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求教個(gè)問(wèn)題，看了一個(gè)文檔，說(shuō)下拉電阻可以用來(lái)做電平電容，沒(méi)遇到過(guò)，哪位朋友幫忙舉個(gè)例子。7 {% o4 t) A0 ~, k8 T$ I
原文如下：
0 Z- L3 s' m8 i5 S" L a2·下拉電阻的選取原則：/ v2 }& R/ }, _: y0 f6 [- v' o
A·電平兼容：
( G5 A6 C+ H [3 m板內(nèi)或板間器件選取各不相同，信號(hào)電平特性各不相同，出于兼容性的考慮，須加下拉電阻以保證兼容性。
8 G2 V2 \1 b) oB·端接：' I: \5 [# u D( L' V
板內(nèi)或板間的信號(hào)頻率較高或信號(hào)上升沿較陡時(shí)，需要加端接
0 B, l: j6 s; C$ |5 k; S' _; `) @6 t$ d電阻下拉到地，一般此時(shí)經(jīng)常性的會(huì)再串入一個(gè)適當(dāng)?shù)碾娙荨?br />
, k: C/ P; w. j. B2 t1 qC·電平穩(wěn)態(tài)特性：: w p! h; g+ e3 D0 V8 d
個(gè)別器件在上電時(shí)要求某些管腳的初試電平固定為低，此時(shí)必
' t1 M0 T9 @- A9 J( V須加下拉電阻以保證器件能夠正常的工作。
H2 n! ~+ p8 ^* iD·器件及參數(shù)選�。�
! j9 }( v6 E0 c3 W對(duì)于A，下拉電阻一般選取1K~100K歐姆，視負(fù)載電平情況
" k! p( _& D) K4 C; G$ T& j而定，CMOS電平的負(fù)載，電阻應(yīng)選取下限，TTL電平時(shí)選取上" h( g d6 [3 y
限，這里的電平以負(fù)載指標(biāo)來(lái)確定；對(duì)于上述B的情況，一般選取9 E$ \& W( L3 b" }7 h5 J
75~150歐姆的電阻；對(duì)于上述C的情況，則以該種器件的數(shù)據(jù)特
" F2 U m! s( p' J4 h性來(lái)決定；器件一般以金屬膜的電阻或阻排為準(zhǔn)。
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