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Nature Communications | Floquet拓撲耗散Kerr孤子與非公度頻率梳

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發(fā)表于 2024-11-21 08:01:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
引言; V( K0 N6 X9 G& `9 ?5 ]% B8 t
使用具有Kerr非線性的微環(huán)諧振器產生相干光頻梳,顯著推進了對時域耗散孤子及其應用的基礎認識。傳統的Kerr頻率梳的特點是在頻率上呈現相位鎖定、等距分布的譜線。然而,最新研究發(fā)現了一種新型的Floquet拓撲孤子頻率梳,這種頻率梳出現在利用Floquet拓撲設計的二維強耦合諧振器陣列中[1]。
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Floquet拓撲孤子系統基礎' U# ^% @8 c0 I  j6 s/ O/ u7 D/ @" X
該系統由二維方形環(huán)形諧振器陣列構成,諧振器之間通過近場耦合與最近鄰諧振器相連。諧振器間的耦合強度取決于在陣列中的位置,參數化為κa = sin(θA)和κb = sin(θB)。這種排列形成了包含四個諧振器的單元,使陣列可以容納最多四個能帶。
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圖1:(a)產生Floquet拓撲頻率梳的二維環(huán)形諧振器陣列示意圖,(b,c)AF相位中的傳輸譜和能帶結構,(d-f)邊緣態(tài)和體態(tài)的強度分布。' p1 I* J9 D0 z$ Q/ z
: m- _6 C5 z, X6 j, S, Y7 R6 ]  @1 X
這些能帶的拓撲性質由耦合強度κa和κb決定。當諧振器之間的耦合強度與自由光譜范圍(FSR)相當時,系統表現出非平凡的拓撲性質。在這種強耦合狀態(tài)下,系統被視為Floquet系統,因為無法用常規(guī)的有效哈密頓量和單模近似來描述。
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  j+ A) U- [$ x# Y3 K5 V反常Floquet相位中的非公度頻率梳& X. \- N9 \' A* h. {
在反常Floquet(AF)相位中,邊緣態(tài)出現在特定歸一化頻率失諧附近的所有能帶隙中。這種相位被稱為"反常",是因為即使所有能帶的陳數為零,邊緣態(tài)仍然存在。1 E6 Y5 g  J0 R( S/ s. z+ v
, S; E% x3 }) U. z6 p, E# e$ z5 c
圖2:(a-c)AF相位中的能帶結構和吸收譜,(d)顯示相位鎖定超級孤子分子的強度分布,(e)顯示超級孤子脈沖的時域輸出,(f-h)顯示非公度性質的輸出頻率梳譜。
& H9 P) x% P4 n) |) l
' @1 ~: \+ J1 w當在邊緣態(tài)共振附近泵浦時,陣列邊緣形成Floquet超級孤子分子。在這種狀態(tài)下,邊緣上的三個不同環(huán)諧振器各自包含一個相位鎖定的單孤子,環(huán)中相對位置保持不變。2 ^+ ]- U* ^. y4 X. p

