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計算電磁學的統(tǒng)一視角

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發(fā)表于 2024-10-15 08:00:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
引言& t! I3 K6 s9 b  M. _6 t! O
計算電磁學(CEM)已成為分析和設計各種電磁系統(tǒng)的不可或缺工具,應用范圍從天線和微波線路到無線通信和雷達系統(tǒng)。本文提供了CEM不同數(shù)值方法的基本原理的統(tǒng)一視角,強調(diào)了它們共同的數(shù)學框架和關系[1]。
$ b$ V% H1 J+ o6 E7 t+ M4 G. R1 ~2 \
加權殘差法:統(tǒng)一框架
, _+ y* H- i0 O  J大多數(shù)CEM技術的核心是加權殘差法(MWR),允許我們通過將復雜電磁問題的解投影到簡單的基函數(shù)上來近似求解。MWR過程包括兩個關鍵步驟:
  • 展開:未知解被近似為已知基函數(shù)的加權和。
  • 殘差最小化:通過強制近似解與精確解之間的誤差(殘差)與一組權重函數(shù)正交來最小化誤差。
    ; u7 ~$ S9 `% P- s2 x[/ol]: l8 z: V( r: ]+ e- q! ^0 Z( @
    數(shù)學上,可以將這個過程表示如下:
    3 l% a7 X4 `" i+ T9 P5 D  O" K' ~1 ?$ b7 i( d% z8 E) ]3 U
    考慮形式為以下的算子方程:- N$ M. S: |: A- ^
    1 k/ ~; ~. X" ?! }
    Lu(r, t) - g(r, t) = 0
    ' P* g+ q  ?! y" S  }
      Y  X' ?* T" g# @4 V) b5 f5 W其中L是微分或積分算子,u(r, t)是未知解,g(r, t)是已知源項。- y/ r" L# x- B" _* A

    & f" U1 @. y- S# |' b我們將解近似為:
    + f  d# q  R6 `
    ! R( M% T. ~7 }: S* k; d' ~5 Q/ Ou(r, t) ≈ ?(r, t) = Σ(n=1 to N) an φn(r, t)
    % K. [# b- _% c7 B( {- U4 k
    ) ^- Y4 d/ J3 o5 L" N" I3 O其中φn是基函數(shù),an是未知系數(shù)。  ?$ B6 Z3 R; B( d; c. y* E0 O3 w
    * r) i- a/ x- c/ x) o& m
    然后殘差誤差為:
    % z& ]0 r- K0 r8 A% U) K0 d! X' L; c
    R(r, t) = L?(r, t) - g(r, t)
    8 C3 t) U. B$ {7 K* f5 q. j/ V6 P9 {
    我們通過設置以下條件來最小化這個誤差:
    + [: ?# ~5 A  l* q
    + O% y$ `3 t6 H% V0 I6 ?. _4 M = 0, p4 R9 k, k7 u9 v" L; r# Q
    ' Q3 c" D) E! Q' O& v+ Z
    其中w_m是權重函數(shù),表示內(nèi)積。
    6 I8 [2 e% j- A! l7 z( r4 ?
    1 h9 G: t7 `, F$ C" P$ ?. x( n這個過程導致一個可以求解未知系數(shù)an的方程組。9 t' Y0 A8 v! o# b( ]

