|
引言/ T/ N/ X% p. n1 w2 E8 N
pMaxwell RCWA 在其最新的0.6版本中引入了令人興奮的新功能,包括強(qiáng)大的可視化工具和折射率監(jiān)視器。這次更新大大提升了軟件顯示和分析仿真數(shù)據(jù)的能力。本文介紹這些新特性,包括一維和二維繪圖功能,以及獲取仿真結(jié)構(gòu)中指定界面的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率的方法。9 A2 ]% B" k; Q
4 m4 h6 ?# N% l5 y4 t
pMaxwell是PIC Studio光電設(shè)計(jì)與仿真方案的重要組成部分,在整個流程圖中位于右下角的元件部分。突顯了pMaxwell RCWA在光電子集成芯片設(shè)計(jì)和仿真過程中的關(guān)鍵角色。4 ^; ]' b! c0 M1 o2 a6 ?. A; x/ i
* _1 s, b1 \8 W W/ b6 A" i8 I" X
henh5drthkf64027017827.png (242.58 KB, 下載次數(shù): 1)
下載附件
保存到相冊
henh5drthkf64027017827.png
2024-9-12 13:30 上傳
! N4 s/ W. b* C Q9 M5 b$ w. Z0 w4 P q J9 r, N( w; x- s# h
0.6版本更新亮點(diǎn):
" d/ S; C. c- T1. 新增可視化功能:包括1D和2D數(shù)據(jù)的繪圖能力
6 I$ R }$ M1 a2 h8 b1 a2. 折射率監(jiān)視器:允許用戶獲取指定界面的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率6 G0 P4 E @! k* d+ u: O4 `
3. 增強(qiáng)的數(shù)據(jù)分析能力:使用戶能更深入地理解復(fù)雜光學(xué)結(jié)構(gòu)
3 A T6 x1 u9 r6 V9 I
$ m. X/ n' p: u a5 K這些新功能不僅提高了pMaxwell RCWA的實(shí)用性,還為用戶提供了更直觀、更全面的數(shù)據(jù)分析工具。接下來,我們將探討這些新功能的使用方法和應(yīng)用實(shí)例。" S. J. ?. F( c4 F
, V: X& U8 d5 Q3 S" t$ i) s
可視化功能- R- n6 [; X& E) v. k
一維繪圖 plot_1D 函數(shù)是0.6版本中新增的功能,允許用戶輕松可視化一維數(shù)據(jù)。其語法如下:, u9 N5 d" Q. V' M$ L
+ Y p8 E! m3 n {; s
plot_1D(x, y, data_type, **kwargs)
4 X2 R4 Q f. B0 V- b0 p* m/ @$ {& {參數(shù):
; p, N' Y0 T* T6 _! R, Rx:x軸數(shù)據(jù)范圍(一維數(shù)組或列表)y:需要可視化的數(shù)據(jù)(列表、元組或一維數(shù)組)data_type:要可視化的數(shù)據(jù)類型("real"、"image"或"abs")**kwargs:用于自定義繪圖的附加參數(shù)
. @- Q$ S* e9 p3 q5 q* [9 i G; d
0 r& s2 ]* b7 `, s! [
, t" ~# n* g) ?/ p
dj4ca3tjf0m64027017927.png (188.93 KB, 下載次數(shù): 2)
下載附件
保存到相冊
dj4ca3tjf0m64027017927.png
2024-9-12 13:30 上傳
; S& d# R& P3 {
圖1展示了0.6版本中新增的plot_1D()函數(shù),用于可視化菲涅爾方程數(shù)據(jù)的例子,顯示了導(dǎo)入必要模塊和設(shè)置繪圖的代碼片段。# e- Y9 K# d$ F( u* E2 M8 d6 ?* ]( I9 f
! t0 A V4 P. \' t二維繪圖 plot_2D 函數(shù)能夠可視化二維數(shù)據(jù):0 ~) P9 s1 q, L6 s; \" f2 r
5 A5 _& I7 b0 J3 y) D# _6 X/ Xplot_2D(x, y, data, data_type, **kwargs)
3 M5 N2 o; t4 q6 s5 V r參數(shù):3 T0 h& l( a, }5 s5 \( J
