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隨機(jī)存取存儲器(英語:Random Access Memory,縮寫:RAM),也叫主存,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器。[1]它可以隨時讀寫(刷新時除外,見下文),而且速度很快,通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。
主存(Main memory)即計算機(jī)內(nèi)部最主要的存儲器,用來加載各式各樣的程序與數(shù)據(jù)以供CPU直接運行與運用。由于DRAM的性價比很高,且擴(kuò)展性也不錯,是現(xiàn)今一般計算機(jī)主存的最主要部分。2014年生產(chǎn)計算機(jī)所用的主存主要是DDR3 SDRAM,而2016年開始DDR4 SDRAM逐漸普及化,筆電廠商如華碩及宏碁開始在筆電以DDR4存儲器取代DDR3L。
隨機(jī)存取
所謂“隨機(jī)存取”,指的是當(dāng)存儲器中的數(shù)據(jù)被讀取或?qū)懭霑r,所需要的時間與這段信息所在的位置或所寫入的位置無關(guān)。相對的,讀取或?qū)懭腠樞蛟L問(Sequential Access)存儲設(shè)備中的信息時,其所需要的時間與位置就會有關(guān)系。它主要用來存放操作系統(tǒng)、各種應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)等。
易失性
當(dāng)電源關(guān)閉時RAM不能保留數(shù)據(jù)。如果需要保存數(shù)據(jù),就必須把它們寫入靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器
一個長期的存儲設(shè)備中(例如硬盤)。RAM和ROM相比,兩者的最大區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會自動消失,而ROM不會自動消失,可以長時間斷電保存。
對靜電敏感
正如其他精細(xì)的集成電路,隨機(jī)存取存儲器對環(huán)境的靜電荷非常敏感。靜電會干擾存儲器內(nèi)電容器的電荷,引致數(shù)據(jù)流失,甚至燒壞電路。故此觸碰隨機(jī)存取存儲器前,應(yīng)先用手觸摸金屬接地。
訪問速度
現(xiàn)代的隨機(jī)存取存儲器幾乎是所有訪問設(shè)備中寫入和讀取速度最快的,存取延遲筆記本電腦內(nèi)存
筆記本電腦內(nèi)存
和其他涉及機(jī)械運作的存儲設(shè)備相比,也顯得微不足道。
需要刷新(再生)
現(xiàn)代的隨機(jī)存取存儲器依賴電容器存儲數(shù)據(jù)。電容器充滿電后代表1(二進(jìn)制),未充電的代表0。由于電容器或多或少有漏電的情形,若不作特別處理,數(shù)據(jù)會漸漸隨時間流失。刷新是指定期讀取電容器的狀態(tài),然后按照原來的狀態(tài)重新為電容器充電,彌補流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機(jī)存取存儲器的易失性。
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器IDT7014S12JG8 www.dzsc.com/ic-detail/9_5962.html的參數(shù)
制造商: IDT (Integrated Device Technology)產(chǎn)品種類: 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器
存儲容量: 36 kbit
組織: 4 k x 9
訪問時間: 12 ns
電源電壓-最大: 5.5 V
電源電壓-最小: 4.5 V
電源電流—最大值: 250 mA
最小工作溫度: 0 C
最大工作溫度: + 70 C
安裝風(fēng)格: SMD/smt
封裝 / 箱體: PLCC-52
封裝: Reel
存儲類型: SRAM
系列: 7014S12
類型: High Speed Standard Power Dual Port Static RAM商標(biāo): IDT產(chǎn)品類型: SRAM
工廠包裝數(shù)量: 400
子類別: Memory & Data Storage
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