    1 V$ _6 E: V& F# p  L5 V3 \圖1:Rooftop基函數(shù)(a)和由這些基函數(shù)求和形成的近似解(b)的圖示。2 [# B2 G6 i6 b: y& k

    0 s4 {5 b, c% ]5 V3 u' C內(nèi)積空間和收斂性) ?  @. j3 R6 ^, D" R: h8 B
    MWR框架重度依賴于內(nèi)積空間的概念。這些是具有滿足某些性質(如線性和正定性)的內(nèi)積運算的函數(shù)空間。內(nèi)積的選擇可以顯著影響數(shù)值方法的性能和穩(wěn)定性。0 d1 E( _. y  I9 r3 a. P
    5 R; g0 g+ ?  ?$ ]# D- R9 H2 @
    任何CEM技術的一個關鍵考慮因素是收斂性 - 隨著我們增加基函數(shù)的數(shù)量,我們的近似解接近精確解的程度如何?雖然證明一般情況下的收斂性可能具有挑戰(zhàn)性,但我們通?梢酝茖С鲈趯嵺`中用于檢查收斂性的特定條件。
    + |; t% t) G9 Z# I; E7 C5 M; L
    . ~+ a( Z. w7 J: X9 Z0 u; {! }收斂的一個必要條件是展開系數(shù)an必須有界:
    ( K% y" R6 ^# q/ {' t6 [; m' Y
    , ?, y+ W. L: X5 b4 `+ e  h|an|
    , c: S6 D5 F% c2 k. Q( c$ I6 F9 {- J1 V- h- }# T' h) x
    頻域方法6 i# ^4 z' `2 \
    許多CEM技術在頻域中操作,求解時諧麥克斯韋方程。一些流行的頻域方法包括:
    ) M( ?( A" d$ {( a4 A3 [' v7 m) q. E3 H
    1. 有限差分法$ M. h6 b* \4 y7 [
    有限差分法使用離散差分方程近似導數(shù)。在MWR框架中,這可以被視為使用Rooftop函數(shù)作為基函數(shù)和狄拉克δ函數(shù)作為權重函數(shù)。, }  y+ x4 f% ?% _5 x" \) w1 V, j

    : ]+ Y, [8 P4 z) e7 J5 q$ r0 b: R/ I & }/ ?$ }7 g# p
    圖2:Rooftop基函數(shù)導數(shù)(a)和試驗函數(shù)導數(shù)(b)的圖示。8 V6 c# }4 b; c5 I) V

    8 o) t6 ~; X# Z) B2. 有限元法(FEM)
    ' x* H& h8 g4 MFEM將問題域劃分為小元素,通常是三角形或四面體。在每個元素內(nèi),解使用形狀函數(shù)近似。FEM的MWR公式通常使用這些相同的形狀函數(shù)作為基函數(shù)和權重函數(shù)(伽遼金方法)。
    2 x7 d+ G8 i$ T
    # X# z- g; `3 S5 O9 L% w5 j圖3:有限元法中二維域劃分為三角形元素的示意圖。
    3 [' N# p; Z  ^  r9 u; i2 Q
    / W- x# s( y, T% X9 U1 K3 W0 ?) ]3. 矩量法(MoM)
    ' |6 H5 \) Y  d# C) u9 F: S6 b; vMoM特別適合求解積分方程,使用一組基函數(shù)來展開未知量(通常是電流密度)和一組權重函數(shù)來強制邊界條件。" {+ n1 a1 @8 R2 k5 D
    ! T+ C; n* {1 v- X
    4. 積分方程法
    0 a' _) @/ i1 G9 e# ]; u# w這些方法使用麥克斯韋方程的積分形式來求解場量或電流/電荷分布,對于開放邊界問題特別有用。# n: g5 [0 v- N0 z+ r$ S; r
    , b. P' D  {% g9 K2 {0 L  O$ g
    . q8 e' d* D$ x$ u
    圖4:帶有單位電勢的帶電帶狀體示例,經(jīng)常用于說明積分方程方法。  a# \1 C3 a" R5 I/ T6 z# z
    6 ~+ w8 W$ U3 c5 A# a
    5. 譜域方法, x+ ]: z0 j) q# W, C; C* L! Q
    這種技術在空間頻率域中求解電磁問題,使其特別適合于平面結構,如微帶線。
    - I, J! ]7 x# l7 P. d+ K/ i, C! M
    & a  W4 q/ u# X! l  \6. 無網(wǎng)格方法
    9 P3 I7 `7 E6 D4 s2 \與傳統(tǒng)的基于網(wǎng)格的方法不同,無網(wǎng)格方法使用一組散布的節(jié)點來表示問題域。基函數(shù)與這些節(jié)點相關聯(lián),而不是與固定網(wǎng)格相關聯(lián)。. J6 o: D# u  G* T* e" Y# X8 ^
    ( E' v+ W5 N2 i$ `( b1 {
    * ~; V$ V4 ?9 x, q1 t: q) C/ j
    圖5:無網(wǎng)格方法中使用的支持域和周圍節(jié)點的圖示。+ q( j$ S# d$ h: G  h( `. a% }
    % O! p" m: B0 f$ h7 l, V: n- M
    時域方法
    9 M0 ]- c* U& o3 d7 \! t頻域方法很強大,但許多問題更自然地在時域中求解。時域技術直接模擬電磁場的時間演化。一些關鍵的時域方法包括:
    ' m: O7 g$ {& v
    . C. [  Y* e) s1. 有限差分時域(FDTD)方法
    & I( l7 b, h2 K- X; \, nFDTD同時離散化空間和時間,使用中心差分近似麥克斯韋方程中的空間和時間導數(shù)?梢酝ㄟ^在空間和時間中使用脈沖函數(shù)從MWR框架推導出來。
    " x7 ^7 B; U- h3 m' O/ K$ f/ o+ n. x# v
    2. 傳輸線矩陣(TLM)方法1 \9 i: t) n) W6 M. D5 W
    TLM使用與傳輸線的類比來模擬波傳播。將空間離散化為傳輸線段網(wǎng)絡,通過跟蹤在這個網(wǎng)絡中傳播的電壓脈沖來模擬波傳播。
    , V3 n& o: |4 a. v( Q' |, F* z4 u; P% O* h/ t- o, {8 h0 L( v$ g# G

