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光電子集成芯片的光纖熔接封裝技術(shù)介紹

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發(fā)表于 2024-11-25 08:01:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
引言" j7 }9 ?% k( G' v
在現(xiàn)代光通信和信息處理系統(tǒng)中,光纖與光電子集成芯片的連接是關(guān)鍵技術(shù)挑戰(zhàn)。硅基光電子和氮化硅光電子技術(shù)利用CMOS制造工藝實(shí)現(xiàn)了光電器件的集成。光纖和硅基光電子芯片之間的高效耦合對(duì)實(shí)現(xiàn)集成光電子系統(tǒng)的完整功能具有重要意義。
$ L- o3 W. N  A8 b1 S) [# c+ W* q7 W4 ?5 H6 v5 X8 N) D' e8 R
傳統(tǒng)的光纖連接方法通常依賴體積較大的固定裝置和光學(xué)粘合劑,這在低溫應(yīng)用中會(huì)受到限制。本文介紹一種創(chuàng)新的光纖熔接技術(shù),可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定且低損耗的光纖到芯片的封裝[1]。
+ c, O' |- W' y$ f $ m6 y- K9 Z- v
/ [4 c2 C( _8 `8 ^8 V; j7 H  R
波導(dǎo)結(jié)構(gòu)與設(shè)計(jì)
% t$ D2 ], H* c& [6 {首先了解熔接實(shí)驗(yàn)中使用的波導(dǎo)基本結(jié)構(gòu)。該平臺(tái)由氮化硅(SiN)層構(gòu)成,具有專門設(shè)計(jì)的尺寸以實(shí)現(xiàn)最佳光傳輸效果。
3 y1 M# |) V2 W: l 2 n( E: C6 X, i& f0 q- o
圖1:用于光纖熔接測試的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)示意圖,顯示平面圖和立面圖。7 M! {1 {0 @2 F1 g  ]
$ Y0 }( I: ?& K3 t6 q9 P
實(shí)驗(yàn)設(shè)置
( Y  a8 o( a4 A( X5 F熔接過程需要精密的對(duì)準(zhǔn)和受控的激光加熱。系統(tǒng)使用額定功率為10瓦的二氧化碳激光器,通過機(jī)械快門的脈寬調(diào)制來控制功率輸出。4 h7 K: f9 P7 g+ L  g

& y& J; R4 ?% `7 C9 l0 \: [& G! R9 ]圖2:完整的光纖芯片熔接設(shè)置示意圖。
3 U+ ]$ S9 v9 d1 Y1 E! X& }+ F6 o0 U0 O& K5 a* y9 G
圖中展示了熔接設(shè)置的組件布局,顯示輸入信號(hào)光纖如何與光波導(dǎo)芯片熔接,以及輸出光纖的監(jiān)測能力。
) q+ A  v: S4 t6 @# `' E
1 `0 ?) T* U5 D  Z. }工藝參數(shù)與優(yōu)化. G' F6 M; J  w% u/ \" ~
光纖熔接的效果取決于多個(gè)關(guān)鍵參數(shù),包括激光功率、施加力度和熔接條件。通過嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膶?shí)驗(yàn),研究人員確定了實(shí)現(xiàn)低損耗連接的最佳條件。3 R- v( [  `! y  @) x

