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[作業(yè)已審核] 8層DDR3——4片T點拓撲作業(yè)-黃玉梁

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發(fā)表于 2020-3-10 22:27:12 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最后由 cesc 于 2020-3-11 14:17 編輯

黃老師,附件是我的8層DDR3 4片 T點拓撲作業(yè),請審核。

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沙發(fā)
發(fā)表于 2020-3-11 14:03:19 | 只看該作者
整板鋪銅以后,空白的地方間隔150-200mil打一些地過孔

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板凳
發(fā)表于 2020-3-11 14:06:03 | 只看該作者
不同組的信號之間拉開間距,不要靠的太近

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地板
發(fā)表于 2020-3-11 14:07:11 | 只看該作者
走線盡量不要留這么大的空隙,均勻走線,滿足3W的間距

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5#
發(fā)表于 2020-3-11 14:10:31 | 只看該作者
走線不能有的粗有的細,統(tǒng)一按阻抗線寬走線,BGA區(qū)域不好出線,可以變細一點點
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6#
發(fā)表于 2020-3-11 14:14:59 | 只看該作者
數(shù)據(jù)信號也是一樣,保證線寬是一致的,然后走線之間需要滿足3W間距

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7#
發(fā)表于 2020-3-11 14:15:42 | 只看該作者
走線都是這樣的問題,需要重新走線
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8#
發(fā)表于 2020-3-11 14:15:47 | 只看該作者
其它問題不大
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