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引言/ C# K# F" [" d0 N! K* A: @& J0 U" g% w
在現(xiàn)代光通信和信息處理系統(tǒng)中,光纖與光電子集成芯片的連接是關(guān)鍵技術(shù)挑戰(zhàn)。硅基光電子和氮化硅光電子技術(shù)利用CMOS制造工藝實(shí)現(xiàn)了光電器件的集成。光纖和硅基光電子芯片之間的高效耦合對(duì)實(shí)現(xiàn)集成光電子系統(tǒng)的完整功能具有重要意義。& W& j% d7 i S; T' ` c
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傳統(tǒng)的光纖連接方法通常依賴體積較大的固定裝置和光學(xué)粘合劑,這在低溫應(yīng)用中會(huì)受到限制。本文介紹一種創(chuàng)新的光纖熔接技術(shù),可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定且低損耗的光纖到芯片的封裝[1]。
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4 |# p/ k0 b: { }4 Z波導(dǎo)結(jié)構(gòu)與設(shè)計(jì)
~4 l3 G6 c5 Z首先了解熔接實(shí)驗(yàn)中使用的波導(dǎo)基本結(jié)構(gòu)。該平臺(tái)由氮化硅(SiN)層構(gòu)成,具有專門設(shè)計(jì)的尺寸以實(shí)現(xiàn)最佳光傳輸效果。& k @, f( p1 M
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圖1:用于光纖熔接測(cè)試的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)示意圖,顯示平面圖和立面圖。0 A6 o% v. G) ^# k2 i$ p
) {5 a0 z" K2 K. W; \* o實(shí)驗(yàn)設(shè)置. g0 H( t1 ]2 r7 y) |& C, F {
熔接過(guò)程需要精密的對(duì)準(zhǔn)和受控的激光加熱。系統(tǒng)使用額定功率為10瓦的二氧化碳激光器,通過(guò)機(jī)械快門的脈寬調(diào)制來(lái)控制功率輸出。
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) r% t; ?/ `9 h圖2:完整的光纖芯片熔接設(shè)置示意圖。
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% b( \: j, y9 {' W: x8 N3 v圖中展示了熔接設(shè)置的組件布局,顯示輸入信號(hào)光纖如何與光波導(dǎo)芯片熔接,以及輸出光纖的監(jiān)測(cè)能力。
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0 i6 `* V* E' Z x$ k工藝參數(shù)與優(yōu)化
+ Y4 ^+ k- x2 J6 M6 ^光纖熔接的效果取決于多個(gè)關(guān)鍵參數(shù),包括激光功率、施加力度和熔接條件。通過(guò)嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膶?shí)驗(yàn),研究人員確定了實(shí)現(xiàn)低損耗連接的最佳條件。
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" _' e1 q/ X4 @7 T- Y# Y圖3:光纖熔接參數(shù)的綜合評(píng)估,包括:(a)光纖與硅芯片熔接的顯微照片,(b)耦合損耗與熔接激光功率的關(guān)系,(c)熔接前推力與耦合損耗的關(guān)系,(d)推力與熔接強(qiáng)度的關(guān)系。8 F' |3 R% o" ?, g. t5 B) `
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性能與可靠性分析) A n9 x3 D3 W0 ?