- X& M. h3 J. L, d6 C* L圖3:光纖熔接參數(shù)的綜合評(píng)估,包括:(a)光纖與硅芯片熔接的顯微照片,(b)耦合損耗與熔接激光功率的關(guān)系,(c)熔接前推力與耦合損耗的關(guān)系,(d)推力與熔接強(qiáng)度的關(guān)系。) h: `. W( {5 @, Y" J9 x
8 L5 ]$ u) V, N: z# |# d9 q. F/ X
性能與可靠性分析5 R5 g% v1 o/ @. O
熔接連接的長期性能和可靠性對(duì)實(shí)際應(yīng)用非常重要。波長依賴性和溫度循環(huán)效應(yīng)為這種技術(shù)的穩(wěn)定性提供了重要見解。
6 s( Q+ g+ \  l0 |9 I6 E 6 X5 k# Y8 I+ q# u; z4 j* k7 j5 O# {1 i4 F
圖4:性能測試結(jié)果:(a)跨波長范圍的耦合損耗,(b)溫度循環(huán)后的耦合損耗。
0 g$ k0 q: I# ^. p& C, d8 S% r8 Y2 p# G$ C* D$ j# u
技術(shù)優(yōu)勢與實(shí)施
% G2 Z; a! Y1 c9 Q% U& v5 a這種熔接技術(shù)比傳統(tǒng)方法具有多項(xiàng)優(yōu)勢。首先,無需在光纖-芯片接口處使用環(huán)氧樹脂,減少了粘合劑退化帶來的潛在問題。其次,工藝速度快,通常在一秒內(nèi)即可完成,而傳統(tǒng)的環(huán)氧樹脂方法需要幾分鐘。) `# x9 a% V/ G; B5 W5 ^. o% N* U- F* c
/ C) j6 u. Y9 S% X
熔接參數(shù)的優(yōu)化揭示了機(jī)械強(qiáng)度和光學(xué)性能之間的關(guān)系。增加熔接時(shí)的力度可以提高機(jī)械穩(wěn)定性,但可能導(dǎo)致更高的光學(xué)損耗。因此,找到適當(dāng)?shù)钠胶恻c(diǎn)對(duì)獲得最佳效果非常重要。
' `  s# h# O5 ?' ^) |  F% E& L+ {+ X  H
溫度性能與穩(wěn)定性: d9 I) B4 v* `+ B0 T
溫度循環(huán)測試證明了該技術(shù)的穩(wěn)定性,熔接樣品在193 K到293 K之間進(jìn)行多次循環(huán)后,性能降低很小。這種穩(wěn)定性使該技術(shù)特別適合需要在寬溫度范圍內(nèi)運(yùn)行的應(yīng)用。
9 {$ {9 G7 n& y
/ G5 ?" F9 Q2 C關(guān)鍵參數(shù)與性能指標(biāo)
9 S) ~4 X8 e2 f; M( ?光纖熔接的成功依賴于對(duì)以下參數(shù)的精確控制:
5 C3 i  j- g4 G* h8 j- \. U0 c
  • 激光功率(優(yōu)化為1.0瓦以獲得最小插入損耗)
  • 曝光時(shí)間(通常為0.1秒)
  • 熔接時(shí)的施加力度(優(yōu)化為0.02牛頓)
  • 光纖和芯片表面的物理接觸
    8 Z9 P" q- W) a( w# G
    2 C+ x0 ~9 Y0 ]9 ~& a' t, y% m& _
    該技術(shù)展現(xiàn)了優(yōu)異的性能指標(biāo):) b) ~" p; K, Q
  • 每個(gè)端面的耦合損耗減少0.5分貝
  • 在120納米波長范圍內(nèi)性能穩(wěn)定
  • 溫度循環(huán)后性能降低很。ㄎ鍌(gè)循環(huán)后僅增加0.3分貝)
    9 Q6 c; J/ y! }/ y! T2 C
    8 i3 {& b2 A! {2 A' S
    應(yīng)用展望4 ^9 b% A$ D5 x- l+ E8 X
    這種方法在光電子封裝技術(shù)領(lǐng)域代表了重要進(jìn)展,可以創(chuàng)建穩(wěn)定的光纖到芯片連接。在保持低光學(xué)損耗的同時(shí)具有良好的溫度循環(huán)耐受性,適合苛刻環(huán)境或需要低溫運(yùn)行的應(yīng)用。  f& g9 m( ]! ?/ ~4 ]
    1 {; W# h+ R4 G0 y% k, |; h
    消除光纖-芯片接口處的環(huán)氧樹脂不僅簡化了工藝,還避免了粘合劑退化或熱膨脹不匹配帶來的潛在問題。這使得該技術(shù)特別適合需要長期穩(wěn)定性和可靠性的應(yīng)用。
    - z$ d) i$ I$ ^  n& X6 M' m3 \: U" v5 @/ O5 f
    參考文獻(xiàn)
    ; t( h5 c  L+ _& x- ^6 Q[1] Hutchins et al., "Fiber-to-Chip Packaging With Robust Fiber Fusion Splicing for Low-Temperature Applications," IEEE Photonics Technology Letters, vol. 36, no. 19, pp. 1209-1212, 1 Oct. 2024, doi: 10.1109/LPT.2024.3452039.
    # e2 [) I3 o1 s8 J* c7 S. _3 T& d0 W
    END
    8 ~5 t% ^$ [1 u" v/ V- M: \

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    7 k1 y. h1 b4 W! A軟件申請我們歡迎化合物/硅基光電子芯片的研究人員和工程師申請?bào)w驗(yàn)免費(fèi)版PIC Studio軟件。無論是研究還是商業(yè)應(yīng)用,PIC Studio都可提升您的工作效能。4 a* n/ i& n: x0 Z
    點(diǎn)擊左下角"閱讀原文"馬上申請/ a( i5 M9 h' j) [0 J

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    轉(zhuǎn)載請注明出處,請勿修改內(nèi)容和刪除作者信息!! d" a9 k" ]: h
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    1 f. w; D7 d! y  I$ ^4 E9 ~, j深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專注于半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開發(fā)特色工藝芯片設(shè)計(jì)和仿真軟件,提供成熟的設(shè)計(jì)解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對(duì)光電芯片、微機(jī)電系統(tǒng)、超透鏡的設(shè)計(jì)與仿真。我們提供特色工藝的半導(dǎo)體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務(wù),廣泛服務(wù)于光通訊、光計(jì)算、光量子通信和微納光子器件領(lǐng)域的頭部客戶。逍遙科技與國內(nèi)外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動(dòng)特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶提供前沿技術(shù)與服務(wù)。
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