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光電子集成芯片的光纖熔接封裝技術介紹

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發(fā)表于 2024-11-25 08:01:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
引言0 K- e3 h' N. Y: \4 U
在現代光通信和信息處理系統(tǒng)中,光纖與光電子集成芯片的連接是關鍵技術挑戰(zhàn)。硅基光電子和氮化硅光電子技術利用CMOS制造工藝實現了光電器件的集成。光纖和硅基光電子芯片之間的高效耦合對實現集成光電子系統(tǒng)的完整功能具有重要意義。; p% d" O  S- @2 h% M/ R
- t3 F( _3 x- a
傳統(tǒng)的光纖連接方法通常依賴體積較大的固定裝置和光學粘合劑,這在低溫應用中會受到限制。本文介紹一種創(chuàng)新的光纖熔接技術,可實現穩(wěn)定且低損耗的光纖到芯片的封裝[1]。
6 M$ v: h( Z2 q5 v9 D$ m
: B! i( c' U* u5 Z1 n( V$ y6 y
, N# t% D6 E) x/ m  ]! G波導結構與設計
5 x9 n- I1 j. M) p) y; C首先了解熔接實驗中使用的波導基本結構。該平臺由氮化硅(SiN)層構成,具有專門設計的尺寸以實現最佳光傳輸效果。
0 h1 D2 y" n% y3 ~
( E- I- ~) g5 R5 Z. t) U圖1:用于光纖熔接測試的波導結構示意圖,顯示平面圖和立面圖。0 Y3 V1 Z; Z7 N+ Q7 Q

; h, {1 o% }+ b; D實驗設置
3 C$ ]7 P1 w" _6 F' S* y" \熔接過程需要精密的對準和受控的激光加熱。系統(tǒng)使用額定功率為10瓦的二氧化碳激光器,通過機械快門的脈寬調制來控制功率輸出。5 x1 O2 s7 t  o$ s2 S4 w5 c! ~

" A, y* D. R2 _( G; u( X1 W圖2:完整的光纖芯片熔接設置示意圖。
4 c" T! {- B! Z# L- ~
1 M! f( C- v3 u& P8 q圖中展示了熔接設置的組件布局,顯示輸入信號光纖如何與光波導芯片熔接,以及輸出光纖的監(jiān)測能力。
' q1 ~/ d  A$ \- ^; a( Z2 G
2 E4 M6 }' X$ N+ ?7 o4 Q工藝參數與優(yōu)化
4 _9 q5 a( q+ q1 w  r! W% a% T光纖熔接的效果取決于多個關鍵參數,包括激光功率、施加力度和熔接條件。通過嚴謹的實驗,研究人員確定了實現低損耗連接的最佳條件。
0 n6 J8 y! X1 H8 `3 v6 s# d
# @: R. S; y( O圖3:光纖熔接參數的綜合評估,包括:(a)光纖與硅芯片熔接的顯微照片,(b)耦合損耗與熔接激光功率的關系,(c)熔接前推力與耦合損耗的關系,(d)推力與熔接強度的關系。
* g( U: u  j% u" n' D, t6 C
4 W, ?8 I1 ?( O) A- o性能與可靠性分析- M& e; T/ S! i1 a% P5 L
熔接連接的長期性能和可靠性對實際應用非常重要。波長依賴性和溫度循環(huán)效應為這種技術的穩(wěn)定性提供了重要見解。
1 _' k' Z7 j% x# `; S
5 D& i# r9 |& y% B) S9 f: y1 _圖4:性能測試結果:(a)跨波長范圍的耦合損耗,(b)溫度循環(huán)后的耦合損耗。) s; `7 L3 I! s1 {% M1 M) @

