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作者：一博科技
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前面高速先生團(tuán)隊(duì)已經(jīng)講解過眾多的DDR3理論和仿真知識，下面就開始談?wù)勎覀僉ATOUT攻城獅對DDR3設(shè)計(jì)那些事情了，那么布局自然是首當(dāng)其沖了。/ i/ W6 t5 `: O1 B* U
$ C9 q( c9 x5 w/ n6 q! Z5 K對于DDR3的布局我們首先需要確認(rèn)芯片是否支持FLY-BY走線拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，來確定我們是使用T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)還是FLY-BY拓?fù)浣Y(jié)構(gòu).。
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. Q/ r1 p" r6 P8 o常規(guī)我們DDR3的布局滿足以下基本設(shè)計(jì)要求即可：
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1.考慮BGA可維修性：BGA周邊器件5MM禁布，最小3MM。 6 k2 a& h( T" N8 S+ S1 Y! J
2.DFM 可靠性：按照相關(guān)的工藝要求，布局時器件與器件間滿足DFM的間距要求；且考慮元件擺放的美觀性。
! i4 {8 }2 B5 b+ Q2 O/ p/ b3.絕對等長是否滿足要求，相對長度是否容易實(shí)現(xiàn)：布局時需要確認(rèn)長度限制，及時序要求，留有足夠的繞等長空間。
8 Y' q0 _2 ]1 ^$ I/ ^6 @4.濾波電容、上拉電阻的位置等：濾波電容靠近各個PIN放置，儲能電容均勻放置在芯片周邊（在電源平面路徑上）；上拉電阻按要求放置(布線長度小于500mil）。 . e2 v& b7 R! I1 o7 g5 D* d# V8 v
注意：如有提供DEMO板或是芯片手冊，請按照DEMO板或是芯片手冊的要求來做。
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1.濾波電容的布局要求 ' a, I) y) c! u3 ^( w) a
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電源設(shè)計(jì)是pcb設(shè)計(jì)的核心部分，電源是否穩(wěn)定，紋波是否達(dá)到要求，都關(guān)系到CPU系統(tǒng)是否能正常工作。濾波電容的布局是電源的重要部分，遵循以下原則： * i8 ^8 C9 X& ^5 A9 N; `5 G( V
; ^0 w; Q- n5 h7 TCPU端和DDR3顆粒端，每個引腳對應(yīng)一個濾波電容，濾波電容盡可能靠近引腳放置。5 c% g' Y i, V _2 Z4 d
線短而粗，回路盡量短；CPU和顆粒周邊均勻擺放一些儲能電容，DDR3顆粒每片至少有一個儲能電容。
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圖1：VDD電容的布局（DDR顆粒單面放）
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) B# U; p/ C6 P: ?; y+ P如圖2所示：VDD電容的布局（DDR顆粒正反貼）
* a' J3 H% {4 Y5 M- ?# TDDR 正反貼的情況，電容離BGA 1MM，就近打孔；如可以跟PIN就近連接就連接在一起。
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& B9 l! u& V5 @! l4 P7 c& U" B2.VREF電路布局
4 U0 d d/ L q& h在DDR3中，VREF分成兩部分： 1 X4 a8 E7 Z+ D. d: e
* Y& ~7 \' e& z$ l1 A6 N$ ]一個是為命令與地址信號服務(wù)的VREFCA；另一個是為數(shù)據(jù)總線服務(wù)的VREFDQ。 # _; r+ s- F3 i( q
在布局時，VREFCA、VREFDQ的濾波電容及分壓電阻要分別靠近芯片的電源引腳，如圖3所示。
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圖3：VREF電路布局 9 @; R( I% A' w& i) Y8 H: s6 i
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3.匹配電阻的布局) S* x1 {3 p- R* a$ P' u8 @, t- b
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為了提高信號質(zhì)量，地址、控制信號一般要求在源端或終端增加匹配電阻；數(shù)據(jù)可以通過調(diào)節(jié)ODT 來實(shí)現(xiàn)，所以一般建議不用加電阻。( |$ v$ e8 }# H, q
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布局時要注意電阻的擺放，到電阻端的走線長度對信號質(zhì)量有影響。8 R o, L% w# P, d0 F) e: p, |& v
8 p; l- Y% D: v4 f! ^. M+ \布局原則如下：
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對于源端匹配電阻靠近CPU（驅(qū)動）放，而對于并聯(lián)端接則靠近負(fù)載端（FLy-BY靠近最后一個DDR3顆粒的位置放置而T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是靠近最大T點(diǎn)放置）+ g+ N/ m- D4 g; b( M3 s
! L0 s5 o% X( u0 h+ n! \& J, S下圖是源端匹配電阻布局示意圖； \$ _% K, e6 v
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( X5 k2 h% @0 ~( l圖4：源端匹配電阻 : G4 `0 w9 m6 |7 U7 D. S
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圖4：并聯(lián)端接 6 y4 p- ~$ [+ I# [
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而對于終端VTT上拉電阻要放置在相應(yīng)網(wǎng)絡(luò)的末端，即靠近最后一個DDR3顆粒的位置放置（T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是靠近最大T點(diǎn)放置）；注意VTT上拉電阻到DDR3顆粒的走線越短越好；走線長度小于500mil；每個VTT上拉電阻對應(yīng)放置一個VTT的濾波電容（最多兩個電阻共用一個電容）；VTT電源一般直接在元件面同層鋪銅來完成連接，所以放置濾波電容時需要兼顧兩方面，一方面要保證有一定的電源通道，另一方面濾波電容不能離上拉電阻太遠(yuǎn)，以免影響濾波效果。
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圖5：VTT濾波電容
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DDR3的布局基本沒有什么難點(diǎn)，只是要注意諸多細(xì)節(jié)之處，相信大家都已經(jīng)學(xué)會。
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