x:x軸數(shù)據(jù)范圍(一維數(shù)組或列表)y:y軸數(shù)據(jù)范圍(一維數(shù)組或列表)data:需要可視化的二維數(shù)組數(shù)據(jù)data_type:要可視化的數(shù)據(jù)類型("real"、"image"或"abs")**kwargs:用于自定義繪圖的附加參數(shù)
/ d$ r* w/ ?8 V4 {8 Q1 d! G
7 J: L! ?. F& |0 @; U' g! F% _3 p/ A: T$ B% o) T8 r
zekdsq34ui364027018028.png (214.86 KB, 下載次數(shù): 2)
下載附件
保存到相冊
zekdsq34ui364027018028.png
2024-9-12 13:30 上傳
9 ~' I: X5 J( n/ P圖2展示了使用plot_2D()可視化超透鏡單元結(jié)構(gòu)xz平面電磁場Ex分量實(shí)部的例子。
: e6 W5 U/ }% ~0 V( G P折射率監(jiān)視器" q$ h P$ @1 }: C6 ^
pMaxwell RCWA 現(xiàn)在包含了獲取仿真結(jié)構(gòu)中指定界面的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率的函數(shù):1 J8 F7 _9 X2 x7 e8 e
1. GetEpsMu_xy(mesh, layer_number)
7 w$ K, p5 W5 ]1 E9 I2. GetEpsMu_xz(mesh, z_info, y_position)& V( H( @4 y4 d& a6 s- I5 S
3. GetEpsMu_yz(mesh, z_info, x_position)- V! j$ i% D- }0 g; {' w: X
; u$ E5 P" _: [1 f, y! ?參數(shù):
( Q, v) H, Q/ B* l. f) ]) `mesh:仿真網(wǎng)格對象
/ R" }+ Y& K# f- R; K5 F3 }0 glayer_number:層標(biāo)記(-1表示入射層,0到N表示結(jié)構(gòu)層,N表示出射層)/ ?% H" }9 T8 ?* o5 `. o
z_info:z軸范圍和分辨率(start, stop, grid_number)
( f* N$ X" s0 a. f# ]* ^x_position:yz平面的x軸位置0 _( D3 ?" v1 m
y_position:xz平面的y軸位置7 g3 t" b4 ^! i7 g! o1 s
+ L/ c5 P A# X. O$ e
! M$ c4 D: ^& [( Q1 m
jtnvhbe24yj64027018128.png (188.33 KB, 下載次數(shù): 2)
下載附件
保存到相冊
jtnvhbe24yj64027018128.png
2024-9-12 13:30 上傳
( e, o/ W+ N# Q; z
圖3提供了使用GetEpsMu函數(shù)獲取xy、xz和yz平面介電常數(shù)的代碼片段示例。% h& V; n& v3 C0 U
3 c* T# B6 z5 P1 K! r* w
x5gi32nyfop64027018228.png (129.11 KB, 下載次數(shù): 1)
下載附件
保存到相冊
x5gi32nyfop64027018228.png
2024-9-12 13:30 上傳
$ S ~. O+ l9 u. {- v
圖4顯示了一維矩形光柵結(jié)構(gòu)的xy、xz和yz平面介電常數(shù)實(shí)部。
: y6 w- b9 x5 a
2 u6 F v$ x. C' s) U0 b4 r3 R. ?結(jié)構(gòu)參數(shù):
3 E$ m {7 p* H周期:300 nm/ o9 Y, h, K0 T+ m
寬度:200 nm8 h0 M! z8 r c1 N l- V
高度:300 nm
3 {' C& p }9 }& {8 {! ~" T硅折射率:4.22706 + 0.0599998j
& W$ {. ^) A/ C( ^8 \1 u二氧化硅折射率:1.4616(入射層)
3 {3 i, K( U5 C+ x2 Y [- ?. l5 Z7 o2 J9 a5 z$ E" `; w7 \
k04lzoez4yt64027018328.png (206.55 KB, 下載次數(shù): 3)
下載附件
保存到相冊
k04lzoez4yt64027018328.png
2024-9-12 13:30 上傳
; f! ~4 s; s/ Y7 ]
圖5顯示了一維傾斜光柵結(jié)構(gòu)的xy、xz和yz平面介電常數(shù)實(shí)部,其中坐標(biāo)原點(diǎn)已調(diào)整以提供更好的可視化效果。
; G; u8 A% F* l; c# Y
