劉春平-2xDDR3

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布局原則

1，數(shù)據(jù)線串接電阻一般放在DDR與控制器中間，并聯(lián)電阻靠近串接電阻放置，DM信號(hào)是數(shù)據(jù)線的掩碼，并聯(lián)電阻放在DDR端
2，地址線、控制線、時(shí)鐘線是單向傳輸。串聯(lián)電阻靠近控制端，多個(gè)DDR使用遠(yuǎn)端分支，分支盡量短且等長(zhǎng)，并電阻放DDR端第一個(gè)T點(diǎn)處
布線要求
1，特性阻抗：?jiǎn)味?0歐，差分100歐
2，1個(gè)DDR時(shí)，數(shù)據(jù)線每10根盡量走同一層
3，兩片以上的DDR布線拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)優(yōu)選遠(yuǎn)端分支，T點(diǎn)的過(guò)孔打在兩片DDR中間
4，非DDR信號(hào)不得以DDR電源為參考，且DDR信號(hào)與參考平面邊沿至少30-40mil
5，數(shù)據(jù)線最大長(zhǎng)度盡量不超過(guò)2500mil，且正負(fù)誤差25mil，地址線誤差正負(fù)100mil