光子集成相控陣的低旁瓣

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光子集成相控陣是各種應(yīng)用中的重要組件，包括光通信、傳感和成像系統(tǒng)。影響這些陣列性能的關(guān)鍵因素之一是旁瓣電平。高旁瓣會(huì)導(dǎo)致發(fā)射光相控陣中的干擾、功率浪費(fèi)和系統(tǒng)效率降低，同時(shí)也會(huì)對(duì)接收光相控陣造成干擾。本文將探討設(shè)計(jì)低旁瓣光相控陣的方法，重點(diǎn)關(guān)注均勻和非均勻陣列配置[1]。
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理解光相控陣
在深入探討低旁瓣設(shè)計(jì)技術(shù)之前，了解光相控陣的基礎(chǔ)知識(shí)很有必要。具有N個(gè)天線(xiàn)的一維光相控陣的遠(yuǎn)場(chǎng)輻射模式由以下公式給出：2 p. ]) c) F' Z! c  C
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; g* Z# i1 C" Y/ I- j3 {* ]E(θ) = ∑[n=1 to N] An e^(j(2π/λ)xn(sin θ - sin θs))