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本帖最后由 lfljiang 于 2016-12-4 11:28 編輯
0 u1 p5 N9 Z9 c& W( G. R" m4 W% I$ s, [! g+ h9 [% u
SDRAM（同步動態(tài)隨機存儲器）
+ B: B# B; c+ M- L# }. b引腳定義如下：
e8 w ^7 N: I
0 t9 }$ R7 w* O0 A3 v9 y
( l! b0 J$ e( N* Q布局：
`& W% f0 R' n) s9 n0 w原則——靠近主控（CPU）放置8 A( f# L: z2 X
當(dāng)只有1片SDRAM存在時，采用點對點的布局方式，SDRAM到CPU推薦的中心距離：900-1000mil& y4 M5 H9 U6 v2 G$ k/ o
- x8 [: p% A2 p5 @( j
) a2 H# `6 d; v& n6 e; x) A5 p8 h$ S
& @" \2 d* W- Y9 e& Z2 M" }
當(dāng)有2片SDRAM存在時，相對于CPU嚴(yán)格對稱
% Q+ h1 T5 M2 ]. a0 f+ w: q
% k& ~ v+ T# o" [
' }$ H$ o$ q( m: ~% P5 t7 A* l$ ^8 d1 F0 W6 E: B. e/ N& ~
0 ?5 `# x$ l5 e9 E% R
布線要求：
0 S5 \; ]: o! M+ W6 z% a1.特性阻抗:50歐2 c$ n0 F+ b4 G: Y
2.數(shù)據(jù)線每9根盡量走在同一層(D0~D7,LDQM;D8~D15,HDQM)
0 z- g. \) z- o7 ?3. 信號線的間距滿足3W原則$ g# C6 Y2 {9 k3 }
4. 數(shù)據(jù)線、地址（控制）線、時鐘線之間的距離保持20mil以上或至少3W
# b9 [" _8 h( X: ?: l, Y+ C/ _2 c5. 空間允許的情況下,應(yīng)該在它們走線之間加一根地線進(jìn)行隔離。地線寬度
1 {$ v, m) |9 z- K; n* x: T推薦為15-30mil, ^( G7 ^) V* y
6. 完整的參考平面
9 n, r/ o7 d+ V; t q) O
/ P( X9 M/ u2 f. p
* D R$ ~6 z- i
( A M6 ?: h% h1 a& ^
0 R9 @/ `( c& L- S+ _( ]: L0 z- v f$ q- @
! T1 K1 P: C o% H3 ~/ J) {# F, e7 p1 ~# f: t- ]& |( {
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