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引言
/ p, G! P, @& `" L5 S高速存儲(chǔ)器接口已發(fā)展到支持?jǐn)?shù)千兆比特每秒(Gbps)的數(shù)據(jù)傳輸率。這種發(fā)展為存儲(chǔ)器接口的有效建模帶來了多種挑戰(zhàn),特別是在IBIS(輸入/輸出緩沖信息規(guī)范)模型方面。本文探討了高速存儲(chǔ)器接口模型開發(fā)中的主要挑戰(zhàn)和相應(yīng)解決方案,重點(diǎn)關(guān)注封裝建模和均衡器實(shí)現(xiàn)。
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圖1:展示了高速存儲(chǔ)器接口中IBIS模型的主要挑戰(zhàn),突出顯示了封裝模型和均衡器模型的挑戰(zhàn)。! h6 a8 z. i( I
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封裝模型的挑戰(zhàn)與解決方案
: |) N' M; q2 E2 o4 \3 I6 s存儲(chǔ)器接口日益復(fù)雜,在封裝建模方面引發(fā)了多個(gè)挑戰(zhàn)。目前支持Touchstone格式的模型主要分為兩類:互連模型和EMD(電氣模型數(shù)據(jù))。每種方法都有各自的優(yōu)勢和局限性,需要仔細(xì)權(quán)衡。: ^! R& U( M/ K2 _6 E/ c
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/ }, e6 \3 T5 J4 D" a圖2:互連模型和EMD的比較表,顯示了在多重連接、EDA工具支持、顯示實(shí)現(xiàn)和文件路徑規(guī)范方面的優(yōu)勢和限制。1 A* n/ D$ D. q0 q" y# y0 i
: O9 [7 I/ M3 R1 u& ?封裝建模中的主要挑戰(zhàn)之一是有效支持多重連接。這在涉及多芯片封裝的情況下尤為明顯。雖然互連模型使用廣泛,但在處理多重連接方面存在局限性。
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+ j( F! R# a' m圖3:互連模型和EMD在多重連接支持方面的對比圖,展示了各自在處理多芯片封裝時(shí)的優(yōu)勢和局限性。 z; s; O0 Q( [( _9 r, v& C
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封裝模型的實(shí)現(xiàn)和可視化也是一個(gè)重要挑戰(zhàn)。這些模型在EDA工具中的顯示和處理方式會(huì)顯著影響設(shè)計(jì)過程中的可用性和有效性。
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4 |& m: }6 Y' j圖4:互連模型和EMD的顯示實(shí)現(xiàn)對比,展示了在具有多個(gè)封裝實(shí)例的pcb設(shè)計(jì)中封裝的可視化方式。
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均衡器模型的挑戰(zhàn)
8 q+ |! K! U. j/ ~$ _DDR規(guī)范中引入均衡器帶來了新的建模復(fù)雜性。特別關(guān)注的是判決反饋均衡器(DFE),其使用外部時(shí)鐘信號(hào)(DQS)運(yùn)作,而非SerDes實(shí)現(xiàn)中使用的時(shí)鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù)(CDR)系統(tǒng)。4 k. W# z+ j8 X) O' G1 J
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% B% l7 O& e" m) @3 g# B+ y圖5:DDR DFE和SerDes DFE架構(gòu)的對比圖,突出顯示了時(shí)鐘實(shí)現(xiàn)的差異。
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0 L% Q) T$ Y/ b8 k. j基于雙尾鎖存型電壓感應(yīng)放大器(DTSA)的DFE實(shí)現(xiàn)引入了額外的建模挑戰(zhàn)。這些實(shí)現(xiàn)使用動(dòng)態(tài)放大器作為加法器,在信號(hào)處理和分析方面與傳統(tǒng)線性放大器有顯著差異。
