什么是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

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　　隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（英語：Random Access Memory，縮寫：RAM），也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器。[1]它可以隨時(shí)讀寫（刷新時(shí)除外，見下文），而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。
　　主存（Main memory）即計(jì)算機(jī)內(nèi)部最主要的存儲(chǔ)器，用來加載各式各樣的程序與數(shù)據(jù)以供CPU直接運(yùn)行與運(yùn)用。由于DRAM的性價(jià)比很高，且擴(kuò)展性也不錯(cuò)，是現(xiàn)今一般計(jì)算機(jī)主存的最主要部分。2014年生產(chǎn)計(jì)算機(jī)所用的主存主要是DDR3 SDRAM，而2016年開始DDR4 SDRAM逐漸普及化，筆電廠商如華碩及宏碁開始在筆電以DDR4存儲(chǔ)器取代DDR3L。
　　隨機(jī)存取
　　所謂“隨機(jī)存取”，指的是當(dāng)存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)被讀取或?qū)懭霑r(shí)，所需要的時(shí)間與這段信息所在的位置或所寫入的位置無關(guān)。相對(duì)的，讀取或?qū)懭腠樞蛟L問（Sequential Access）存儲(chǔ)設(shè)備中的信息時(shí)，其所需要的時(shí)間與位置就會(huì)有關(guān)系。它主要用來存放操作系統(tǒng)、各種應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)等。
　　易失性
　　當(dāng)電源關(guān)閉時(shí)RAM不能保留數(shù)據(jù)。如果需要保存數(shù)據(jù)，就必須把它們寫入靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
　　靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
　　一個(gè)長期的存儲(chǔ)設(shè)備中（例如硬盤）。RAM和ROM相比，兩者的最大區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會(huì)自動(dòng)消失，而ROM不會(huì)自動(dòng)消失，可以長時(shí)間斷電保存。
　　對(duì)靜電敏感
　　正如其他精細(xì)的集成電路，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器對(duì)環(huán)境的靜電荷非常敏感。靜電會(huì)干擾存儲(chǔ)器內(nèi)電容器的電荷，引致數(shù)據(jù)流失，甚至燒壞電路。故此觸碰隨機(jī)存取存儲(chǔ)器前，應(yīng)先用手觸摸金屬接地。
　　訪問速度
　　現(xiàn)代的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器幾乎是所有訪問設(shè)備中寫入和讀取速度最快的，存取延遲筆記本電腦內(nèi)存
　　筆記本電腦內(nèi)存
　　和其他涉及機(jī)械運(yùn)作的存儲(chǔ)設(shè)備相比，也顯得微不足道。
　　需要刷新（再生）
　　現(xiàn)代的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器依賴電容器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。電容器充滿電后代表1(二進(jìn)制)，未充電的代表0。由于電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，數(shù)據(jù)會(huì)漸漸隨時(shí)間流失。刷新是指定期讀取電容器的狀態(tài)，然后按照原來的狀態(tài)重新為電容器充電，彌補(bǔ)流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的易失性。
　　靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器IDT7014S12JG8 www.dzsc.com/ic-detail/9_5962.html的參數(shù)
　　制造商: IDT (Integrated Device Technology)產(chǎn)品種類: 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
　　存儲(chǔ)容量: 36 kbit
　　組織: 4 k x 9
　　訪問時(shí)間: 12 ns
　　電源電壓-最大: 5.5 V
　　電源電壓-最小: 4.5 V
　　電源電流—最大值: 250 mA
　　最小工作溫度: 0 C
　　最大工作溫度: + 70 C
　　安裝風(fēng)格: SMD/smt
　　封裝 / 箱體: PLCC-52
　　封裝: Reel
　　存儲(chǔ)類型: SRAM
　　系列: 7014S12
　　類型: High Speed Standard Power Dual Port Static RAM商標(biāo): IDT產(chǎn)品類型: SRAM
　　工廠包裝數(shù)量: 400
　　子類別: Memory & Data Storage