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本次學(xué)習(xí)心得:
2片DDR3相比SDRAM復(fù)雜度更高了,基本的布局,間距以及等長(zhǎng)規(guī)則還是一致的,但由于T點(diǎn)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),使得走線的密度很高,對(duì)于過(guò)孔位置的選擇,走線的順序有要求,不當(dāng)?shù)淖呔會(huì)出現(xiàn)繞線導(dǎo)致走線過(guò)長(zhǎng),最后增加等長(zhǎng)的難度。越來(lái)越復(fù)雜的板子對(duì)個(gè)人經(jīng)驗(yàn)以及熟練度提出了更高的要求
本次學(xué)習(xí)作業(yè):
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