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1 V* |7 h) Q" a! _3 m. A圖6:展示DTSA基礎(chǔ)DFE架構(gòu)和探測點(diǎn)挑戰(zhàn)的技術(shù)圖。, c! x$ @5 s, [. d( I
. D: E3 j) J7 j& B- f4 b隨著存儲(chǔ)器接口的復(fù)雜性增加,S參數(shù)模型的文件大小管理也面臨挑戰(zhàn)。隨著數(shù)據(jù)速率提高和并行接口變得更加復(fù)雜,提取的S參數(shù)文件大小顯著增長。這種增長需要仔細(xì)考慮磁盤使用、分析時(shí)間以及模型精度與文件大小之間的權(quán)衡。# E- F6 _' b0 G4 S* K
5 { c. d( g7 W+ w當(dāng)前建模環(huán)境中,Touchstone和IBIS-ISS文件的路徑規(guī)范也是一個(gè)挑戰(zhàn)。雖然IBIS規(guī)范提供了文件位置規(guī)則,但由于缺乏明確的路徑設(shè)置描述,導(dǎo)致在不同EDA工具中的實(shí)現(xiàn)不一致。這種不一致可能導(dǎo)致兼容性問題,使模型集成過程變得復(fù)雜。- g6 k$ C! f) L+ R
* |6 x6 ]9 X9 G& F針對這些挑戰(zhàn),提出了以下解決方案:提升互連模型以支持與EMD相當(dāng)?shù)亩嘀剡B接能力,為復(fù)雜封裝配置建模提供更大靈活性。制定清晰的封裝模型指南并促進(jìn)行業(yè)采用,確保實(shí)現(xiàn)一致性和更廣泛的工具支持。建立統(tǒng)一的文件路徑描述規(guī)范,消除歧義并提高不同EDA工具間的兼容性。為基于DTSA的DFE實(shí)現(xiàn)開發(fā)新的建模方法,可能包括數(shù)字信號(hào)的通過/失敗判定方法。1 _( Y$ V; ]: c- D( B3 S
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+ B. `. c* E5 C5 r: g" C基于DTSA的DFE建模提出了獨(dú)特的挑戰(zhàn),需要?jiǎng)?chuàng)新解決方案。在處理動(dòng)態(tài)放大器時(shí),傳統(tǒng)的模擬信號(hào)探測方法變得問題重重,因?yàn)檩敵隹赡懿惶峁┻m合分析的探測點(diǎn)。這種限制要求在均衡化之前探測輸入信號(hào),或者處理切片器的數(shù)字信號(hào)輸出。' y9 T3 o6 p: L) b
, \% ~! ?) N$ kIBIS開放論壇和EDA模型專業(yè)委員會(huì)繼續(xù)致力于解決這些挑戰(zhàn)。未來的發(fā)展可能包括處理外部時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)均衡器的新規(guī)范,以及改進(jìn)的大型S參數(shù)文件管理方法。行業(yè)重點(diǎn)仍然是開發(fā)更高效、更準(zhǔn)確的模型,同時(shí)保持與現(xiàn)有工具和工作流程的兼容性。& K6 [$ l) W; M. n% _3 |: b! t
, ]- h0 j, V5 J3 t' Q4 x2 Q' C* ]參考文獻(xiàn)4 c' b5 j# A$ d9 a/ K
[1] M. Yoshitomi, "Challenges and Proposals in Developing Models for High-Speed Memory Interface," KIOXIA Corporation, Design Technology Innovation Div., 2024.
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5 T4 x0 B2 Z' p, Q/ s/ R8 r8 x軟件申請我們歡迎化合物/硅基光電子芯片的研究人員和工程師申請?bào)w驗(yàn)免費(fèi)版PIC Studio軟件。無論是研究還是商業(yè)應(yīng)用,PIC Studio都可提升您的工作效能。
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: h3 P+ a3 X8 ?1 r4 x3 s5 Y2 ~轉(zhuǎn)載請注明出處,請勿修改內(nèi)容和刪除作者信息!( I5 g: L) T& o6 A
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