      }% S7 ]+ G. q圖6:(a) 2D和(b) 3D傳輸線矩陣(TLM)模型的圖示。
    . }9 p7 b' }6 t7 {5 X, O: J7 k( }$ ~& N7 _+ E  g. B
    3. 時域有限元法(TD-FEM), z( c" f' k2 i0 B
    TD-FEM結合了FEM的空間離散化和時間步進方案來求解時變麥克斯韋方程。
    ) o& s5 h- `- L5 X! ~5 C' s7 C( Y3 c0 U. T* |' ?/ R1 d
    4. 時域積分方程(TDIE)方法
    1 J" P( J) J- z+ d: D# Q; D8 W1 m1 E這些方法求解積分方程的時域版本,通常使用時間步進(MOT)方案在離散時間步驟中推進解。
    8 a$ x1 e/ [/ K$ G8 R- K3 B$ x0 K6 f! A' W+ Z& d& N
    5. 時域無網(wǎng)格方法
    ( x, U  J7 G- H/ h* C- G) a無網(wǎng)格方法也可以擴展到時域問題,在節(jié)點放置上提供靈活性,無需結構化網(wǎng)格。0 r' |4 ]' a- k3 C1 i$ ^+ ]  k
    6 L: G* p( h2 p  @
    統(tǒng)一視角和關系
      n2 q6 e0 X3 i+ [) p  }7 U通過MWR的視角來看待所有這些方法,我們可以理解它們的相似性和差異:
    . d& H: H) R1 C- F
  • 基函數(shù)和權重函數(shù)的選擇在很大程度上決定了每種方法的特性。
  • 頻域和時域方法通常密切相關,時域方法本質上是在每個時間步長求解一系列頻域問題。
  • 許多方法可以被視為更一般方法的特殊情況。例如,F(xiàn)EM和有限差分方法可以通過特定的節(jié)點排列和基函數(shù)推導為無網(wǎng)格方法的特殊情況。
    * q% f" x2 k/ S! k5 o! |) ~* g, c

