解鎖 MOS 管：溫度估算不再燒腦~

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溫度是影響MOSFET壽命的關鍵要素之一，為防止過熱導致的MOS失效，使用前進行簡單的溫度估算是必要的。
MOS管發(fā)熱的主要原因是其工作過程中產(chǎn)生的各種損耗，能量不會憑空消失，損失的能量最終會通過轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃勘幌�耗掉，損耗越大發(fā)熱量也隨之越大。在MOSFET開啟的過程中隨著

下降，

逐漸升高，而電壓與電流存在交疊的區(qū)域，該區(qū)域?qū)�產(chǎn)生損耗。當MOSFET完全導通時，

不等于0，這是由于MOSFET的漏源兩端存在導通電阻，因此產(chǎn)生壓降。該電阻與導通時流過的電流產(chǎn)生損耗。MOSFET關斷的過程與其開啟過程相似，所以MOSFET關斷過程也將產(chǎn)生損耗。除了MOSFET開關產(chǎn)生的損耗外，在三相交流電機控制系統(tǒng)中MOSFET續(xù)流二極管中也存在壓降損耗。因此MOSFET的主要損耗來源有以下五種：導通損耗、開關損耗、續(xù)流損耗、斷態(tài)損耗、驅(qū)動損耗。而對溫度影響比較大的主要為導通損耗和開關損耗，因此進行簡單估算時暫且也先從這兩個損耗入手。

MOSFET損耗
導通損耗：

其中

為MOS管漏極電流，

為MOS管T漏源極導通電阻，D為占空比。
以下以華軒陽的HXY80N06D為例來進行說明，下圖是其在管芯25℃和150℃下的漏極電流與漏源電壓的關系：

從圖中可以看出，當

比較小時，

與

的關系是非線性的；當

在10V時，

與

幾乎是線性關系，且溫度越高此線性關系越明顯。由此可以推算出在給定的驅(qū)動電壓下，管芯在特定溫度時MOS管的導通電阻大小。

同樣數(shù)據(jù)手冊中也有典型值與最大值可查。
而導通電阻不僅與柵源電壓有關，與MOS管溫度也相關，以下為導通電阻與管溫關系圖。根據(jù)下圖數(shù)據(jù)可以擬合得到不同管芯溫度對應的導通電阻。

這個圖中縱軸并不是導通電阻 $$R_{DS(ON)}$$的值，而是一個系數(shù)。假定系數(shù)為k，隨著溫度上升，比如說到100℃時，此時k=1.5，那么在100℃時，

。在計算導通損耗時，假定溫度條件后也需要乘以這個系數(shù)。
開關損耗：
如果MOSFET開關頻率很快，電壓電流變化波動較為劇烈，進而產(chǎn)生較大損耗。相比于導通損耗，開關損耗較為嚴重。

開通過程、關斷過程及其中間過程均會產(chǎn)生損耗，但是這次不進行詳解，為了簡化，有了以下方程：

其中，

為MOS管關斷時漏極承受電壓；

為MOS管導通電流；

和

為開通、關斷的時間，這個值可以在數(shù)據(jù)手冊中查找到；f為開關頻率。
開通關斷時間：

有了以上兩個損耗功率，我們可以粗略計算出總的損耗功率

。接下來在回到數(shù)據(jù)手冊，我們還需要MOS管的熱阻。熱阻指的是當有熱量在物體上傳輸時，在物體兩端溫度差與熱源的功率之間的比值，單位是℃/W或者是K/W。半導體散熱的三個途徑，封裝頂部到空氣，封裝底部到電路板，封裝引腳到電路板。

其中

為結(jié)到殼之間的熱阻，

為外殼到散熱片的熱阻，

為結(jié)在靜止空氣條件下對環(huán)境的熱阻,是半導體封裝最常見的熱參數(shù)。即功率每上升1W，對應的溫升。
使用公式

即可計算出MOS的結(jié)溫。假設

最終計算值為30W，由上表可知

。公式中

為結(jié)溫，

為環(huán)境溫度，假設為35℃。講這些參數(shù)帶入上式可得，                                                            



數(shù)據(jù)手冊中結(jié)溫最高為175℃，則在計算后可知僅憑空氣散熱即可使蓋MOS管正常工作。

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