電子產(chǎn)業(yè)一站式賦能平臺(tái)

PCB聯(lián)盟網(wǎng)

搜索
查看: 316|回復(fù): 0
收起左側(cè)

基于MEMS的低頻壓電能量收集器件設(shè)計(jì)

[復(fù)制鏈接]

686

主題

686

帖子

5863

積分

四級(jí)會(huì)員

Rank: 4

積分
5863
跳轉(zhuǎn)到指定樓層
樓主
發(fā)表于 2024-11-29 08:01:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
引言
, h2 X8 s% L' A) I能量收集技術(shù)作為小型電子器件的可持續(xù)能源供應(yīng)方案?jìng)涫荜P(guān)注;贛EMS的壓電振動(dòng)能量收集器件(P-VEH)能將環(huán)境中的機(jī)械振動(dòng)轉(zhuǎn)換為可用的電能是有效的解決方案,本文探討了針對(duì)低頻應(yīng)用的懸臂梁型P-VEH器件的設(shè)計(jì)考慮因素和分析方法[1]。* s. R+ w  ?# A6 g/ a! `8 G

& x& _# j, `2 d' ]$ G* u  r- }低頻振動(dòng)源的理解
1 k% R8 Q" A4 {* n, [! S實(shí)際環(huán)境中的振動(dòng)源通常在低頻范圍內(nèi)運(yùn)行,非常適合能量收集應(yīng)用。常見的振動(dòng)源包括汽車和發(fā)動(dòng)機(jī)的電機(jī)振動(dòng)(30-300 Hz)、人體振動(dòng)(~400 Hz)和切割機(jī)振動(dòng)(500-2000 Hz)。由于懸臂梁型P-VEH設(shè)計(jì)具有較低的諧振頻率和對(duì)環(huán)境振動(dòng)的高靈敏度,特別適合這些應(yīng)用場(chǎng)景。3 W) W; G; q  t5 t

, i" p# Q8 X) c! L+ ], e9 M# `壓電層參數(shù)的影響
5 z; L9 o+ z, z- NP-VEH器件的性能受壓電層尺寸的顯著影響。下面分析壓電層的長(zhǎng)度和厚度如何影響關(guān)鍵性能指標(biāo)。
+ O$ p9 @- k2 s" H2 t1 c, K 3 d9 x, I3 Y9 e
圖1顯示壓電層長(zhǎng)度為50 μm時(shí)的位移分析結(jié)果8 ]9 M# i0 b4 {! w
5 i" o5 D& {# A3 T: a
$ y  Z$ U+ c/ s% A5 X3 \, y. v
圖2展示壓電層長(zhǎng)度為75 μm時(shí)的位移分布
9 m8 L! O* T8 t9 W$ G1 q5 W
$ [, q) \! d  X% e% o
/ W6 [3 K! B/ ?) J# z圖3呈現(xiàn)壓電層長(zhǎng)度為100 μm時(shí)的位移情況
$ ^: z* {. q' C* A3 n7 l6 p
# a& `( ?8 B1 ~$ J5 g9 n + a0 Z. \9 h$ f$ O" m! O
圖4描述壓電層長(zhǎng)度為125 μm時(shí)的位移分析
6 _0 e& }# F5 u: r! |
  Y2 _9 K/ W+ O& n3 D ! b4 @; |- q$ z) S
圖5表示壓電層長(zhǎng)度為150 μm時(shí)的位移結(jié)果
  ]- Q! M& [. L: ]2 @: O4 ^
' z( L( A1 w# x6 h, { $ K  K' ?. c6 `+ i! k$ ]$ L8 K' c
圖6顯示壓電層長(zhǎng)度為175 μm時(shí)的位移特征4 o) S/ u; B: K8 b

: l$ t# q; I  l$ A7 Y9 r0 ]+ k 4 K) c% }4 I5 i3 Q- d( X0 k
圖7展示壓電層長(zhǎng)度為200 μm時(shí)的位移分布情況
, I# m2 J. y( O  v; E$ N
; o% }# s+ Z4 G% c0 ]  o. W. m
( }( c, X6 n2 ^- a$ J6 V: t圖8顯示壓電層長(zhǎng)度為50 μm時(shí)的von Mises應(yīng)力分布,固定端顯示最大應(yīng)力集中
4 ]  ~& w- u+ D1 M; c4 W7 s: k: ^% O