+ b. W, Q: b. x+ |/ K( ZAF相位中的公度頻率梳& ?. e5 p9 I- U" v
通過調節(jié)耦合參數并保持在AF相位中,可以產生規(guī)則間隔的公度頻率梳。
; I  Y7 v# \' p1 c! f
+ Z# G+ Q8 @7 k# N4 |1 d- `/ L圖3:(a,b)顯示減小體帶寬的能帶結構和吸收譜,(c)頻率梳功率變化,(d)顯示單個超級孤子環(huán)繞的強度分布,(e-h)顯示規(guī)則頻率梳產生的時域和頻域輸出。
# a5 {4 e; n1 D* E% d6 s) |4 \
8 u8 U& O8 L" a0 Z/ {當選擇耦合參數θA = 0.49π和θB = 0.01π時,該系統仍處于反常Floquet相位,但顯著減小了體能帶寬度,同時增加了邊緣能帶寬度。在泵浦頻率失諧δωp = 0.40994ΩR時,觀察到陣列中形成單個超級孤子。在這種狀態(tài)下,邊緣上只有一個環(huán)諧振器包含單個孤子,沿逆時針方向環(huán)繞陣列。相應的,時域輸出包含單個脈沖,以超環(huán)諧振器的往返時間τSR(約17τR)重復。
. h% o! R; e, i( B+ G, f" |+ V/ ~
' Q  G+ L! |; W2 u陳絕緣體相位中的孤子分子
4 p7 G7 u" l; ^: G$ T+ M陳絕緣體(CI)相位呈現三個體能帶,其中兩個具有非零陳數,表現出拓撲非平庸性。這三個體能帶被兩個邊緣能帶分隔。
, G* x* U3 D" ]/ V3 t
6 C6 R6 |$ @/ s7 \& K' U% Y' \$ I% u) j7 b圖4:(a,b)CI相位中的能帶結構和吸收譜,(c)泵浦功率變化,(d)顯示在交替邊緣環(huán)中形成孤子的強度分布,(e-h)顯示單一邊緣模式振蕩的時域和頻域輸出。
" X/ a, k; w1 Y8 ?+ o' K! R
7 w2 g4 }& ]* e當在邊緣態(tài)共振附近調節(jié)泵浦頻率至δωp = 0.0964ΩR,并調整歸一化輸入泵浦場至Ein = 0.025時,可以觀察到一種全新的孤子分子狀態(tài):除了始終存在孤子的角落環(huán)外,邊緣上的交替環(huán)各自精確包含一個孤子。這些孤子在環(huán)中的位置保持相位鎖定,隨時間推移,這種強度分布在陣列中保持穩(wěn)定。
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Floquet頻率梳的魯棒性和可調諧性3 h7 P9 x' X. f( {

+ d$ `( S7 r% }- k- P) s, }圖5:(a)邊緣態(tài)繞過陣列缺陷的路徑,(b,c)具有修改線間距的產生頻率梳譜,(d-g)展示無相干損失的孤子繞路演示。
: J5 w$ A- J  Q" l: h
: z+ v  q' r" @. {  u7 O9 ]拓撲邊緣態(tài)的一個關鍵特征是對缺陷和無序的魯棒性。這種特性在強非線性存在的情況下仍然適用于Floquet拓撲孤子。系統可以在標準光子技術平臺上實現,如硅氮化物平臺,典型參數包括250GHz的FSR、1 MHz的色散以及約8×106的本征品質因數。產生非公度孤子頻率梳所需的泵浦功率約為0.6 W,這與典型的Kerr頻率梳產生相當。4 U9 ^2 D2 W2 F" k# O0 F* f

$ _3 b% U- W. l! g總結4 A- q4 H& V/ ^& P6 I" s' s
Floquet拓撲耗散Kerr孤子和非公度頻率梳代表了光頻率梳領域的重要進展。這種新型頻率梳超越了傳統頻率梳等距頻率的定義,為精密測量、光譜學、光通信和光量子技術提供了新的研究方向。這些系統的魯棒性和可調諧性,加上在存在缺陷時保持相干性的能力,使其在實際應用中具有獨特優(yōu)勢。實驗參數與現有技術平臺兼容,預示著這項技術具有實現的可行性。隨著這一領域的持續(xù)發(fā)展,強耦合非線性諧振器陣列結合Floquet和拓撲設計原理,將在光操控和頻率梳產生方面取得更多進展。
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參考文獻8 B' l1 T5 `! s4 t7 @) N# @
[1] S. D. Hashemi and S. Mittal, "Floquet topological dissipative Kerr solitons and incommensurate frequency combs," Nature Communications, vol. 15, no. 9642, pp. 1-9, 2024, doi: 10.1038/s41467-024-53995-8.% q+ G  _* K% D0 ]: |1 F/ Y

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