高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器MS2510參數(shù)

鑫邦旺電子科技

MS2510描述

MS2510 是 8 比特，20MSPS 模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADCs）,同時(shí)使用一個(gè)半閃速結(jié)構(gòu)。MS2510在 5V 的電源電壓下工作，其典型功耗只有 130mW，包括一個(gè)內(nèi)部的采樣保持電路，具有高阻抗方式的并行輸出口以及內(nèi)部基準(zhǔn)電阻。

與閃速轉(zhuǎn)換器（flash converters）相比，半閃速結(jié)構(gòu)減少了功耗和晶片尺寸。通過在 2步過程（2-step process）中實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)換，可以大大減少比較器的數(shù)目。轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)等待時(shí)間為 2.5個(gè)時(shí)鐘。

MS2510 有兩種工作模式。模式一使用 3 個(gè)內(nèi)部基準(zhǔn)電阻連接 VDDA 可產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)的2V(5VDD)/1.3V(3.3VDD)滿度轉(zhuǎn)換范圍。為了實(shí)現(xiàn)此選項(xiàng)僅需外部跳線器。模式二通過內(nèi)部電阻區(qū)產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)的 4V 滿度轉(zhuǎn)換范圍。這減少了對(duì)外部基準(zhǔn)或電阻器的需求。差分線性度在25℃溫度下為 0.5LSB，在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)的最大值是 0.75LSB。用差分增益 1%和差分相位為 0.7%可以規(guī)定動(dòng)態(tài)特性范圍。

MS2510 的工作溫度范圍從-20℃至 75℃。

應(yīng)用范圍

數(shù)字電視

多媒體圖像處理

視頻會(huì)議

高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換

正交調(diào)制解調(diào)器

特點(diǎn)：

模擬信號(hào)輸入范圍：

-模式一…2V MAX

-模式二…4V MAX

8 比特分辨率

積分線性誤差

±0.75 LSB（25℃）

±1 LSB（-20℃-75℃）

微分線性誤差

±0.5 LSB（25°C）

±0.75 LSB（-20℃-75℃）

最快轉(zhuǎn)換頻率

20MSPS

3.3V/5V 單電源工作

低功耗

模式一…127.5mW

模式二…150mW

管腳圖

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管腳說明圖

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結(jié)構(gòu)框圖

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輸入/輸出結(jié)構(gòu)示意圖

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電學(xué)特性

VDD=5V，VREFT=2.5V，VREFB=0.5V，f(CLK)=20MHz,TA=25oC 時(shí)的電學(xué)特性（除特別說明外）

數(shù)字 I/O

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工作特性

工作條件 VDD=5V，VREFT=2.5V，VREFB=0.5V，f（CLK）=20MHz，TA=25oC 時(shí)（除非特別說明

外）

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功能說明

MS2510 是具有兩個(gè)低位比較器塊的半閃速（semiflash）ADC（每四位一個(gè)比較器）。如圖 3 所示，輸入電壓 VI(1)在 CLK1 的下降沿采樣入高位比較器塊和低位比較器塊(A），S(I)。高位比較器塊在 CLK2 上升沿確定高位數(shù)據(jù) UD(1)，同時(shí)，低基準(zhǔn)電壓（lower referencevoltage）產(chǎn)生與高位數(shù)據(jù)相對(duì)應(yīng)的電壓 RV(1)。低位比較器塊(A)在 CLK3 上升沿確定低位數(shù)據(jù) LD(1)。VD(1)和 LD(1)在 CLK4 的上升沿組合在一起并輸出為 OUT(1)。根據(jù)上面所述的內(nèi)部操作，輸出數(shù)據(jù)滯后模擬輸入電壓采樣點(diǎn) 2.5 個(gè)時(shí)鐘。輸入電壓 VI(2)在 CLK2 下降沿被采樣，UD(2)在 CLK3 的上升沿最后確定，LD(2)在 CLK4 的上升沿被低位比較器塊(B)最后確定。OUT(2)在 CLK5 上升沿輸出。

內(nèi)部基準(zhǔn)

工作模式

MS2510 具有三個(gè)內(nèi)部電阻以便能產(chǎn)生內(nèi)部基準(zhǔn)電壓。這些電阻連接到 VDDA，REFT，REFB 以及 AGND。

內(nèi)部產(chǎn)生的基準(zhǔn)電壓，如圖 4 所示那樣連接。這種連接提供用于額定數(shù)字輸出的標(biāo)準(zhǔn)視頻 2V 基準(zhǔn)。

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強(qiáng)度超出所列的極限參數(shù)可能導(dǎo)致器件的永久性損壞，這些僅是極限參數(shù)，并不意味著

在極限參數(shù)條件下或在任何其他超出推薦工作條件下所示參數(shù)的情況下器件能有效地

工作。 延長在極限參數(shù)條件下的工作時(shí)間會(huì)影響器件的可靠性。

應(yīng)用資料

以下注記是應(yīng)當(dāng)與 MS2510 一起使用的設(shè)計(jì)推薦項(xiàng)。

為了減少系統(tǒng)噪聲，外部模擬和數(shù)字電路應(yīng)當(dāng)實(shí)際上分離開來并盡可能屏蔽。

MS2510 的 PIN9(VDDD)與 PIN11(VDDA)的供電，請(qǐng)串入 100 歐姆電阻隔離。

在整個(gè)評(píng)估和生產(chǎn)過程中應(yīng)當(dāng)使用射頻 （RF）試驗(yàn)板或印制電路板 （PCB）技術(shù)。 用于測試評(píng)估（bench evaluation）的試驗(yàn)板應(yīng)當(dāng)鍍銅。

因?yàn)?AGND 和 DGND 在內(nèi)部未連接，所以這些引腳需要在外部連接。采用試驗(yàn)板時(shí)，這些地線應(yīng)當(dāng)通過具有良好電源旁路的單獨(dú)引線連接。為了使拾取的噪聲為最小，最好把隔開的雙鉸線電纜（separate twisted-pair cabels）用于電源線。在印制電路板布局上應(yīng)用使用模擬和數(shù)字地平面。

VDD 至 AGND 和 VDDD 至 DGND 應(yīng)當(dāng)分別用 1μF 電容器去耦，去耦電容應(yīng)當(dāng)盡可能靠近它所影響的器件引腳處。對(duì) 0.01μF 電容，推薦使用陶瓷芯片電容器。對(duì)模擬和數(shù)字地，為了確保無固態(tài)噪聲（solid noise-free）的接地連接，試驗(yàn)時(shí)應(yīng)當(dāng)小心。

VDD，AGND 以及 ANALOG IN 引腳應(yīng)當(dāng)與高頻引腳 CLK 和 D0-D7 隔離開來。當(dāng)可能時(shí)，在印制電路板上 AGND 走線應(yīng)當(dāng)放在 ANALOG IN 走線的兩側(cè)以供屏蔽之用。

在測試與使用器件時(shí)，在感興趣的頻率范圍內(nèi)連接到模擬輸入端的驅(qū)動(dòng)源電阻應(yīng)當(dāng) 是10Ω或更小的數(shù)值。

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