" @$ `1 P( b9 p, o  E: V2 G6 C0 S圖9展示壓電層長(zhǎng)度為75 μm時(shí)的von Mises應(yīng)力分析結(jié)果0 t. C# Z! Y/ z7 V& I# P' G& {# P

. D1 T, E7 c" _1 B, v圖10呈現(xiàn)壓電層長(zhǎng)度為100 μm時(shí)的von Mises應(yīng)力狀態(tài)
; \) L7 j* ?6 W8 Z/ Z. D% j% a! f! ^

& g. Y+ M! K- E/ {, ?9 d! f圖11描述壓電層長(zhǎng)度為125 μm時(shí)的von Mises應(yīng)力分布
2 e6 I0 O( C7 M3 f2 T
) e& F( X6 u. N  o 2 T4 j; O! f9 n9 z9 j
圖12表示壓電層長(zhǎng)度為150 μm時(shí)的von Mises應(yīng)力情況
8 M" [8 m* q7 }% j+ l! D" p% [. E0 G! v" m# L% ~+ G( S1 d
5 w. B& i6 |  e& r
圖13顯示壓電層長(zhǎng)度為175 μm時(shí)的von Mises應(yīng)力特征
; \& g: o9 v2 z9 `, C
, d0 m' F' U6 |& G5 j
  C" V" \& D- S2 L8 Q圖14展示壓電層長(zhǎng)度為200 μm時(shí)的von Mises應(yīng)力分布,顯示應(yīng)力隨長(zhǎng)度增加而增大
  P2 _  t5 |8 {9 g, p6 F
# }) q1 H+ u: y5 Z. ]; H
) u. e% m- P7 X1 |圖15顯示壓電層長(zhǎng)度為50 μm時(shí)的電勢(shì)分布,在固定端處出現(xiàn)最大電勢(shì)值
2 o3 m' G- G* H; L- S6 i3 m
, n, ^1 g: A8 v9 {5 c. K7 P1 k' \ & Z  k# n/ }! b, ?$ J0 q7 @
圖16展示壓電層長(zhǎng)度為75 μm時(shí)的電勢(shì)分布分析0 \* p* A2 l# \  q1 ~3 L* l/ j
6 p! ~5 _1 U' v
! k5 g5 b6 s5 a
圖17呈現(xiàn)壓電層長(zhǎng)度為100 μm時(shí)的電勢(shì)分布狀態(tài)
' u) f9 K6 g3 R$ b2 P
8 i# @0 i: J8 U* H2 R6 t - ], h! J' K8 y
圖18描述壓電層長(zhǎng)度為125 μm時(shí)的電勢(shì)分布特征9 J. b! ]. A: p1 X" N( a4 L* _

4 x6 N5 m7 J( v7 H  ~ * W. }4 t3 m# G- d, _9 k/ V
圖19表示壓電層長(zhǎng)度為150 μm時(shí)的電勢(shì)分布情況
8 x1 o; G5 `* q& z" _' m. W# j% i; x0 j( o# q& M  H! O- N, p
) e- y# H0 B" Z, W
圖20顯示壓電層長(zhǎng)度為175 μm時(shí)的電勢(shì)分布結(jié)果
/ |0 _# N+ V0 |3 F: U5 f' }. d1 a" ~, F5 ?$ [
( i. D6 g1 q/ ~# F0 Z- }
圖21展示壓電層長(zhǎng)度為200 μm時(shí)的電勢(shì)分布,清晰表明電勢(shì)從固定端向自由端逐漸降低的趨勢(shì)6 N$ d2 t$ T" \2 w7 e
" v. C0 J$ r2 y, t. D7 I0 k4 w
分析揭示了以下重要關(guān)系:
" S9 ~, s: \4 D& u8 F. `* G% P1. 位移特性:! D$ k) q& ]5 ~$ r8 z8 o' u7 v; s
  • 壓電層長(zhǎng)度從50 μm增加到200 μm導(dǎo)致位移增大
  • 較厚的壓電層(5 μm和10 μm)由于剛度增加而減小位移
  • 最大位移出現(xiàn)在懸臂梁自由端
    5 g; q6 }/ k* b- c6 G7 c