/ ^* k. x+ F6 Z+ F5 H) h結(jié)構(gòu)參數(shù):
/ @' h/ B/ K6 [4 F" b周期:393 nm填充系數(shù):0.5寬度:196.5 nm高度:300 nm傾斜角:60°空氣折射率:1.0光柵折射率:1.8分層數(shù):30; M8 G( Y. f, N9 P. m: e+ H: |9 }3 L1 N
1 E: e; R1 F3 V) K( `
6 a, Y! Q0 L8 x, e" m
yxulsyzr0tj64027018428.png (135.98 KB, 下載次數(shù): 2)
下載附件
保存到相冊
yxulsyzr0tj64027018428.png
2024-9-12 13:30 上傳
* }' A3 R. t% ?- j圖6顯示了二維金屬超表面結(jié)構(gòu)的xy、xz和yz平面介電常數(shù)實(shí)部。6 H+ O+ l+ {3 C6 h2 L9 r E8 j
/ C( N# J k1 U3 h5 L
結(jié)構(gòu)參數(shù):
5 ~9 E$ q4 F" `. n* [周期:0.4 μm高度h1:0.5 μm高度h2:0.04 μm長度L:0.2 μm寬度w:0.05 μm柱介電常數(shù):-14.8406 + 1.65i(銅)基底介電常數(shù):2.12001(玻璃)入射介質(zhì)介電常數(shù):1.0(空氣)出射介質(zhì)介電常數(shù):2.12001(玻璃)) I$ B3 ~5 b0 o1 W. z$ ?- a
9 j- n6 R; I/ I6 ]
hchwvbk0zeq64027018528.png (161.27 KB, 下載次數(shù): 3)
下載附件
保存到相冊
hchwvbk0zeq64027018528.png
2024-9-12 13:30 上傳
/ R# U( O+ D: S" g. o; }! B
圖7顯示了不規(guī)則結(jié)構(gòu)的xy、xz和yz平面介電常數(shù)實(shí)部,其中xz平面可視化經(jīng)過縮放以強(qiáng)調(diào)結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)。; c* t/ a! t; ^" y
/ p1 ]: D! m3 M1 o9 ?$ }7 j, a結(jié)構(gòu)參數(shù):/ ~! T8 p" _: O, L( {. L- z
周期:0.35 μm高度:1.3 μm柱介電常數(shù):4.1616基底介電常數(shù):2.12074入射介質(zhì)介電常數(shù):2.12074出射介質(zhì)介電常數(shù):1.0
: f7 q4 H1 `7 n5 b! w2 x% g2 a8 ^6 Q/ F* z
' L: V( s. ^& P4 S i& M6 j) I
fr42dmgrzza64027018629.png (140.65 KB, 下載次數(shù): 1)
下載附件
保存到相冊
fr42dmgrzza64027018629.png
2024-9-12 13:30 上傳
( O% V" F; o5 }: K |圖8顯示了由長方體和圓柱組成的雙層結(jié)構(gòu)的xy、xz和yz平面介電常數(shù)實(shí)部。3 e8 y. D9 _7 v c) M1 _
% v# M: P4 ?7 A( P; ]4 @ ]結(jié)構(gòu)參數(shù):( M# p( c* `) {: I+ d
周期:0.4 μm高度h1:0.5 μm高度h2:0.04 μm長度L:0.2 μm寬度w:0.05 μm柱介電常數(shù):-14.8406 + 1.65i(銅)基底介電常數(shù):2.12001(玻璃)入射介質(zhì)介電常數(shù):1.0(空氣)出射介質(zhì)介電常數(shù):2.12001(玻璃)
6 T% q. Q2 D# C6 I$ c結(jié)論/ H& c8 |3 \3 X- L7 v; h5 V# u
pMaxwell RCWA 的新增可視化功能和折射率監(jiān)視器為分析和可視化復(fù)雜光學(xué)結(jié)構(gòu)提供了強(qiáng)大的工具。通過利用這些特性,研究人員和工程師可以對仿真結(jié)果有更深入的理解,從而更有效地設(shè)計(jì)和優(yōu)化光學(xué)器件。輕松可視化一維和二維數(shù)據(jù)的能力,以及檢查不同平面上介電常數(shù)和磁導(dǎo)率的功能,提升了pMaxwell RCWA軟件的整體功能和用戶體驗(yàn)。這些新功能將幫助用戶更好地理解和分析復(fù)雜的光學(xué)系統(tǒng),為光電子技術(shù)、硅基光電子和光電共封裝等領(lǐng)域的發(fā)展提供有力支持。