熔接連接的長(zhǎng)期性能和可靠性對(duì)實(shí)際應(yīng)用非常重要。波長(zhǎng)依賴性和溫度循環(huán)效應(yīng)為這種技術(shù)的穩(wěn)定性提供了重要見(jiàn)解。
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圖4:性能測(cè)試結(jié)果:(a)跨波長(zhǎng)范圍的耦合損耗,(b)溫度循環(huán)后的耦合損耗。, C; M I9 e7 u! u1 V2 D
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技術(shù)優(yōu)勢(shì)與實(shí)施7 P" o9 ?: i8 P" s3 C
這種熔接技術(shù)比傳統(tǒng)方法具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。首先,無(wú)需在光纖-芯片接口處使用環(huán)氧樹脂,減少了粘合劑退化帶來(lái)的潛在問(wèn)題。其次,工藝速度快,通常在一秒內(nèi)即可完成,而傳統(tǒng)的環(huán)氧樹脂方法需要幾分鐘。+ C' H, O8 b% X- V
( T2 O4 g# X* L( k熔接參數(shù)的優(yōu)化揭示了機(jī)械強(qiáng)度和光學(xué)性能之間的關(guān)系。增加熔接時(shí)的力度可以提高機(jī)械穩(wěn)定性,但可能導(dǎo)致更高的光學(xué)損耗。因此,找到適當(dāng)?shù)钠胶恻c(diǎn)對(duì)獲得最佳效果非常重要。
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溫度性能與穩(wěn)定性9 e+ J8 I. Y- X
溫度循環(huán)測(cè)試證明了該技術(shù)的穩(wěn)定性,熔接樣品在193 K到293 K之間進(jìn)行多次循環(huán)后,性能降低很小。這種穩(wěn)定性使該技術(shù)特別適合需要在寬溫度范圍內(nèi)運(yùn)行的應(yīng)用。+ t& V. C) v9 q
1 \# i! }4 Q9 [, w3 D關(guān)鍵參數(shù)與性能指標(biāo)
7 E5 C/ F. l' P: w光纖熔接的成功依賴于對(duì)以下參數(shù)的精確控制:
. Q+ E0 @% |; a+ p- z: j' v激光功率(優(yōu)化為1.0瓦以獲得最小插入損耗)曝光時(shí)間(通常為0.1秒)熔接時(shí)的施加力度(優(yōu)化為0.02牛頓)光纖和芯片表面的物理接觸3 C: u2 T9 w- [" \
! l) x9 Y3 I, H- i; x. s! h
該技術(shù)展現(xiàn)了優(yōu)異的性能指標(biāo):' x5 z/ {% L, }) U1 U+ @8 o9 z
每個(gè)端面的耦合損耗減少0.5分貝在120納米波長(zhǎng)范圍內(nèi)性能穩(wěn)定溫度循環(huán)后性能降低很。ㄎ鍌(gè)循環(huán)后僅增加0.3分貝)
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應(yīng)用展望' @3 {2 I: T8 W
這種方法在光電子封裝技術(shù)領(lǐng)域代表了重要進(jìn)展,可以創(chuàng)建穩(wěn)定的光纖到芯片連接。在保持低光學(xué)損耗的同時(shí)具有良好的溫度循環(huán)耐受性,適合苛刻環(huán)境或需要低溫運(yùn)行的應(yīng)用。% c2 U `9 u9 Y" K4 q0 t; ?: U/ @* v
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消除光纖-芯片接口處的環(huán)氧樹脂不僅簡(jiǎn)化了工藝,還避免了粘合劑退化或熱膨脹不匹配帶來(lái)的潛在問(wèn)題。這使得該技術(shù)特別適合需要長(zhǎng)期穩(wěn)定性和可靠性的應(yīng)用。2 C/ j4 _ z0 W3 d9 g' \' ~. W
1 u6 h" p0 ]0 n' b2 W8 z: ?參考文獻(xiàn)
! p/ ?; q% ~ e l7 P[1] Hutchins et al., "Fiber-to-Chip Packaging With Robust Fiber Fusion Splicing for Low-Temperature Applications," IEEE Photonics Technology Letters, vol. 36, no. 19, pp. 1209-1212, 1 Oct. 2024, doi: 10.1109/LPT.2024.3452039.
, L: B' f' n8 n) u$ o+ d, L8 X% f; K& }7 ?, Y
END
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深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專注于半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開(kāi)發(fā)特色工藝芯片設(shè)計(jì)和仿真軟件,提供成熟的設(shè)計(jì)解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對(duì)光電芯片、微機(jī)電系統(tǒng)、超透鏡的設(shè)計(jì)與仿真。我們提供特色工藝的半導(dǎo)體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務(wù),廣泛服務(wù)于光通訊、光計(jì)算、光量子通信和微納光子器件領(lǐng)域的頭部客戶。逍遙科技與國(guó)內(nèi)外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動(dòng)特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶提供前沿技術(shù)與服務(wù)。
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