    7 s  U  `7 ?! }: }2. 應(yīng)力分布:
    * @9 Z3 |  y4 U8 m
  • 最大應(yīng)力出現(xiàn)在懸臂梁固定端
  • 較長(zhǎng)的壓電層產(chǎn)生更高的應(yīng)力值
  • 增加層厚度會(huì)由于位移減小而降低應(yīng)力
    ' z& P: s4 q% j. m

    : a& }/ j$ F) ?/ c  H& T2 E3. 電勢(shì)產(chǎn)生:
    ! d) E1 g' S0 o5 b% N0 a
  • 電勢(shì)在應(yīng)力集中的固定端最高
  • 較長(zhǎng)的壓電層產(chǎn)生更高的電勢(shì)
  • 較厚的層通常產(chǎn)生更高的電勢(shì),但超過5 μm后增益減少
    % u! {' v; e- J* ]# E

    * n- a& A! J+ @& T5 f7 d懸臂梁參數(shù)的影響
    . A- U' Q* a4 \. Y* y/ K# O, }懸臂梁的尺寸對(duì)器件性能有顯著影響。0 j8 [9 Z7 V' q

    7 E7 o, M+ E2 K6 }8 |6 V圖22顯示懸臂梁長(zhǎng)度為100 μm、梁厚度5 μm時(shí)的位移分布,呈現(xiàn)自由端的最大位移值
    + N% s, Y. Q/ f# a
    + @* f& Z/ T: @2 D4 D8 v* x8 \3 k3 M: g0 W
    圖23展示懸臂梁長(zhǎng)度增加到200 μm時(shí)的位移分布狀態(tài)
    " g& ~) i# i2 b0 F. G6 i
    ' z- p9 i1 d4 C, L1 y$ Y; {! s5 Q5 l6 O* ^
    圖24呈現(xiàn)懸臂梁長(zhǎng)度為300 μm時(shí)的位移分布特征,位移值進(jìn)一步增大& U  e1 @) T% v4 l

    2 A8 I' V) s: H( O( g: w6 B9 E& F4 c. v
    圖25描述懸臂梁長(zhǎng)度達(dá)到400 μm時(shí)的位移分布情況7 X1 ]" q% ]4 A4 ^) V) F- ~. |

      n# b$ u* A3 E& d4 }7 w7 S9 H! u5 C! x# X5 s
    圖26展示懸臂梁長(zhǎng)度為500 μm時(shí)的位移分析結(jié)果,顯示出最大的位移值,驗(yàn)證了位移隨梁長(zhǎng)度增加而增大的趨勢(shì)
    8 G, E/ x" s/ ?- G, B" y
    2 Y6 L3 u; o* g" Q/ U& D; g+ A$ Z/ Z0 M! F5 F8 ^! l
    圖27顯示懸臂梁長(zhǎng)度為100 μm、梁厚度5 μm時(shí)的von Mises應(yīng)力分布,在固定端出現(xiàn)應(yīng)力集中
    " m! x3 S9 S$ q$ V  ]& ]0 j: Y4 N
    ; z4 |$ D0 S; S3 m2 _3 |9 T/ l( S" e  h+ |# D0 B/ c1 s7 y- C9 E
    圖28展示懸臂梁長(zhǎng)度為200 μm時(shí)的von Mises應(yīng)力分布,應(yīng)力值相比100 μm有所增加; m, m3 C- E$ V7 D( U

    7 y' Z  k+ u1 g; [! O; i$ S9 S
    7 t( n6 d' t' t* u. E# K, X圖29呈現(xiàn)懸臂梁長(zhǎng)度為300 μm時(shí)的von Mises應(yīng)力狀態(tài),顯示更高的應(yīng)力集中/ @* ?" |2 A1 L& m
    9 {. d1 M6 B9 m

