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引言: |* @! d4 s. [8 M1 J
空間光調(diào)制器(SLM)在量子計(jì)算、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)等科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。本文探討在可見光至近紅外波段工作的突破性SLM技術(shù),結(jié)合壓電致動(dòng)實(shí)現(xiàn)高速操作。該技術(shù)將氮化硅諧振波導(dǎo)光柵與氮化鋁壓電致動(dòng)器結(jié)合,采用CMOS兼容工藝在200毫米硅晶圓上制造[1]。6 z) F/ j9 s7 n5 R: S
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主要技術(shù)指標(biāo)包括:
+ V$ C' p8 F" Y- u z) s1 w3 j4 u在可見光至近紅外波段工作高通道密度(>100 mm?2)高調(diào)制速度(>100 MHz)高消光比(>20 dB); x& v# r$ M! c2 a
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圖1展示器件概念和實(shí)物圖像。(a,b)展示基于壓電致動(dòng)氮化硅諧振波導(dǎo)光柵的SLM技術(shù)概念。(c)顯示電壓引起光譜移動(dòng)的工作原理。(d)顯示連接到印刷電路板的4×4 SLM芯片。(e)顯示像素間距為50μm的4×4 SLM顯微圖像。(f)顯示被溝槽包圍的光柵掃描電鏡圖像。% S9 y! v# W8 c. N1 Q; W9 o+ h
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器件設(shè)計(jì)與工作原理! U; J. S8 H1 R2 K" P! o X
該器件采用氮化硅諧振波導(dǎo)光柵,設(shè)計(jì)工作波長(zhǎng)約為780納米。光柵周期為0.490微米,氮化硅厚度為0.3微米。在交叉偏振光測(cè)試下,器件表現(xiàn)出陡峭的光譜特性,消光比超過20分貝。
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圖2展示器件光學(xué)設(shè)計(jì):(a)模擬與測(cè)量的反射光譜對(duì)比,(b)光柵周期對(duì)反射光譜的影響,(c)TE/TM偏振波振幅比和相位差,(d)不同光柵尺寸的反射光譜。
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/ `0 |& ^1 l$ w. r機(jī)械設(shè)計(jì)對(duì)器件性能起關(guān)鍵作用。制造后,像素由二氧化硅支柱支撐,當(dāng)向壓電層施加電壓時(shí)允許機(jī)械運(yùn)動(dòng)。! S& e4 E8 _! d6 D5 P. H
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圖3說明機(jī)械設(shè)計(jì):(a)釋放器件的截面示意圖,(b)顯示下切的器件截面掃描電鏡圖像,(c)5.9MHz時(shí)的機(jī)械模式模擬,(d)支柱直徑和光柵尺寸與本征頻率的關(guān)系。
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器件表征與性能
$ G) L- O! G* _" l3 v性能表征揭示了器件運(yùn)行的幾個(gè)重要方面。反射光譜與模擬結(jié)果高度吻合,實(shí)現(xiàn)超過20分貝的消光比。當(dāng)對(duì)照明像素施加交流電壓時(shí),器件展現(xiàn)出明顯的、頻率相關(guān)的調(diào)制能力。
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l0 }* q; w" X$ \1 X4 M c圖4顯示器件表征:(a)反射光譜和調(diào)制幅度,(b)釋放和未釋放器件的波長(zhǎng)移動(dòng)與交流頻率關(guān)系,(c)機(jī)械諧振頻率測(cè)量,(d)機(jī)械模式衰減測(cè)量,(e)交叉偏振光測(cè)試裝置示意圖。+ T4 ~' _8 ~) _) H: @4 x t3 W. U! I
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應(yīng)用與未來發(fā)展# C! S) C% F1 p" h' ^% {
該SLM技術(shù)在多個(gè)領(lǐng)域具有應(yīng)用價(jià)值:) I! D! t9 A& S0 A8 K! O: o d
1. 量子計(jì)算與控制
0 w% a9 Q3 [* f/ j6 c原子量子系統(tǒng)的精確控制原子陷阱特定光學(xué)圖案的產(chǎn)生高速量子態(tài)操控% s, l4 r, x9 `
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2. 顯示技術(shù)
1 j2 o- D$ U% w2 V5 L! C增強(qiáng)和虛擬現(xiàn)實(shí)系統(tǒng)高速投影系統(tǒng)動(dòng)態(tài)全息顯示
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! l( x- a2 n( h3. 光通信* s: O. {! S; o6 e; {" G/ y7 t* c: y9 D
快速光開關(guān)波分復(fù)用信號(hào)處理
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2 m; o/ ]$ q8 G# \* \4. 科學(xué)儀器
/ {- w! ]) w- }0 |顯微成像系統(tǒng)激光測(cè)距應(yīng)用光譜分析( h' Q5 G! r$ c+ D
, b d" G6 { p8 U$ ^9 _9 o
未來改進(jìn)方向包括:
# S: p h7 l8 ~降低工作電壓實(shí)施后制造調(diào)節(jié)技術(shù)提升機(jī)械諧振控制擴(kuò)展工作波長(zhǎng)范圍
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* I) p) y7 x% e6 [8 K8 t4 P根據(jù)應(yīng)用需求,該技術(shù)可以進(jìn)行不同配置:* S3 }( ~1 |! a% M
利用機(jī)械諧振產(chǎn)生特定頻率創(chuàng)建時(shí)變光圖案生成全帶寬任意波形
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結(jié)論2 n# f- Q+ v3 d
本文介紹了新型空間光調(diào)制器技術(shù),結(jié)合壓電致動(dòng)與氮化硅諧振波導(dǎo)光柵。該技術(shù)在可見光至近紅外波段實(shí)現(xiàn)高速操作,同時(shí)保持高通道密度和高消光比。CMOS兼容制造工藝確?蓴U(kuò)展性,并可與現(xiàn)有半導(dǎo)體技術(shù)集成。0 Y: H% }2 @# A N# j
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器件展示的性能特征,包括超過100MHz的調(diào)制速度和優(yōu)于20分貝的消光比,使這項(xiàng)技術(shù)在量子計(jì)算、顯示、通信和科學(xué)儀器等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用價(jià)值。持續(xù)的開發(fā)和優(yōu)化將進(jìn)一步提升其性能并拓展應(yīng)用范圍。
; ~6 R1 Y- O: r/ f3 Q! q) h" K! T$ g: V9 R6 M% K
參考文獻(xiàn)3 \ t3 _7 ?) Z' t" P3 L B0 [2 G
[1] T. Vanackere et al., "Piezoelectrically actuated high-speed spatial light modulator for visible to near-infrared wavelengths," arXiv:2410.19058v1 [physics.optics], Oct. 2024.2 [' z4 S( {/ K5 P# g6 B
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