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2024-10-18 21:58 上傳
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以下是我的一些看法。
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MCU中的程序通?梢灾苯釉贔LASH中運行,但在對性能有特殊需求或需要動態(tài)修改代碼的情況下,可以將程序搬到RAM中執(zhí)行。( `( q/ m* j6 a: i+ e
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同時,片內與片外存儲器在速度和訪問延遲上確實存在明顯差異,這會影響系統(tǒng)的設計決策。! B( O( @+ K$ L+ n* H4 l( q
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程序從FLASH執(zhí)行還是搬到RAM執(zhí)行?6 ]4 u$ ^- {4 B/ r0 U& Y
一般情況下,嵌入式系統(tǒng)的程序代碼是存儲在片內的FLASH中的。9 N* b' t4 p; v- {) L) @7 B9 R% S% h
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在MCU上電復位后,系統(tǒng)的啟動過程大致如下:
# }% w/ ^( Y1 H; D5 \上電復位(Power-on Reset):MCU會進入復位狀態(tài),內部電路開始初始化。啟動代碼(Boot Code):上電后,芯片的啟動代碼會被執(zhí)行。這個啟動代碼可能是由芯片廠家提供的ROM引導代碼,負責初始化時鐘、棧指針等關鍵硬件資源,并將程序計數(shù)器(PC指針)指向FLASH中預定的入口點(通常是復位向量)。執(zhí)行用戶代碼: 此時,程序開始從FLASH中讀取指令,并由處理器逐條執(zhí)行。
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FLASH中的代碼是如何運行的?
+ ?) K5 [1 o" t1 m7 p* f當程序計數(shù)器(PC)指向FLASH中某個地址時,處理器會從該地址讀取指令,解碼后執(zhí)行。也就是說,程序實際上可以直接從FLASH中運行,不一定需要搬到RAM。# x4 M E; `/ e! T2 _8 ]/ X! k
0 O6 r2 P' U; ^ G& B對于絕大多數(shù)嵌入式應用來說,這是最常見的做法,因為這樣可以節(jié)省寶貴的RAM空間。
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在大多數(shù)ARM或PowerPC架構的MCU中,啟動流程是:4 o: d, x; b6 [( z7 r5 c' i
復位向量:通常是FLASH的起始地址或者某個固定位置,用于存放初始PC值(也就是程序入口地址)。程序計數(shù)器(PC)的設置:上電時,PC由啟動代碼或復位向量設定為FLASH中的起始地址,之后按順序讀取FLASH中的指令。
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" U& B( ^, S1 {$ f6 A必須搬到RAM中才能運行嗎?不這樣做有什么不妥?
% s C& r% }6 c7 b' @雖然代碼可以直接從FLASH中執(zhí)行,但有時搬到RAM中運行更具優(yōu)勢,主要有以下幾種原因:! a+ h9 }6 ~: `+ F' ]8 s: Y3 _
執(zhí)行速度:RAM的訪問速度通常比FLASH更快。如果對性能要求較高,可以將部分代碼(如關鍵中斷服務程序)加載到RAM中運行,能顯著提升執(zhí)行效率。寫入或擦除FLASH的限制:在執(zhí)行寫入或擦除FLASH操作時,往往會阻塞對FLASH的讀訪問。因此,為了避免程序運行中出現(xiàn)問題,有時需要將代碼搬到RAM中執(zhí)行,以便在對FLASH進行操作時仍能正常運行。代碼自修改:某些高級應用中,程序可能會修改自身的指令。這種情況下,代碼必須位于可寫的存儲器(如RAM)中,因為FLASH不支持動態(tài)修改。1 P3 o: h# }: H
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5 {+ T3 V, f7 q5 V& a1 D8 I2 G片內和片外存儲的區(qū)別
: V: j6 O) K, Y. H2 N片內RAM/FLASH:通常片內存儲器的訪問速度更快,延遲更低,因為它們直接與處理器內核集成在一起。片內RAM通常用于高速緩存或需要高頻訪問的數(shù)據(jù),而片內FLASH用于存儲穩(wěn)定的程序代碼。
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) h- a" W/ q d4 {片外RAM/FLASH:片外存儲器通過外部總線連接,訪問速度和片內相比會稍慢,尤其在使用串行總線(如SPI FLASH)時延遲更大。如果程序和數(shù)據(jù)需要頻繁訪問片外存儲器,性能會明顯下降。& f! p: [+ b+ i4 u
$ Q5 I2 b6 Q7 e; Y3 @( j" k" ?因此,一般情況下,片外存儲更多是作為數(shù)據(jù)存儲或者大容量擴展,而不是執(zhí)行的主要位置。/ a" j3 O+ `' w
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2 L/ W$ F& E1 c3 f& W如果程序大小超過RAM怎么辦?
- }5 s( q! [& {, c3 h" u在程序代碼超過RAM可用空間時,通常不會整個搬移,而是采用分段加載或“XIP”(Execute In Place,原地執(zhí)行)技術:
1 w! P1 m$ O! fXIP(原地執(zhí)行): 直接從FLASH中讀取和執(zhí)行指令,不需要搬到RAM。絕大多數(shù)MCU都支持這種方式。分頁加載或分段執(zhí)行:在一些高級系統(tǒng)(如操作系統(tǒng)驅動的系統(tǒng))中,可以將程序分割為多個段,按需加載到RAM中執(zhí)行。但這對于資源受限的MCU來說,通常不會這么復雜。! p; J4 n5 i) P9 f
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片外FLASH和SRAM的速度差異
2 N3 M$ T! g5 v9 U$ B2 \* S8 G& k片外FLASH和SRAM相對片內存儲器,訪問速度會更慢。, q$ K1 @& d- G* t9 x8 |- i# y4 B1 e
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主要原因包括:8 k* u0 E# m% F) ~5 |! F+ M. e
訪問延遲:片外存儲器需要通過總線協(xié)議進行數(shù)據(jù)傳輸,可能涉及地址解碼和等待周期。帶寬限制:外部存儲器的讀寫帶寬通常不如片內存儲器高,如果是串行接口(如SPI FLASH),帶寬瓶頸會更明顯。內存控制器的影響:外部存儲器訪問可能還依賴于內存控制器的配置,訪問速度受限于控制器的性能。7 B- F2 O* p" E3 n
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