    ( U8 z: H$ N* I$ n2 L+ l圖30描述懸臂梁長(zhǎng)度為400 μm時(shí)的von Mises應(yīng)力分布,固定端應(yīng)力繼續(xù)增大
    ) u0 d8 L  l& F2 W+ ~- }; J/ P0 A3 G0 \- D

    5 a: m) U! t& R圖31展示懸臂梁長(zhǎng)度為500 μm時(shí)的von Mises應(yīng)力分析結(jié)果,表明當(dāng)梁長(zhǎng)度達(dá)到最大值時(shí),在固定端產(chǎn)生最大的應(yīng)力集中. p5 a0 |& ]+ L4 b( k
    . D, W7 \9 W4 Y; T- C

    % h8 l7 U) I* E4 v圖32顯示懸臂梁長(zhǎng)度為100 μm、梁厚度5 μm時(shí)的電勢(shì)分布,在固定端產(chǎn)生較小的電勢(shì)值
    3 E9 r/ J- O8 o* I( C( {2 H7 m# Y$ C1 z9 |  `7 Q
    7 X/ b0 w! q. X& L! Q" l+ H8 J
    圖33展示懸臂梁長(zhǎng)度為200 μm時(shí)的電勢(shì)分布,電勢(shì)值有所增加. U# d3 K* P+ A+ b' U5 M

    ) ]! l4 C; t* Q* V+ Q) d3 S+ _. ?& a2 j. ?
    圖34呈現(xiàn)懸臂梁長(zhǎng)度為300 μm時(shí)的電勢(shì)分布狀態(tài),顯示更高的電勢(shì)產(chǎn)生  ~9 f% J3 Y: o3 I6 L7 ]- P. b! ~+ l9 k
    . N( F8 ^! ?+ G- P% `2 z5 J3 f7 @, a  ]
    / V5 o6 X. ~0 r8 K" w( `
    圖35描述懸臂梁長(zhǎng)度為400 μm時(shí)的電勢(shì)分布,電勢(shì)值進(jìn)一步提高+ A6 c9 V8 i8 c8 d- a

    0 H+ S! B0 h, J2 C5 w2 ~. Y' }, t" H! o
    圖36展示懸臂梁長(zhǎng)度為500 μm時(shí)的電勢(shì)分析結(jié)果,表明在最大梁長(zhǎng)度下獲得最高的電勢(shì)輸出,驗(yàn)證了電勢(shì)隨梁長(zhǎng)度增加而增大的特性9 R( @4 t! E1 G: x8 h; t: J

    2 i8 s( V5 J" E) O) |關(guān)于梁參數(shù)的主要發(fā)現(xiàn)包括:! h! `) g- j' q0 q5 E
    1. 長(zhǎng)度效應(yīng):3 i% ^* P) u6 M0 @! R3 T6 Q! s8 o
  • 梁長(zhǎng)度從100 μm增加到500 μm顯著提高位移
  • 較長(zhǎng)的梁產(chǎn)生更高的應(yīng)力值和電勢(shì)
  • 器件尺寸隨梁長(zhǎng)度成比例增大
    : U1 c2 i. k2 y) I( o

    4 v  e( K- v, z! k2. 厚度影響:
    7 x# k& i6 ^9 d  x0 y/ F3 C
  • 較厚的梁由于剛度增加而減小位移
  • 應(yīng)力水平隨梁厚度增加而降低
  • 電勢(shì)產(chǎn)生與梁厚度成反比
  • 更高的厚度增加諧振頻率
    ( `5 V" Y7 e  r3 u
    # K( q) G8 F% W" f7 u1 ?
    P-VEH器件的優(yōu)化設(shè)計(jì)需要仔細(xì)考慮這些參數(shù)以獲得期望的性能特征。對(duì)于低頻應(yīng)用,具有適中厚度的較長(zhǎng)梁由于較低的諧振頻率和對(duì)環(huán)境振動(dòng)的較高靈敏度而表現(xiàn)更好。
    + [+ C4 W" [- u- k' M6 U6 X- x8 x4 c' _& e8 i
    全面的分析為設(shè)計(jì)針對(duì)特定應(yīng)用需求的P-VEH器件提供了有價(jià)值的見解,幾何參數(shù)與性能指標(biāo)之間的相互作用使工程師能夠在保持結(jié)構(gòu)完整性和運(yùn)行穩(wěn)定性的同時(shí),優(yōu)化器件設(shè)計(jì)以獲得最大的能量收集效率。1 M4 e4 h: J& A, }& W5 @0 `

