SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步 ,同步是指 工作需要同步時鐘,內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準;動態(tài)是指 需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失;隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲,而是自由指定地址進行數(shù)據(jù)讀寫。
其布局的原則主要是:
1、SDRAM其地址線、控制線、時鐘線所在區(qū)域的中心和數(shù)據(jù)線所在區(qū)域的中心到CPU的距離一般為:
當二者之間無排阻時:900mil——1000mil;
當二者之間有排阻時:1000mil——1300mil;
2、當有兩片SDRAM時,一般相對于CPU嚴格對稱,可以是頂?shù)讓N,也可以是與CPU放在同一面上(但就個人認為還是放在同一面上);
布局結(jié)束后就是進行扇孔(放置過孔),一般過孔為8mil*16mil(孔徑*外徑)
其布線的原則主要有:
1、信號線的線寬一般為5mil;
2、信號線之間的間距要保持在大于等于3W(一根信號線的中心到另一根相鄰信號的中心的距離);
3、等長處理時(手工等長時),其也必須滿足3W原則;
4、數(shù)據(jù)線等長處理的誤差范圍需控制在+/-50mil;
地址線誤差范圍控制在+/-100mil;
5、在布線時可以采用T點和菊花鏈這兩種形式;
注意事項:
1、在布線時需要防止出現(xiàn),如圖底層所示情況;
2、等長時,需盡量采用類似于咬合的方式,盡量使信號線能夠等間距;
3、設置CLASS時,需將數(shù)據(jù)線和其他信號線分開設置;
4、層疊方面的設置:
放置元器件的頂層,其下一層為GND層(負片),并且GND層較板框內(nèi)縮20mil,PWR層(負片)較GND層要內(nèi)縮40mil,即需要
滿足20H原則;
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