什么是隨機存取存儲器

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　　隨機存取存儲器（英語：Random Access Memory，縮寫：RAM），也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器。[1]它可以隨時讀寫（刷新時除外，見下文），而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。
　　主存（Main memory）即計算機內(nèi)部最主要的存儲器，用來加載各式各樣的程序與數(shù)據(jù)以供CPU直接運行與運用。由于DRAM的性價比很高，且擴展性也不錯，是現(xiàn)今一般計算機主存的最主要部分。2014年生產(chǎn)計算機所用的主存主要是DDR3 SDRAM，而2016年開始DDR4 SDRAM逐漸普及化，筆電廠商如華碩及宏碁開始在筆電以DDR4存儲器取代DDR3L。
　　隨機存取
　　所謂“隨機存取”，指的是當存儲器中的數(shù)據(jù)被讀取或?qū)懭霑r，所需要的時間與這段信息所在的位置或所寫入的位置無關。相對的，讀取或?qū)懭腠樞蛟L問（Sequential Access）存儲設備中的信息時，其所需要的時間與位置就會有關系。它主要用來存放操作系統(tǒng)、各種應用程序、數(shù)據(jù)等。
　　易失性
　　當電源關閉時RAM不能保留數(shù)據(jù)。如果需要保存數(shù)據(jù)，就必須把它們寫入靜態(tài)隨機存取存儲器
　　靜態(tài)隨機存取存儲器
　　一個長期的存儲設備中（例如硬盤）。RAM和ROM相比，兩者的最大區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會自動消失，而ROM不會自動消失，可以長時間斷電保存。
　　對靜電敏感
　　正如其他精細的集成電路，隨機存取存儲器對環(huán)境的靜電荷非常敏感。靜電會干擾存儲器內(nèi)電容器的電荷，引致數(shù)據(jù)流失，甚至燒壞電路。故此觸碰隨機存取存儲器前，應先用手觸摸金屬接地。
　　訪問速度
　　現(xiàn)代的隨機存取存儲器幾乎是所有訪問設備中寫入和讀取速度最快的，存取延遲筆記本電腦內(nèi)存
　　筆記本電腦內(nèi)存
　　和其他涉及機械運作的存儲設備相比，也顯得微不足道。
　　需要刷新（再生）
　　現(xiàn)代的隨機存取存儲器依賴電容器存儲數(shù)據(jù)。電容器充滿電后代表1(二進制)，未充電的代表0。由于電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，數(shù)據(jù)會漸漸隨時間流失。刷新是指定期讀取電容器的狀態(tài)，然后按照原來的狀態(tài)重新為電容器充電，彌補流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機存取存儲器的易失性。
　　靜態(tài)隨機存取存儲器IDT7014S12JG8 www.dzsc.com/ic-detail/9_5962.html的參數(shù)
　　制造商: IDT (Integrated Device Technology)產(chǎn)品種類: 靜態(tài)隨機存取存儲器
　　存儲容量: 36 kbit
　　組織: 4 k x 9
　　訪問時間: 12 ns
　　電源電壓-最大: 5.5 V
　　電源電壓-最小: 4.5 V
　　電源電流—最大值: 250 mA
　　最小工作溫度: 0 C
　　最大工作溫度: + 70 C
　　安裝風格: SMD/smt
　　封裝 / 箱體: PLCC-52
　　封裝: Reel
　　存儲類型: SRAM
　　系列: 7014S12
　　類型: High Speed Standard Power Dual Port Static RAM商標: IDT產(chǎn)品類型: SRAM
　　工廠包裝數(shù)量: 400
　　子類別: Memory & Data Storage