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引言
; \! A) x$ ^! H% n2 P% {% m量子點(diǎn)(QDs)已成為集成量子光電子線路中片上單光子源的有前途候選者。然而,在單個(gè)芯片上使用多個(gè)量子點(diǎn)的主要挑戰(zhàn)之一是發(fā)射波長的固有變化。本文探討了創(chuàng)新方法,使用表面聲波(SAWs)動態(tài)調(diào)諧集成到混合薄膜鈮酸鋰光電子平臺中的納米線量子點(diǎn)的發(fā)射波長[1]。* O% \ e* x: R/ ~& ]
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/ W5 j6 S* f8 T* T( m表面聲波的力量9 [3 ?* @; D0 }9 W
表面聲波是沿材料表面?zhèn)鞑サ臋C(jī)械波。在量子技術(shù)領(lǐng)域,表面聲波顯示出控制各種量子系統(tǒng)(包括量子點(diǎn))的巨大潛力。通過將表面聲波耦合到量子點(diǎn),研究人員可以調(diào)制量子點(diǎn)的能級,從而動態(tài)改變發(fā)射波長。
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圖1:(a) 兩條用于獨(dú)立聲學(xué)調(diào)制的聲學(xué)延遲線的光學(xué)顯微鏡圖像。(b) 波導(dǎo)內(nèi)納米線的掃描電子顯微鏡圖像。(c) 集成納米線的掃描電子顯微鏡圖像,橫截面顯示光學(xué)模式分布。(d) 剪切表面聲波模式的位移剖面。(e) 表面聲波產(chǎn)生的應(yīng)變剖面。(f) 400 MHz激發(fā)的表面聲波位移場。" E; M! H2 e Q* H
6 n. |$ _4 ^/ J7 |% j8 l混合量子光電子平臺, N7 n* K [% O8 Y' b4 t& c9 O$ A
為了展示基于表面聲波調(diào)制的威力,研究人員開發(fā)了一種混合量子光電子平臺。該平臺將InAsP/InP納米線量子點(diǎn)集成到薄膜鈮酸鋰芯片上。選擇鈮酸鋰很重要,因?yàn)槠鋸?qiáng)烈的壓電性能可以高效產(chǎn)生表面聲波。
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納米線被精確定位并集成到Si3N4加載的波導(dǎo)中。這種混合方法結(jié)合了納米線量子點(diǎn)的出色量子發(fā)射特性和鈮酸鋰平臺的強(qiáng)大光電子功能。5 q) Q) J# y A8 V
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聲學(xué)延遲線和聚焦叉指換能器7 K5 V* v3 s) C
該系統(tǒng)的關(guān)鍵組件是聲學(xué)延遲線,由兩個(gè)相對的聚焦叉指換能器(FIDTs)組成。這些FIDTs被設(shè)計(jì)用于在量子點(diǎn)所在的特定點(diǎn)生成和聚焦表面聲波。通過向FIDTs施加射頻(RF)信號,研究人員可以創(chuàng)建精確控制的聲波與量子點(diǎn)相互作用。8 Q. J. X% v1 M: p+ [6 q; ]
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圖2:(a) 未調(diào)制時(shí)QD1的光致發(fā)光譜。(b) 單個(gè)表面聲波引起的測量光學(xué)調(diào)制。(c) 兩個(gè)反向傳播表面聲波對最亮發(fā)射峰的光學(xué)調(diào)制。(d) 應(yīng)變引起的能量分裂與相對相位的關(guān)系。0 O: K8 y0 p: V8 d+ c
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4 a2 h$ L+ Y! _' V% N! }波長調(diào)制演示# ]/ ~6 P( J) F" ?1 f5 j6 Q; }$ m* x
研究人員通過調(diào)制單個(gè)量子點(diǎn)的發(fā)射波長展示了方法的有效性。通過向一個(gè)FIDT施加400 MHz的射頻信號,在13 dBm功率下實(shí)現(xiàn)了0.70 nm的峰峰值波長調(diào)制。這種顯著的調(diào)制展示了表面聲波用于微調(diào)量子點(diǎn)發(fā)射特性的潛力。
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利用聲學(xué)腔增強(qiáng)調(diào)制
7 a2 r, q( [' u$ |為進(jìn)一步提高調(diào)制能力,研究團(tuán)隊(duì)探索了同時(shí)使用兩個(gè)FIDTs。通過驅(qū)動兩個(gè)換能器,他們創(chuàng)建了反向傳播的表面聲波,形成駐波模式。這種方法有效地將調(diào)制幅度翻倍,達(dá)到了令人印象深刻的1.4 nm峰峰值移動。 j2 ?2 o/ |8 D9 u- a" V
