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學(xué)習(xí)心得： 1、基于實(shí)物類型的常用存儲(chǔ)器有FLASH/SDRAM/DDR三大類，從速率而言，分為SDR/DDR/QDR三類，從狀態(tài)而言分為DRAM/SRAM/SDRAM三大類。DRAM與SDRAM容量比SRAM大，但讀寫速度不如SRAM。 2、SDRAM pin腳有很多，但可分為三大組：數(shù)據(jù)組、電源組、地址組。組內(nèi)信號(hào)走線誤差：高、低數(shù)據(jù)組誤差為100mil；地址組誤差為200mil； 3、布局時(shí)要保證SDRAM數(shù)據(jù)bank與主控的數(shù)據(jù)bank間隔最好在600——800mil，有串聯(lián)排阻時(shí)可在800——1000mil。若有兩個(gè)SDRAM，在空間足夠的情況下，兩個(gè)SDRAM平行放在同層；在空間不足情況下，采用頂?shù)讓?duì)貼模式。若放在同層時(shí)，地址組可采用菊花鏈或星型結(jié)構(gòu)。 4、所有信號(hào)走線需要的特性阻抗匹配為50歐姆，線間保持3W的間距規(guī)則，組間保持20mil或3W以上的間隔，組間最好是包地處理。包地走線寬度咋15——30mil。
附件有兩個(gè)，其中“作業(yè)”這份是USB模塊的作業(yè)，但上次老師說下載不了，我重新上傳了。辛苦老師兩份一起批改。
問題： 1、在處理差分等長(zhǎng)時(shí)，我先建立xsingle，把對(duì)應(yīng)差分對(duì)建立進(jìn)去查看等長(zhǎng)誤差是否合格，但有些信號(hào)用網(wǎng)絡(luò)等長(zhǎng)調(diào)節(jié)可以，有些卻不行。最后只能手拉，但也確實(shí)浪費(fèi)時(shí)間。請(qǐng)問老師這是什么問題呢？（上次問題） 2，在走線時(shí)，強(qiáng)拉走線后，如何才能快速理順走線呢？這次我通過挪孔的方式也能做到，但發(fā)現(xiàn)并沒有像視頻中老師理的那么流暢。
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