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本帖最后由 wucnh 于 2020-11-1 14:07 編輯
附件分別為:1片SDRAM和2片SDRAM(菊花鏈)的pcb設計
問題點:做等長時,管腳對的選擇,有些會自動選中多個管腳。和視頻教程演示的不同。
學習心得:
1. 不同RAM的定義
DRAM:Dynamic RAM, 動態(tài)隨機存儲器, 每隔一段時間就要刷新一次數(shù)據(jù)才能夠保存數(shù)據(jù);
SRAM:Static RAM, 靜態(tài)隨機存儲器,不需要刷新電路,數(shù)據(jù)不會丟失;
SDRAM: Synchronous DRAM,同步狀態(tài)隨機存儲器,數(shù)據(jù)的讀寫需要時鐘來同步。
2. 1片SDRAM布局原則:
1)、點對點的稱式布局方式
2)、SDRAM靠近BGA放置
• 當中間無排阻時: 600 -800 mil
• 當中間有排阻時: 800 -1000 mil(Bank中心距離)
3)、濾波電容靠近 IC 管腳進行擺放
3. 2片SDRAM布局原則:
1)、2片SDRAM SDRAM 相對于 CPU 對稱式布局
2)、PCB 板卡設計時,空間足夠時, 與CPU 放在同一面
3)、PCB 板卡設計時,空間不足(在做核心板的候), SDRAM頂?shù)讓訉N
• 當中間無排阻時: 600 -800 mil
• 當中間有排阻時: 800 -1000 mil
4)、濾波電容靠近 IC 管腳進行擺放
4. 布線原則
1)、特性阻抗 :50 歐
2)、數(shù)據(jù)線每 9根盡量走在同一層 (D0~D7,LDQM ; D8~D15,HDQM)
3)、信號線的間距滿足 3W 原則 ,數(shù)據(jù)線、地址(控制)時鐘之間的距離保持 20mil以上或至少 3W
4)、空間允許的情況下 ,應該在它們走線之間加一根地進行隔離。寬度推薦為 15 -30mil
5.2片SDRAM拓撲結構:
1)、遠端分支(星形或T形):T點(過孔 )打在兩片 SDRAM 中間
2)、菊花鏈:焊盤鏈接的鏈狀結構
6.數(shù)據(jù)分組:
1)、低八位數(shù)據(jù)設為一組:D0~D7,LDQM
2)、高八位數(shù)據(jù)設為一組:D8~D15,HDQM
3)、地址線 ,控制線 ,時鐘線設為 一組
7. 等長規(guī)則:
1)、低八位數(shù)據(jù)組等長誤差范圍 +/ -50mil
2)、高八位數(shù)據(jù)組等長誤差范圍 +/ -50mil
3)、地址線 ,控制線 ,時鐘線 一起等長誤差范圍 +/ -100mil
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