' d q7 a" a: _! q驅(qū)動兩個(gè)FIDTs的射頻信號之間的相位差在這種增強(qiáng)調(diào)制中起著關(guān)鍵作用。當(dāng)信號同相時(shí),納米線位于駐波的波腹處,最大化應(yīng)變效應(yīng)。相反,信號之間的π相移可以完全抑制調(diào)制。: Z( @1 g9 A( K! K, t+ m
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! B `3 W% x$ n2 y7 F4 t: D圖3:(a) QD1和QD2的應(yīng)變引起的譜線展寬與射頻功率的關(guān)系。(b) 無表面聲波和有表面聲波調(diào)制時(shí)QD1和QD2的發(fā)射峰。(c) 集成到光電子平臺中的兩個(gè)可應(yīng)變調(diào)諧納米線量子點(diǎn)的表現(xiàn)。
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/ h% }+ m. k3 m: G9 D" e7 Z多個(gè)量子點(diǎn)的獨(dú)立調(diào)制
* k$ N7 n& U9 y9 r6 M" Y* ^這項(xiàng)研究最令人興奮的方面之一是在同一芯片上對兩個(gè)獨(dú)立量子點(diǎn)進(jìn)行調(diào)制的演示。研究團(tuán)隊(duì)選擇了兩個(gè)初始發(fā)射波長相差0.5 nm的納米線量子點(diǎn)(QD1和QD2)。通過向與每個(gè)量子點(diǎn)相關(guān)的FIDTs施加適當(dāng)?shù)纳漕l信號,他們能夠在每個(gè)聲學(xué)周期內(nèi)將兩個(gè)量子點(diǎn)的發(fā)射波長調(diào)至共同點(diǎn)。' | ~0 x! B$ H: P. G# l6 p; N
% f* ~8 E& R# n1 V5 S這一成就是朝著在單個(gè)光電子芯片上從多個(gè)遠(yuǎn)程發(fā)射器產(chǎn)生不可區(qū)分單光子邁出的重要一步 - 這是許多量子信息處理應(yīng)用的關(guān)鍵要求。7 \2 Q8 e7 D% E$ l% N
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挑戰(zhàn)和未來方向# n( G3 E f* c# I' C
盡管結(jié)果很有希望,但仍有挑戰(zhàn)需要克服。目前的調(diào)制范圍雖然令人印象深刻,但可能不足以解決量子點(diǎn)集合中通常觀察到的全部波長變化。& P5 j. V) @, _ I! R# E
研究人員提出了幾個(gè)改進(jìn)方向:增加射頻功率:必須仔細(xì)考慮更高功率下的潛在加熱效應(yīng)。使用較低電阻率的金屬制作FIDT電極以減少歐姆損耗。優(yōu)化量子點(diǎn)在聲學(xué)腔中的位置以最大化應(yīng)變效應(yīng)。探索釋放鈮酸鋰層以增強(qiáng)機(jī)械約束。2 x% M8 I5 A) } z9 J! G4 i. \
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此外,雖然將量子點(diǎn)調(diào)至共同波長很重要,但確保發(fā)射光子的高不可分辨性仍然是一個(gè)挑戰(zhàn)。未來工作中需要考慮匹配輻射速率和實(shí)現(xiàn)傅里葉變換限制發(fā)射等因素。8 T/ @/ u8 f- v1 D: C& |) X+ F
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與光電子線路集成) t5 ]+ F& o6 h' R9 f# x
這項(xiàng)研究的最終目標(biāo)是將這些表面聲波調(diào)制的量子點(diǎn)集成到功能性量子光電子線路中。研究團(tuán)隊(duì)設(shè)想使用可調(diào)諧環(huán)形諧振器或其他過濾機(jī)制來選擇和路由芯片內(nèi)的調(diào)制光子。
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結(jié)論
z# `7 j+ d, ^' s, M. m; H2 U9 R) v! l集成到混合薄膜鈮酸鋰平臺中的納米線量子點(diǎn)的聲學(xué)調(diào)制代表了集成量子光電子技術(shù)領(lǐng)域的重大進(jìn)展。通過利用表面聲波的力量,研究人員展示了有前途的方法,解決了在單個(gè)芯片上使用多個(gè)量子點(diǎn)的關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一。( h; o: m! [- c1 T( o& d
. ]6 \7 V1 B% L4 H/ w+ g參考文獻(xiàn)6 C; e8 |4 S, n2 x2 q7 r; B
[1] T. Descamps et al., "Acoustic Modulation of Individual Nanowire Quantum Dots Integrated into a Hybrid Thin-Film Lithium Niobate Photonic Platform," Nano Lett., 2024, doi: 10.1021/acs.nanolett.4c03402.
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