先進(jìn)封裝，AI時(shí)代的核心技術(shù)發(fā)展與創(chuàng)新

逍遙設(shè)計(jì)自動(dòng)化

引言
隨著人工智能(AI)和高性能計(jì)算(HPC)應(yīng)用的快速發(fā)展，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正面臨挑戰(zhàn)與機(jī)遇。計(jì)算能力、內(nèi)存帶寬和能源效率需求的持續(xù)提升，使得半導(dǎo)體制程不斷挑戰(zhàn)性能極限。在這個(gè)背景下，先進(jìn)封裝技術(shù)已經(jīng)發(fā)展成為延續(xù)摩爾定律、推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的核心策略。這項(xiàng)技術(shù)不僅能夠提升芯片性能，還能實(shí)現(xiàn)更低的功耗和更小的外形尺寸，為AI和HPC應(yīng)用提供了強(qiáng)有力的技術(shù)支持[1]。
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市場(chǎng)分析與發(fā)展趨勢(shì)
9 [7 }- S* H# V/ N, w根據(jù)Yole Group的最新市場(chǎng)調(diào)查報(bào)告，2023年全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到392億美元，預(yù)計(jì)到2029年將大幅增長(zhǎng)至811億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)高達(dá)12.9%。在整體IC封裝市場(chǎng)中，先進(jìn)封裝已占據(jù)44%的份額，其中AI和HPC應(yīng)用的比重正在穩(wěn)步提升。這一快速增長(zhǎng)主要得益于數(shù)據(jù)中心、邊緣計(jì)算、自動(dòng)駕駛等新興應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ω咝阅苄酒�的旺盛需求。特別是在生成式AI的推動(dòng)下，對(duì)高性能計(jì)算和大規(guī)模并行處理能力的需求進(jìn)一步提升，加速了先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展。
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# K% ]  b" u1 w$ T7 x圖1：先進(jìn)封裝市場(chǎng)增長(zhǎng)趨勢(shì)(source: Yole Group)

2023年，全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的先進(jìn)封裝資本支出約為99億美元。英特爾與臺(tái)積電并列投資第一，各約投入32億美元，占總投資的31%。三星緊隨其后，投資約18億美元，占比20%。隨著市場(chǎng)需求的持續(xù)增長(zhǎng)，2024年的投資規(guī)模預(yù)計(jì)將增加20%，達(dá)到119億美元。這些投資主要用于擴(kuò)充產(chǎn)能和技術(shù)研發(fā)，以滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)先進(jìn)封裝產(chǎn)品日益增長(zhǎng)的需求。

先進(jìn)封裝技術(shù)體系
! G& t5 y" Z; Y. e/ ~# Z5 x8 k& k傳統(tǒng)的QFP、QFN等封裝技術(shù)在滿(mǎn)足基礎(chǔ)電子產(chǎn)品需求方面發(fā)揮著重要作用，但隨著AI和HPC應(yīng)用的發(fā)展，其性能限制日益顯現(xiàn)。先進(jìn)封裝技術(shù)通過(guò)創(chuàng)新的設(shè)計(jì)和工藝，實(shí)現(xiàn)了更高的集成度、更短的互連距離，從而帶來(lái)顯著的性能提升和功耗優(yōu)化。目前，WLCSP（晶圓級(jí)芯片尺寸封裝）技術(shù)通過(guò)扇出型封裝(FOWLP)實(shí)現(xiàn)了更靈活的設(shè)計(jì)方案。其重分布層(RDL)技術(shù)允許芯片具有更多的輸入輸出選項(xiàng)，同時(shí)保持較小的封裝尺寸。

圖2：主要先進(jìn)封裝技術(shù)(source: IDTechEx)

2.5D堆疊技術(shù)采用創(chuàng)新的中介層設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了芯片間的高效互連。該技術(shù)主要通過(guò)硅中介層、硅橋接和RDL三種方式實(shí)現(xiàn)。其中硅中介層采用TSV技術(shù)實(shí)現(xiàn)電氣連接，代表產(chǎn)品如臺(tái)積電的CoWoS-S；硅橋接技術(shù)使用更少的硅材料，具有更薄、功耗更低的特點(diǎn)，如英特爾的EMIB和臺(tái)積電的CoWoS-L；而RDL則通過(guò)微影制程提升速度和散熱效果，適用于CoWoS-R等產(chǎn)品。
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! ?6 `+ ~& v& w! k# ~" M3D堆疊技術(shù)則通過(guò)垂直方向的創(chuàng)新設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了計(jì)算單元與內(nèi)存之間的最短互連距離。該技術(shù)主要包括使用微凸塊的TSV技術(shù)和無(wú)凸塊的混合鍵合技術(shù)。TSV技術(shù)通過(guò)硅通孔實(shí)現(xiàn)垂直互連，顯著提升了數(shù)據(jù)傳輸效率；而混合鍵合技術(shù)則通過(guò)結(jié)合介電材料和嵌入金屬，進(jìn)一步優(yōu)化了互連性能。同時(shí)，光電共封裝（CPO）技術(shù)作為新一代封裝解決方案，在傳輸損耗、抗干擾能力、帶寬容量和能效比方面都展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。

