大程度地激發(fā)出 GaN 器件性能的超高速驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)器 IC。不僅如此,ROHM 還會(huì)不定期推出更小型的 WLCSP* 2產(chǎn)品,助力應(yīng)用產(chǎn)品的小型化。
  新產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了納秒(ns)量級(jí)的柵極驅(qū)動(dòng)速度,從而使GaN器件可實(shí)現(xiàn)高速開(kāi)關(guān)。之所以能實(shí)現(xiàn)該特性,離不開(kāi)ROHM對(duì)GaN器件的深入研究以及對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)器IC性能的追求。通過(guò)最小柵極輸入脈寬為1.25納秒的高速開(kāi)關(guān),助力應(yīng)用產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)小型化、進(jìn)一步節(jié)能和更高性能。
  另外,新產(chǎn)品通過(guò)采用ROHM自有的驅(qū)動(dòng)方式、搭載柵極輸入波形過(guò)沖* 3(一直以來(lái)的難題)抑制功能,可以防止因過(guò)電壓輸入而導(dǎo)致的GaN器件故障;通過(guò)集成ROHM的EcoGaN™,還可以簡(jiǎn)化配套產(chǎn)品的設(shè)計(jì),有助于提高應(yīng)用產(chǎn)品的可靠性。不僅如此,針對(duì)多樣化的應(yīng)用需求,還可以通過(guò)調(diào)整柵極電阻,來(lái)選擇理想的GaN器件。
  ROHM擁有有助于節(jié)能和小型化的GaN器件產(chǎn)品陣容——“EcoGaN™”系列產(chǎn)品,未來(lái),ROHM將通過(guò)提供與更大程度地激發(fā)出這些GaN器件性能的柵極驅(qū)動(dòng)器IC相結(jié)合的電源解決方案,為實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展社會(huì)貢獻(xiàn)力量。
  GaN器件有望成為一種在高頻范圍的性能表現(xiàn)優(yōu)于硅器件的產(chǎn)品。在功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,特別是在DC-DC和AC-DC轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域,GaN器件的高頻特性可提高功率密度,因而有助于實(shí)現(xiàn)更小型、更節(jié)能的電路。
  而要想更大程度地發(fā)揮出GaN器件的性能,不僅需要考慮GaN HEMT*4的低驅(qū)動(dòng)電壓,可實(shí)現(xiàn)高速開(kāi)關(guān)的柵極驅(qū)動(dòng)器IC也是必不可缺的。ROHM致力于通過(guò)先進(jìn)的驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)技術(shù)來(lái)更大程度地提高GaN器件的性能,這引起了我們的關(guān)注。我與劉宇晨教授(國(guó)立臺(tái)北科技大學(xué))和夏勤教授(長(zhǎng)庚大學(xué))合作,對(duì)ROHM的柵極驅(qū)動(dòng)器IC“BD2311NVX”進(jìn)行了測(cè)試。(文章來(lái)源:http://www.ameya360.com/hangye/110383.html)
  測(cè)試結(jié)果證實(shí),與其他驅(qū)動(dòng)器IC相比,BD2311NVX在降壓和升壓轉(zhuǎn)換器1MHz開(kāi)關(guān)頻率下的上升時(shí)間更短,開(kāi)關(guān)噪聲更小。
  縮短驅(qū)動(dòng)器IC的這種上升時(shí)間有助于更大程度地發(fā)揮出GaN在降低開(kāi)關(guān)損耗方面的優(yōu)勢(shì)。另外,我們對(duì)于在電源和驅(qū)動(dòng)器等的模擬技術(shù)方面優(yōu)勢(shì)顯著的ROHM GaN解決方案也抱有非常高的期望。
  <在LiDAR中的應(yīng)用示意圖>
  <產(chǎn)品陣容>
  <應(yīng)用示例>
  &#12539;LiDAR(工業(yè)設(shè)備、基礎(chǔ)設(shè)施監(jiān)控應(yīng)用等)驅(qū)動(dòng)電路
  &#12539;數(shù)據(jù)中心、基站等的48V輸入降壓轉(zhuǎn)換器電路
