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1、 主面：primary side( M# Y* `1 d! y) Y
2、 輔面：secondary side
+ i$ Y, @% ^: Y1 m8 h3、 支撐面：supporting plane+ d. N, [: o( W1 U& G
4、 信號：signal- z, ], o" U6 K) V- w
5、 信號導線：signal conductor
; g+ r& Q5 K. T% K0 N1 o$ N6、 信號地線：signal ground
5 E [( [5 [ T! a* V' Y7、 信號速率：signal rate. e3 d1 l% E" o' |9 w! `1 a
8、 信號標準化：signal standardization
0 u, u" }7 U/ ~6 ?9、 信號層：signal layer0 f8 r: ^9 d8 k
10、 寄生信號：spurious signal4 F$ _0 R; W. y: e7 p/ h; L& [! n
11、 串擾：crosstalk
4 L" N& O8 B. T9 I9 a12、 電容：capacitance
4 O4 ^! b( k' ]13、 電容耦合：capacitive coupling
1 m+ V0 b! o9 S( Z; o2 z1 z14、 電磁干擾：electromagnetic interference
/ {9 a' p* u, v0 c$ E15、 電磁屏蔽：electromangetic shielding
% N" r9 ], [5 V16、 噪音：noise
* [* _7 s8 q0 {1 t+ @17、 電磁兼容性：electromagnetic compatbility- y4 Y/ n# ^* x8 l# _
18、 特性阻抗：impedance
8 i/ ?* g- C, c) L6 [19、 阻抗匹配：impedance match9 K' Y: V4 J0 b# k* e- L
20、 電感：inductance+ t$ X' s+ `: N9 y0 h, R# X& y
21、 延遲：delay: F2 U( w: w4 z
22、 微帶線：microstrip
1 a7 w. [5 q6 f) c3 w7 D- ^23、 帶狀線：stripline2 b$ r0 ~$ K; n; o9 F; ^
24、 探測點：probe point
4 ?( W$ W. J k# M! ]% d25、 開窗口：cross hatching
- Q) |+ Z& e K5 k8 `( k# W( I26、 跨距：span
8 V7 N: C3 b( u4 K27、 共面性（度）：coplanarity# h' A: s# j5 h: S" ]1 i
28、 埋入電阻：buried resistance
/ W. p {4 }, c+ c6 t29、 黃金板：golden board% e/ H# A0 k% r' l( Q% P
30、 芯板：core board- A' y4 S5 J$ J0 h+ t- k
31、 薄基芯：thin core
' N; R# \6 z1 t4 o! G32、 非均衡傳輸線：unbalanced transmission line& [; ?" Q* ^4 u; s) t$ h
33、 閥值：threshold
C6 C/ q5 d$ Z$ Q1 W34、 極限值：threshold limit value(TLV)
6 C$ q0 z O* b& Z35、 散熱層：heat sink plane
6 {# C" K5 x* G36、 熱隔離：heat sink plane
/ @/ x$ W2 G8 e- x37、 導通孔堵塞：via filiing3 A! R+ n# h* G! G P
38、 波動：surge! X! Q* b& o( J. w
39、 卡板：card
5 W" a% q# J* c& D40、 卡板盒/卡板柜：card cages/card racks
" W( [! K) T4 b# b/ m$ u0 Y% m6 i* \41、 薄型多層板：thin type multilayer board
$ k% ~. f/ G! z! T9 e5 F0 E42、 埋/盲孔多層板：
3 K& B$ Y n0 z/ T43、 模塊：module
. j7 q' P8 j& R6 D2 K44、 單芯片模塊：single chip module (SCM)
7 A0 c y! E5 D; ]3 y45、 多芯片模塊：multichip module (MCM)
h s) _, F% I5 k* l# J( X* w46、 多芯片模塊層壓基板：laminate substrate version of multichip module (MCM-L)% f. @2 E+ u1 E' z
47、 多芯片模塊陶瓷基數(shù)板：ceramic substrate version o fmultichip module (MCM-C)
. U3 N9 Q& H/ Y( J2 z7 ?2 l48、 多芯片模塊薄膜基板：deposition thin film substrate version of multilayer module (MCM-D)
% Y0 [+ L/ i5 A/ @' t1 w' g6 F49、 嵌入凸塊互連技術(shù)：buried bump interconnection technology (B2 it)2 g: I6 v7 H# N/ w, i) L3 P! Q
50、 自動測試技術(shù)：automatic test equipment (ATE)
- h i S) @' |$ n# y1 \ h51、 芯板導通孔堵塞：core board viafilling
) Y1 I) m/ V2 ]# }% b: K52、 對準標記：alignment mark
% ~7 e3 }- r- s; g, Q( L& w+ u7 R53、 基準標記：fiducial mark% E% P/ u$ d0 m! |& R
54、 拐角標記：corner mark
8 D% D" [8 ?5 ]4 ^* H# D) O55、 剪切標記：crop mark
7 [: b0 X, h4 @3 C" d56、 銑切標記：routing mark
' ?8 V, q8 m5 I n ^57、 對位標記：registration mark* c. E. G2 g; e3 ?8 h$ }9 P
58、 縮減標記：reduvtion mark
. W* }) f! J; g) u7 i1 o5 h59、 層間重合度：layer to layer registration
1 ]% h% @& _# J* S5 b( H60、 狗骨結(jié)構(gòu)：dog hone
9 b4 o' @/ p5 u5 X- q$ w7 M: S% T61、 熱設計：thermal design, C7 [2 g" t W5 u4 m+ R2 N$ e
62、 熱阻：thermal resistance/ n% L8 m+ Y* W/ F1 I# s6 I
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