) U3 C3 y' j6 J: G! k3 W" I主要廠商技術(shù)布局
臺(tái)積電在先進(jìn)封裝領(lǐng)域構(gòu)建了完整的技術(shù)體系，其3DFabric平臺(tái)包括前端3D芯片堆疊SoIC技術(shù)和后端CoWoS系列解決方案及InFO封裝技術(shù)。通過(guò)CoWoS-S實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)后，公司計(jì)劃在2027年推出更先進(jìn)的12個(gè)HBM堆疊的CoWoS解決方案。同時(shí)，臺(tái)積電正在全球范圍內(nèi)擴(kuò)建先進(jìn)封裝產(chǎn)能，包括在臺(tái)灣建設(shè)新的先進(jìn)封裝廠，以及與Amkor合作在美國(guó)亞利桑那州提供先進(jìn)封裝服務(wù)。
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圖3：臺(tái)積電SoW封裝技術(shù)(source: 臺(tái)積電)
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+ \7 h1 o2 B% Q6 v% }) }2 L英特爾在先進(jìn)封裝領(lǐng)域投入巨大，開(kāi)發(fā)了EMIB、Foveros等創(chuàng)新技術(shù)。EMIB技術(shù)通過(guò)直接在有機(jī)基板中插入硅橋，避免了使用硅中介層與TSV的需求，有效減少了封裝尺寸和信號(hào)失真。Foveros技術(shù)則支持2.5D與3D堆疊，采用TSV與硅中介層，特別適用于客戶(hù)端與邊緣應(yīng)用場(chǎng)景。在新材料應(yīng)用方面，英特爾正在推進(jìn)玻璃基板技術(shù)的研發(fā)，這項(xiàng)技術(shù)可以提供更高的互連密度，將頻寬從224G提升至448G。公司計(jì)劃在2030年前實(shí)現(xiàn)玻璃基板的量產(chǎn)，這將為封裝技術(shù)帶來(lái)革命性的突破。

圖4：英特爾EMIB技術(shù)(source: 英特爾)
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三星則充分利用其在存儲(chǔ)器、邏輯芯片和晶圓代工領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)，開(kāi)發(fā)了全面的先進(jìn)封裝解決方案。其I-Cube平臺(tái)基于TSV和后段制程技術(shù)，支持2.5D和3D封裝，實(shí)現(xiàn)了異質(zhì)芯片的高效整合。H-Cube方案專(zhuān)門(mén)針對(duì)HBM集成設(shè)計(jì)，采用混合基板技術(shù)，確保了供電穩(wěn)定性。而采用7納米制程的X-Cube技術(shù)，通過(guò)TSV堆疊SRAM和邏輯芯片，顯著提升了數(shù)據(jù)傳輸速度。

圖5：三星先進(jìn)封裝技術(shù)(source: 三星）

+ j$ a- A, e; e. g# L8 f5 U技術(shù)趨勢(shì)與未來(lái)展望
邊緣AI的發(fā)展正在成為推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)的新動(dòng)力。通過(guò)將Chiplet技術(shù)與邊緣計(jì)算相結(jié)合，在采用2.5D堆疊靠近計(jì)算單元的同時(shí)，使用50~12納米的成熟制程并結(jié)合混合鍵合封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了性能優(yōu)化和成本控制的平衡。這種方案不僅降低了制造成本，還優(yōu)化了能源效率，同時(shí)提高了產(chǎn)品良率。
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$ ?3 A$ C' U( |- \+ @半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)各環(huán)節(jié)之間的協(xié)作也日益緊密。芯片整合商與材料供應(yīng)商的深度合作，工具供應(yīng)商提供的專(zhuān)業(yè)解決方案，以及HBM/基板產(chǎn)業(yè)的協(xié)同發(fā)展，共同推動(dòng)著3D IC技術(shù)的進(jìn)步。這種全產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)作不僅加快了新工藝和新材料的應(yīng)用，也促進(jìn)了產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的制定。

; J2 N6 s. V, q5 g2 }) G( V" |結(jié)論
隨著摩爾定律面臨物理極限，先進(jìn)封裝技術(shù)已經(jīng)成為推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的核心力量。在全球科技企業(yè)的持續(xù)投入下，創(chuàng)新的封裝技術(shù)不斷突破技術(shù)邊界，為AI與HPC等高性能應(yīng)用提供了強(qiáng)大的硬件支持。這種創(chuàng)新不僅推動(dòng)了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，也為數(shù)字技術(shù)的未來(lái)進(jìn)步提供了新的可能。通過(guò)產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的緊密協(xié)作，先進(jìn)封裝技術(shù)將繼續(xù)引領(lǐng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展，推動(dòng)全球數(shù)字化轉(zhuǎn)型進(jìn)程。

1 c$ _- f5 [3 m* w, W, i# F: c$ k參考來(lái)源
[1] S. Hong, "AI時(shí)代關(guān)鍵推手——先進(jìn)封裝開(kāi)啟摩爾定律新篇章," EE Times Taiwan, Nov. 25, 2024. [Online]. Available: https://www.eettaiwan.com/magazine/202411/ (accessed Dec. 7, 2024).

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