& V% D# c* ^& z- ?. |) t
( D+ q' t9 g: B Q$ q3 w/ A* f- END -, f; @8 {4 w2 k' d' P1 Q& }( _' A
8 F4 V2 J, ^9 E* x$ n& V6 D
軟件申請我們歡迎化合物/硅基光電子芯片的研究人員和工程師申請?bào)w驗(yàn)免費(fèi)版PIC Studio軟件。無論是研究還是商業(yè)應(yīng)用,PIC Studio都可提升您的工作效能。
( }* `! R. ?7 T' v點(diǎn)擊左下角"閱讀原文"馬上申請' K u! `- ~0 a0 M9 j0 ]
( d+ h5 J) E* l% R7 \
歡迎轉(zhuǎn)載
1 \, D2 \/ g; k) i* @1 [2 v" Y$ V) ?) n2 J. W& p' e
轉(zhuǎn)載請注明出處,請勿修改內(nèi)容和刪除作者信息!! @+ M/ V" @5 `3 w. {
: s. a$ M7 e5 R! z' p+ A
5 {4 F( b, ]) W! Q+ K, o# a( x
5 A2 }" ?: G0 N L* e$ ` b
mctqhucgv3y64027018729.gif (16.04 KB, 下載次數(shù): 1)
下載附件
保存到相冊
mctqhucgv3y64027018729.gif
2024-9-12 13:30 上傳
/ w3 t$ n: P* f
0 |; {0 @1 E' K/ a: y! I
關(guān)注我們+ r; z9 d' Q4 h* q2 p3 P l5 j
3 O# G w- i: j
% p7 B8 Y7 g$ B5 D. x3 @ j- l
4u5kq0sutfu64027018829.png (31.33 KB, 下載次數(shù): 1)
下載附件
保存到相冊
4u5kq0sutfu64027018829.png
2024-9-12 13:30 上傳
9 n; A! Z: A9 i. Y; ]; w" c" T
|
. r. h; _! f8 i' N) J- E+ a; V
tkhnopffyg364027018929.png (82.79 KB, 下載次數(shù): 3)
下載附件
保存到相冊
tkhnopffyg364027018929.png
2024-9-12 13:30 上傳
8 H9 k6 r {7 n7 p5 l9 [8 o8 u
|
7 H* X* ?( b, z9 ~. E* @
eqbil5gotgb64027019029.png (21.52 KB, 下載次數(shù): 3)
下載附件
保存到相冊
eqbil5gotgb64027019029.png
2024-9-12 13:30 上傳
( i, ]5 G" `( R$ O& v
|
1 {- A @% s$ ~* N
2 A2 N8 B" ~4 k& W) _
- t0 k; s( n; J9 Q6 f" w+ i- k) w# g' q5 Z5 ^* D3 [/ I
關(guān)于我們:
) o2 v% w" V+ v& a# E深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專注于半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)自動化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開發(fā)特色工藝芯片設(shè)計(jì)和仿真軟件,提供成熟的設(shè)計(jì)解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對光電芯片、微機(jī)電系統(tǒng)、超透鏡的設(shè)計(jì)與仿真。我們提供特色工藝的半導(dǎo)體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務(wù),廣泛服務(wù)于光通訊、光計(jì)算、光量子通信和微納光子器件領(lǐng)域的頭部客戶。逍遙科技與國內(nèi)外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶提供前沿技術(shù)與服務(wù)。& u# ^; k' W, {" P1 j
) T* C R6 b& d" i6 \& y' N2 @( Whttp://www.latitudeda.com/
$ J$ g0 c8 e( ~+ G8 }0 G( S t(點(diǎn)擊上方名片關(guān)注我們,發(fā)現(xiàn)更多精彩內(nèi)容) |
|