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[PCB技術] 【科普】DDR5 vs DDR4的不同點

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發(fā)表于 2020-7-15 22:12:52 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式

本文來源:微信公眾號:信號完整性 作者:蔣修國

關于DDR5的內容揭秘的還不是非常多,但是隨著規(guī)范的release,會有越來越多的相關內容會出來,本文主要是針對本人理解的幾個點來做介紹,并不是最完善的,歡迎大家添磚加瓦。


蔣修國 /文

前面也給大家分享了DDR5的仿真與測試,由于規(guī)范沒有發(fā)布,所以很多時候看得并不是很理解。隨著DDR5規(guī)范發(fā)布腳步的越來越近,JEDEC規(guī)范的會員到時候就能拿到全文內容。

為了讓大家簡單而快速的有一些印象,本文只是對DDR5和DDR4不同點的做了一個簡單對比:


   下面分別介紹下這表中列舉的7個顯著不同點:

1、速率

速率是變化是每一代總線必不可少的一部分。DDR5的最高速率可以達到了6.4Gbps,與以往的總線發(fā)展一樣,在開始階段6.4Gbps的規(guī)范其實還沒有完全定義好,看到有些廠商也只做到了4.8G。速率的提升使時序裕量越來越小,給信號完整性設計帶來極大的挑戰(zhàn)。


2、電壓

電壓從1.2V將會變到1.1V,下降了8.3%,這是幾代DDR總線以來下降比例最少的一次。說明電子技術的發(fā)展,對于低功耗的設計難度越來越大。這么低的電壓,其抗干擾設計就會更加的難。對于電源完整性和信號完整性的設計要求就越來越嚴苛。


3、均衡

雖然在DDR4的設計中有一些場景也有使用均衡,但是常規(guī)芯片中并沒有使用DFE的均衡技術。但是DDR5的速率提升,已經達到了驚人的6.4Gbps,使信號的ISI、串擾、抖動等都會變得更加嚴重,需要通過均衡技術來調整信號的質量。但是均衡也會導致功耗變大。



4、ODT

DDR5很大的一個變化來自于ODT。這與ODT的應用傳統(tǒng)是一樣的,在DDR4時,只有DQ/DQS/DM作為接收端時有使用ODT,而在DDR5這一代總線中,DQ/DQS/DM繼續(xù)保有ODT功能,在CA這類信號中也使用了ODT。這樣在多拓撲結構設計時就更簡單啦。


5、容量變大

單顆DRAM的容量變得更大,DDR5的單顆容量可以達到32Gb。


6、Burst length

Burst length變長, DDR4的burst length為8,而DDR5達到了16。這就使得DDR5的并發(fā)性在DDR4的基礎上提升了一倍,這一技術也使得信號更高效的傳遞。


7、Prefetch

從DDR3到DDR4這一代總線的發(fā)展,prefetch是沒有變化的,不知道是不是當時有些問題沒有突破,但是DDR5這一代總線,依然借助于prefetch來提升信號傳遞的速率。


雖然本文只介紹了這7個不同點,實際上從現在的DDR5規(guī)范來看,還是有非常多的變化,比如增加了CA的眼圖要求,等等,DDR5規(guī)范的內容都比之前增加了100多頁。


聲明:本文來源于微信公眾號:信號完整性 作者:蔣修國,版權歸原作者所有。

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