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1片SDRAM:
布局:1片SDRAM與CPU,點(diǎn)對(duì)點(diǎn),Bank中心間距,點(diǎn)對(duì)點(diǎn)對(duì)稱式布局,滿足工藝要求,SDRAM靠近CPU擺放;間距(1.無(wú)串阻600-800mil,2.有串阻800-1000mil);電源慮波電容靠近IC輸入引腳
擺放
布線:
1.數(shù)據(jù)線走線控制50歐姆阻抗;
2.數(shù)據(jù)線每9根為一組同層走線(D0-D7,LDQM;D8-D15,HDQM);
3.信號(hào)線:走線間滿足3W原則,數(shù)據(jù)線,地址/控制線,時(shí)鐘線,之間距離保持20mil以上或3W;
4.數(shù)據(jù)線,地址/控制線,時(shí)鐘線,走線之間加一根地線進(jìn)行包地隔離,線寬15-30mil;并且打上地過(guò)孔
5.等長(zhǎng)分組:第1組:低八位,第2組:高八位;第3組:地址、控制線,時(shí)鐘線;等長(zhǎng)規(guī)則:低八位,高八位,每組允許誤差各正負(fù)50mil;地址、控制線,時(shí)鐘線,允許誤差范圍正負(fù)100mil
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2020-10-25 15:09 上傳
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