AMEYA360 | 納芯微發(fā)布首款1200V SiC MOSFET

AMEYA360

　[**l=https://www.ameya360.com/hangye/%E7%BA%B3%E8%8A%AF%E5%BE%AE/1]納芯微[/**l]推出1200V首款SiC MOSFET ***060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可**車(chē)規(guī)與工規(guī)兩種等級(jí)。

　　納芯微的碳化硅MOSFET具有卓越的RDSon溫度穩(wěn)定性、門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓覆蓋度更寬、具備高可靠性，適用于電動(dòng)汽車(chē)(EV) O**/DCDC、熱管理**、光伏和儲(chǔ)能**(ESS)以及不間斷電源(UPS)等領(lǐng)域。

　　***060N120A產(chǎn)品特性

　　更寬的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍(-8~22V)

　　支持+15V，+18V驅(qū)動(dòng)模式(可實(shí)現(xiàn)IGBT兼容：+18 V)

　　+18V模式對(duì)下，RDSon可降低20%

　　更好的RDSon溫度穩(wěn)定性出色的閾值電壓一致性

　　Vth在25°C~175°C 的范圍保持在2.0V~2.8V之間

　　體二極管正向壓降非常低且穩(wěn)健性高

　　100%的雪崩測(cè)試，從而提高整體的可靠性，抗沖擊能力強(qiáng)

　　此外，功率產(chǎn)品開(kāi)發(fā)中可靠性驗(yàn)證與質(zhì)量控制是納芯微非常重視環(huán)節(jié)之一。為了**給客戶(hù)更可靠的碳化硅MOSFET產(chǎn)品，在碳化硅芯片生產(chǎn)過(guò)程中施行嚴(yán)格的質(zhì)量控制，所有碳化硅產(chǎn)品做到 100% 靜態(tài)電參數(shù)測(cè)試，100%抗雪崩能力測(cè)試。此外，會(huì)執(zhí)行比AEC-Q101更加嚴(yán)格的測(cè)試條件來(lái)執(zhí)行產(chǎn)品可靠性驗(yàn)證，如下圖：

　　以執(zhí)行較為嚴(yán)苛的HV-H3TRB為例，在可靠性1000小時(shí)測(cè)試后，該款產(chǎn)品仍具有比較優(yōu)異的穩(wěn)定性。

　　***060N120A產(chǎn)品選型表

　　納芯微SiC MOSFET命名規(guī)則