PADS-Spring華 - 第六次作業(yè) -SDRAM存儲(chǔ)器的PCB設(shè)計(jì)

wucnh

附件分別為：1片SDRAM和2片SDRAM(菊花鏈)的pcb設(shè)計(jì)
問題點(diǎn)：做等長時(shí)，管腳對(duì)的選擇，有些會(huì)自動(dòng)選中多個(gè)管腳。和視頻教程演示的不同。

學(xué)習(xí)心得：
1. 不同RAM的定義
DRAM：Dynamic RAM， 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器， 每隔一段時(shí)間就要刷新一次數(shù)據(jù)才能夠保存數(shù)據(jù)；
SRAM：Static RAM， 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，不需要刷新電路，數(shù)據(jù)不會(huì)丟失；
SDRAM: Synchronous DRAM，同步狀態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)的讀寫需要時(shí)鐘來同步。

2. 1片SDRAM布局原則：
1）、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的稱式布局方式
2）、SDRAM靠近BGA放置
       • 當(dāng)中間無排阻時(shí)： 600 -800 mil
       • 當(dāng)中間有排阻時(shí)： 800 -1000 mil（Bank中心距離）
3）、濾波電容靠近 IC 管腳進(jìn)行擺放

3. 2片SDRAM布局原則：
1）、2片SDRAM SDRAM 相對(duì)于 CPU 對(duì)稱式布局
2）、PCB 板卡設(shè)計(jì)時(shí)，空間足夠時(shí), 與CPU 放在同一面
3）、PCB 板卡設(shè)計(jì)時(shí)，空間不足（在做核心板的候）， SDRAM頂?shù)讓訉?duì)貼
       • 當(dāng)中間無排阻時(shí)： 600 -800 mil
       • 當(dāng)中間有排阻時(shí)： 800 -1000 mil
4）、濾波電容靠近 IC 管腳進(jìn)行擺放

4. 布線原則
1）、特性阻抗 :50 歐
2）、數(shù)據(jù)線每 9根盡量走在同一層 (D0~D7,LDQM ; D8~D15,HDQM)
3）、信號(hào)線的間距滿足 3W 原則 ，數(shù)據(jù)線、地址（控制）時(shí)鐘之間的距離保持 20mil以上或至少 3W
4）、空間允許的情況下 ,應(yīng)該在它們走線之間加一根地進(jìn)行隔離。寬度推薦為 15 -30mil

5.2片SDRAM拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：
1）、遠(yuǎn)端分支（星形或T形）：T點(diǎn)(過孔 )打在兩片 SDRAM 中間
2）、菊花鏈：焊盤鏈接的鏈狀結(jié)構(gòu)

6.數(shù)據(jù)分組：
1）、低八位數(shù)據(jù)設(shè)為一組：D0~D7,LDQM
2）、高八位數(shù)據(jù)設(shè)為一組：D8~D15,HDQM
3）、地址線 ,控制線 ,時(shí)鐘線設(shè)為 一組

7. 等長規(guī)則：
1）、低八位數(shù)據(jù)組等長誤差范圍 +/ -50mil
2）、高八位數(shù)據(jù)組等長誤差范圍 +/ -50mil
3）、地址線 ,控制線 ,時(shí)鐘線 一起等長誤差范圍 +/ -100mil

凡億黃老師

1、等長時(shí)需要注意3W間距



2、這里等長的美觀還需要注意