    8 R- T/ ?% o8 i! b: V, G. p' [參考文獻(xiàn)
    & z7 O( H5 Y0 b: o. Z) R[1] S. Saxena, R. Sharma, and B. D. Pant, "Design and Development of MEMS based Guided Beam Type Piezoelectric Energy Harvester," in Energy Systems in Electrical Engineering. Singapore: Springer Nature Singapore Pte Ltd., 2021.
    , H' @5 [2 {, [- v3 a$ `4 o! w' E  y& d7 Q; k! Q, c& e' ^9 W
    END( r' y' J* a1 ?7 P% C4 P

    6 W# X" E" |8 f9 [& i( [; e
      W4 U$ K  H8 d# r8 G# F% h軟件申請(qǐng)我們歡迎化合物/硅基光電子芯片的研究人員和工程師申請(qǐng)?bào)w驗(yàn)免費(fèi)版PIC Studio軟件。無論是研究還是商業(yè)應(yīng)用,PIC Studio都可提升您的工作效能。
    3 B# x5 s* Z( Z點(diǎn)擊左下角"閱讀原文"馬上申請(qǐng)
    7 e9 H+ j8 C9 x% a8 [6 u) K+ ^. W( h9 E4 z: y8 _6 k% p
    歡迎轉(zhuǎn)載
    7 `9 y* U: I. G- Q" g* N8 U0 u) o  U& f) ^7 S( r+ ?5 \- j6 x1 p
    轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處,請(qǐng)勿修改內(nèi)容和刪除作者信息!
    - C8 T. a' I. u9 {/ Z
    5 n# f6 G9 o" o6 O, [: ]3 E( r% @
    2 y* U8 C1 f, i  t
    8 F  A9 l) U' G3 a' o/ c( K
    7 T; Y$ y0 b% o8 F5 b0 p3 i

    ! y0 @% E! W- E/ w關(guān)注我們
    + ?4 m  }' ?0 z- w/ J2 ~, e* O' U
    8 ?0 k5 Y2 j* U; e. Q# Y
    " \/ ]. u, X; y$ V. Q

    5 ?+ P. b4 B- `2 t5 Z9 k% E
    8 P- D$ D+ n5 t: C8 p
    $ a7 ^2 o: Y) V* c' {7 S

    " g% o) O2 n. y, H" X6 C
      g* z1 m: m8 M
                          1 l4 I' O0 s/ ^  _. h/ J* T& ?

    % G3 Z* z1 k% q* `: Y: T5 y

    . F! K- `7 j& D$ Z1 ~/ |9 B: c$ X" b* g$ K+ m
    關(guān)于我們:9 W3 _5 n* I& u8 g: y
    深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專注于半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開發(fā)特色工藝芯片設(shè)計(jì)和仿真軟件,提供成熟的設(shè)計(jì)解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對(duì)光電芯片、微機(jī)電系統(tǒng)、超透鏡的設(shè)計(jì)與仿真。我們提供特色工藝的半導(dǎo)體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務(wù),廣泛服務(wù)于光通訊、光計(jì)算、光量子通信和微納光子器件領(lǐng)域的頭部客戶。逍遙科技與國(guó)內(nèi)外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動(dòng)特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶提供前沿技術(shù)與服務(wù)。* n, ^, H8 c( v& M( l

    + F& c( ]4 `4 y2 ?) i7 thttp://www.latitudeda.com/% P0 \+ u5 a+ e
    (點(diǎn)擊上方名片關(guān)注我們,發(fā)現(xiàn)更多精彩內(nèi)容)
  • 發(fā)表回復(fù)

    本版積分規(guī)則


    聯(lián)系客服 關(guān)注微信 下載APP 返回頂部 返回列表