AD Smile 第4次作業(yè)+1片SDRAM

ADPCB12

1片SDRAM：
布局：1片SDRAM與CPU，點(diǎn)對(duì)點(diǎn)，Bank中心間距，點(diǎn)對(duì)點(diǎn)對(duì)稱(chēng)式布局，滿(mǎn)足工藝要求，SDRAM靠近CPU擺放;間距（1.無(wú)串阻600-800mil，2.有串阻800-1000mil）；電源慮波電容靠近IC輸入引腳
擺放
布線(xiàn)：
1.數(shù)據(jù)線(xiàn)走線(xiàn)控制50歐姆阻抗；
2.數(shù)據(jù)線(xiàn)每9根為一組同層走線(xiàn)（D0-D7，LDQM;D8-D15，HDQM）；
3.信號(hào)線(xiàn)：走線(xiàn)間滿(mǎn)足3W原則，數(shù)據(jù)線(xiàn)，地址/控制線(xiàn)，時(shí)鐘線(xiàn)，之間距離保持20mil以上或3W；
4.數(shù)據(jù)線(xiàn)，地址/控制線(xiàn)，時(shí)鐘線(xiàn),走線(xiàn)之間加一根地線(xiàn)進(jìn)行包地隔離，線(xiàn)寬15-30mil；并且打上地過(guò)孔
5.等長(zhǎng)分組：第1組：低八位，第2組：高八位；第3組：地址、控制線(xiàn)，時(shí)鐘線(xiàn)；等長(zhǎng)規(guī)則：低八位，高八位，每組允許誤差各正負(fù)50mil；地址、控制線(xiàn)，時(shí)鐘線(xiàn)，允許誤差范圍正負(fù)100mil

凡億黃老師

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