  &#12539;便攜式設(shè)備的無(wú)線供電電路
  &#12539;D類音頻放大器等
  <參考設(shè)計(jì)信息>
  ROHM官網(wǎng)上提供配備新產(chǎn)品、ROHM 150V GaN“EcoGaN&#8482;”和高輸出功率激光二極管的LiDAR用參考設(shè)計(jì)。通過(guò)參考設(shè)計(jì),有助于減少應(yīng)用產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)工時(shí)。
  參考設(shè)計(jì)產(chǎn)品型號(hào):REFLD002-1(矩形波型電路)
  REFLD002-2(諧振型電路)
  <什么是 EcoGaN&#8482;>
  EcoGaN&#8482;是通過(guò)更大程度地發(fā)揮 GaN 的性能,助力應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步節(jié)能和小型化的 ROHM GaN 器件,該系列產(chǎn)品有助于應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步降低功耗、實(shí)現(xiàn)外圍元器件的小型化、減少設(shè)計(jì)工時(shí)和元器件數(shù)量等。
  <辛裕明 教授 簡(jiǎn)介>
  1965年出生于臺(tái)灣臺(tái)南。國(guó)立中央大學(xué)理學(xué)學(xué)士、國(guó)立交通大學(xué)碩士、加利福尼亞大學(xué)圣地亞哥分校電氣工程博士,F(xiàn)任臺(tái)灣國(guó)立中央大學(xué)(NCU)電氣工程專業(yè)的教授,以及Applied Physics Express(APEX)和Japanese Journal of Applied Physics(JJAP)的海外編輯。研究對(duì)象是基于異質(zhì)結(jié)和寬帶隙半導(dǎo)體的元器件和電路開(kāi)發(fā)。
  ·個(gè)人簡(jiǎn)歷
  1997年 加入位于新澤西州沃倫縣的Anadigics公司(現(xiàn)為Coherent Corp.)。開(kāi)發(fā)無(wú)線
  和光纖通信用的GaAs MESFET和pHEMT。
  1998年 進(jìn)入國(guó)立中央大學(xué)電氣工程系任教。
  2004年~2005年 伊利諾伊大學(xué)厄巴納-香檳分校訪問(wèn)研究員。
  2016年~2017年 加利福尼亞大學(xué)洛杉磯分校(UCLA)客座教授。
  2019年~2022年 國(guó)立中央大學(xué)(NCU)光學(xué)研究中心主任。
  <術(shù)語(yǔ)解說(shuō)>
  *1)LiDAR
  LiDAR是Light Detection And Ranging(激光探測(cè)與測(cè)距)的縮寫,是使用近紅外光、可見(jiàn)光或紫外光照射
  對(duì)象物,并通過(guò)光學(xué)傳感器捕獲其反射光來(lái)測(cè)量距離的一種遙感(使用傳感器從遠(yuǎn)處進(jìn)行感測(cè))方式。
  *2)WLCSP(Wafer Level Chip Scale Package)
  一種在整片晶圓上形成引腳并進(jìn)行布線等,然后再切割得到單個(gè)成品芯片的超小型封裝形式。與將晶圓切
  割成單片后通過(guò)樹(shù)脂模塑形成引腳等的普通封裝形式不同,這種封裝可以做到與內(nèi)部的半導(dǎo)體芯片相同大
  小,因此可以縮減封裝的尺寸。
  *3)過(guò)沖
  開(kāi)關(guān)ON/OFF時(shí)瞬間產(chǎn)生超出規(guī)定值電壓的現(xiàn)象。
  *4) GaN HEMT
  GaN(氮化鎵)是一種用于新一代功率元器件的化合物半導(dǎo)體材料。與普通的半導(dǎo)體材料——Si(硅)相比,具有更優(yōu)異的物理性能,目前,因其具有出色的高頻特性,越來(lái)越多的應(yīng)用開(kāi)始采用這種材料。
  HEMT是High Electron Mobility Transistor(高電子遷移率晶體管)的英文首字母縮寫。
) q& i5 b0 F' n" H$ q

9 W. |( I$ O& x1 Y4 Q$ E

0

主題

378

帖子

1574

積分

三級(jí)會(huì)員

Rank: 3Rank: 3

積分
1574
沙發(fā)
發(fā)表于 2023-10-19 18:36:56 | 只看該作者
學(xué)習(xí)學(xué)習(xí)。

發(fā)表回復(fù)

本版積分規(guī)則


聯(lián)系客服 關(guān)注微信 下載APP 返回頂部 返回列表