MS2510描述
MS2510 是 8 比特,20MSPS 模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADCs),同時使用一個半閃速結(jié)構(gòu)。MS2510在 5V 的電源電壓下工作,其典型功耗只有 130mW,包括一個內(nèi)部的采樣保持電路,具有高阻抗方式的并行輸出口以及內(nèi)部基準電阻。
與閃速轉(zhuǎn)換器(flash converters)相比,半閃速結(jié)構(gòu)減少了功耗和晶片尺寸。通過在 2步過程(2-step process)中實現(xiàn)轉(zhuǎn)換,可以大大減少比較器的數(shù)目。轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)等待時間為 2.5個時鐘。
MS2510 有兩種工作模式。模式一使用 3 個內(nèi)部基準電阻連接 VDDA 可產(chǎn)生標準的2V(5VDD)/1.3V(3.3VDD)滿度轉(zhuǎn)換范圍。為了實現(xiàn)此選項僅需外部跳線器。模式二通過內(nèi)部電阻區(qū)產(chǎn)生標準的 4V 滿度轉(zhuǎn)換范圍。這減少了對外部基準或電阻器的需求。差分線性度在25℃溫度下為 0.5LSB,在整個工作溫度范圍內(nèi)的最大值是 0.75LSB。用差分增益 1%和差分相位為 0.7%可以規(guī)定動態(tài)特性范圍。
MS2510 的工作溫度范圍從-20℃至 75℃。
應用范圍
數(shù)字電視
多媒體圖像處理
視頻會議
高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換
正交調(diào)制解調(diào)器
特點:
模擬信號輸入范圍:
-模式一…2V MAX
-模式二…4V MAX
8 比特分辨率
積分線性誤差
±0.75 LSB(25℃)
±1 LSB(-20℃-75℃)
微分線性誤差
±0.5 LSB(25°C)
±0.75 LSB(-20℃-75℃)
最快轉(zhuǎn)換頻率
20MSPS
3.3V/5V 單電源工作
低功耗
模式一…127.5mW
模式二…150mW
管腳圖
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輸入/輸出結(jié)構(gòu)示意圖
9 O! S! S4 I( {- H8 C' o( F' v) J
' v2 M' m) P2 s6 b* c3 E電學特性
VDD=5V,VREFT=2.5V,VREFB=0.5V,f(CLK)=20MHz,TA=25oC 時的電學特性(除特別說明外)
數(shù)字 I/O
& g/ }, q5 v) H* d2 M% _+ l
, b6 s* J! x# }% M, R5 O; c) W$ b
9 a9 T! v( i {. p0 R0 j$ h/ G
$ O5 x: ]3 B5 y; B& I工作特性
工作條件 VDD=5V,VREFT=2.5V,VREFB=0.5V,f(CLK)=20MHz,TA=25oC 時(除非特別說明
外)
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功能說明
MS2510 是具有兩個低位比較器塊的半閃速(semiflash)ADC(每四位一個比較器)。如圖 3 所示,輸入電壓 VI(1)在 CLK1 的下降沿采樣入高位比較器塊和低位比較器塊(A),S(I)。高位比較器塊在 CLK2 上升沿確定高位數(shù)據(jù) UD(1),同時,低基準電壓(lower referencevoltage)產(chǎn)生與高位數(shù)據(jù)相對應的電壓 RV(1)。低位比較器塊(A)在 CLK3 上升沿確定低位數(shù)據(jù) LD(1)。VD(1)和 LD(1)在 CLK4 的上升沿組合在一起并輸出為 OUT(1)。根據(jù)上面所述的內(nèi)部操作,輸出數(shù)據(jù)滯后模擬輸入電壓采樣點 2.5 個時鐘。輸入電壓 VI(2)在 CLK2 下降沿被采樣,UD(2)在 CLK3 的上升沿最后確定,LD(2)在 CLK4 的上升沿被低位比較器塊(B)最后確定。OUT(2)在 CLK5 上升沿輸出。
內(nèi)部基準
工作模式
MS2510 具有三個內(nèi)部電阻以便能產(chǎn)生內(nèi)部基準電壓。這些電阻連接到 VDDA,REFT,REFB 以及 AGND。
內(nèi)部產(chǎn)生的基準電壓,如圖 4 所示那樣連接。這種連接提供用于額定數(shù)字輸出的標準視頻 2V 基準。
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+ J! }; l! {; Q5 Q- E$ W9 G強度超出所列的極限參數(shù)可能導致器件的永久性損壞,這些僅是極限參數(shù),并不意味著
在極限參數(shù)條件下或在任何其他超出推薦工作條件下所示參數(shù)的情況下器件能有效地
工作。 延長在極限參數(shù)條件下的工作時間會影響器件的可靠性。
應用資料
以下注記是應當與 MS2510 一起使用的設計推薦項。
為了減少系統(tǒng)噪聲,外部模擬和數(shù)字電路應當實際上分離開來并盡可能屏蔽。
MS2510 的 PIN9(VDDD)與 PIN11(VDDA)的供電,請串入 100 歐姆電阻隔離。
在整個評估和生產(chǎn)過程中應當使用射頻 (RF)試驗板或印制電路板 (PCB)技術(shù)。 用于測試評估(bench evaluation)的試驗板應當鍍銅。
因為 AGND 和 DGND 在內(nèi)部未連接,所以這些引腳需要在外部連接。采用試驗板時,這些地線應當通過具有良好電源旁路的單獨引線連接。為了使拾取的噪聲為最小,最好把隔開的雙鉸線電纜(separate twisted-pair cabels)用于電源線。在印制電路板布局上應用使用模擬和數(shù)字地平面。
VDD 至 AGND 和 VDDD 至 DGND 應當分別用 1μF 電容器去耦,去耦電容應當盡可能靠近它所影響的器件引腳處。對 0.01μF 電容,推薦使用陶瓷芯片電容器。對模擬和數(shù)字地,為了確保無固態(tài)噪聲(solid noise-free)的接地連接,試驗時應當小心。
VDD,AGND 以及 ANALOG IN 引腳應當與高頻引腳 CLK 和 D0-D7 隔離開來。當可能時,在印制電路板上 AGND 走線應當放在 ANALOG IN 走線的兩側(cè)以供屏蔽之用。
在測試與使用器件時,在感興趣的頻率范圍內(nèi)連接到模擬輸入端的驅(qū)動源電阻應當 是10Ω或更小的數(shù)值。
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