    3 d/ g* y: x3 ^! V" [, @# }- T1 `$ Z) B9 E3 a: S. O% z" E
    ! k0 a9 W6 r) F& e2 z& ^2 Z: D
    圖7:圖示展示了基于節(jié)點的無網(wǎng)格方法如何通過特定的節(jié)點排列演變成有限元方法(中)和有限差分方法(下)。
    7 q9 H& P# b. f$ O3 ]; P$ B- D) C; Y( q3 \
    數(shù)值色散和誤差分析
    2 }* u$ m$ X; x任何CEM技術的一個關鍵方面是理解其準確性和限制。一個常見的問題是數(shù)值色散,其中模擬的波傳播特性與真實物理行為不同。這可以通過檢查方法在譜域中的色散關系來分析。
    ' z3 u( l* q! k% B$ C3 D# v# ~# g8 E) N/ h9 t4 C- D! J
    例如,F(xiàn)DTD方法具有以下數(shù)值色散關系:/ l. O% y9 ~$ m6 W, I3 x; C

    0 I5 i  D9 E7 a; j[sin(kx Δx/2)/Δx]^2 + [sin(ky Δy/2)/Δy]^2 + [sin(kz Δz/2)/Δz]^2 = [sin(ωΔt/2)/(cΔt)]^2
    # L: [4 J' x8 R6 L  ]' _
    " }4 ]0 x0 V) ~+ x% x; i4 S- W6 _$ {% G7 M其中kx、ky、kz是波數(shù),Δx、Δy、Δz是空間離散化步長,Δt是時間步長,c是光速。# S* j" R+ H3 O  `3 u* B
    $ i) ]& n6 M6 V$ r( C0 j' E
    隨著離散化變得更細,這個關系接近連續(xù)電磁學的理想球面色散關系,但對于較粗的網(wǎng)格會偏離。. ~4 u6 J/ ]. W  Y2 c

    2 F5 U( c8 s6 m3 e0 M結論
    7 d/ w7 }/ ^( u. H2 V4 m* o本文提出的計算電磁學統(tǒng)一視角,以加權殘差法為中心,為理解和開發(fā)數(shù)值技術提供了強大的框架。通過認識各種方法的共同數(shù)學基礎,研究人員和工程師可以:
  • 根據(jù)給定問題的特性和要求選擇最合適的方法。
  • 開發(fā)結合不同方法優(yōu)點的混合技術。
  • 分析和改進數(shù)值算法的準確性、穩(wěn)定性和效率。
  • 探索新的公式和基函數(shù)來解決具有挑戰(zhàn)性的電磁問題。, f0 O  s+ }' {; h8 e1 L* ~/ l
    [/ol]
      k/ |4 V  _! w' C8 M3 d8 c隨著計算電磁學領域的不斷發(fā)展,這種統(tǒng)一的視角對于推動電磁仿真和設計的可能性邊界將是很重要的。未來的研究方向可能包括:) C) b5 a) q& C9 P& L; F
  • 開發(fā)針對特定問題類型的更高效基函數(shù)。
  • 探索機器學習技術來增強傳統(tǒng)CEM方法。
  • 推進將電磁學與其他物理現(xiàn)象耦合的多物理場仿真。
  • 改進并行計算策略以處理更大、更復雜的系統(tǒng)。
    9 P# T9 G$ {9 ]' X/ x* ^

    ! ^( e* W( i9 S4 Z& B通過理解統(tǒng)一各種CEM技術的基本原理,研究人員和從業(yè)者可以繼續(xù)創(chuàng)新并擴展電磁建模和仿真的能力。
    + L, l2 G, m" Q, B" a( x( Q% a- M5 V: N3 e7 [* H  R
    參考文獻
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    - m# Y7 s  t1 Z$ P5 F- END -
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    + F7 y1 N6 J3 }0 o( m3 h" e4 @* F2 H2 q# L1 \6 i; h: L7 J
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    ; A, H) N, G: e2 z7 e1 a6 Y" y7 q
    9 t0 N# x) ^' X1 q關于我們:
    ! n: d( c: g. I: n% X, D' Y$ G深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專注于半導體芯片設計自動化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開發(fā)特色工藝芯片設計和仿真軟件,提供成熟的設計解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對光電芯片、微機電系統(tǒng)、超透鏡的設計與仿真。我們提供特色工藝的半導體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務,廣泛服務于光通訊、光計算、光量子通信和微納光子器件領域的頭部客戶。逍遙科技與國內(nèi)外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動特色工藝半導體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶提供前沿技術與服務。
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