$ x. e  v0 ^  q1 i% f* O技術優(yōu)勢與實施
$ Z! Y8 ]; d2 S( J; M+ w' }, b這種熔接技術比傳統(tǒng)方法具有多項優(yōu)勢。首先,無需在光纖-芯片接口處使用環(huán)氧樹脂,減少了粘合劑退化帶來的潛在問題。其次,工藝速度快,通常在一秒內即可完成,而傳統(tǒng)的環(huán)氧樹脂方法需要幾分鐘。, y7 V: a" o! a6 U3 p: M6 K

: K1 C& I% [7 R- g0 r# H; O熔接參數的優(yōu)化揭示了機械強度和光學性能之間的關系。增加熔接時的力度可以提高機械穩(wěn)定性,但可能導致更高的光學損耗。因此,找到適當的平衡點對獲得最佳效果非常重要。) F8 g0 p+ y% g8 w" m1 L, V
6 J( B, P( _  ^* E" h
溫度性能與穩(wěn)定性
9 W+ N, b5 x7 v- q) Y$ u  k溫度循環(huán)測試證明了該技術的穩(wěn)定性,熔接樣品在193 K到293 K之間進行多次循環(huán)后,性能降低很小。這種穩(wěn)定性使該技術特別適合需要在寬溫度范圍內運行的應用。
5 h3 P0 K6 H* o+ i: M( z5 u: d
# C% Q* `7 F0 }" N$ j2 Y, ~, \關鍵參數與性能指標2 |- U# r% v1 f% R- ^
光纖熔接的成功依賴于對以下參數的精確控制:5 d2 I# X- q: l. K  E
  • 激光功率(優(yōu)化為1.0瓦以獲得最小插入損耗)
  • 曝光時間(通常為0.1秒)
  • 熔接時的施加力度(優(yōu)化為0.02牛頓)
  • 光纖和芯片表面的物理接觸
    7 h7 e, m4 `1 w0 W8 X7 B' |

    9 q8 L% W  ^1 B6 ^+ e6 K7 q該技術展現了優(yōu)異的性能指標:
    9 g# e5 S/ q5 N3 ~
  • 每個端面的耦合損耗減少0.5分貝
  • 在120納米波長范圍內性能穩(wěn)定
  • 溫度循環(huán)后性能降低很。ㄎ鍌循環(huán)后僅增加0.3分貝)' s6 I4 j' N: y  O: ^
    7 ~. r* p& W4 y# t% l% V$ S
    應用展望3 s7 k& p. k2 @' Q7 ?7 o
    這種方法在光電子封裝技術領域代表了重要進展,可以創(chuàng)建穩(wěn)定的光纖到芯片連接。在保持低光學損耗的同時具有良好的溫度循環(huán)耐受性,適合苛刻環(huán)境或需要低溫運行的應用。. Q8 y: ^( [  Y6 v# a. }

    ' O: {0 u; x0 @消除光纖-芯片接口處的環(huán)氧樹脂不僅簡化了工藝,還避免了粘合劑退化或熱膨脹不匹配帶來的潛在問題。這使得該技術特別適合需要長期穩(wěn)定性和可靠性的應用。
    * _2 u5 ]* Y- {: m2 h
    3 J4 b9 M7 R. o$ y參考文獻
    ( I7 O$ R- S" b# M, p* R! y[1] Hutchins et al., "Fiber-to-Chip Packaging With Robust Fiber Fusion Splicing for Low-Temperature Applications," IEEE Photonics Technology Letters, vol. 36, no. 19, pp. 1209-1212, 1 Oct. 2024, doi: 10.1109/LPT.2024.3452039.
    ) N: ^+ s- _/ e, ^2 M: o7 f; L
    , K& z9 r: G: K( E) a  W  z$ uEND
    9 a6 T  r9 X& m2 ^

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    # S! L4 V) z! R5 e' o歡迎轉載. e$ p2 I6 x5 p1 h5 a8 z, S5 }9 f

    ( _! d; o# |6 p9 V& \: b轉載請注明出處,請勿修改內容和刪除作者信息!
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